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	gan mos driver
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
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          GaN功率FET及背后柵極驅動器在LiDAR傳感器中的作用
          
                                                            
            
                    	
          • 氮化鎵 （GaN） 功率器件因其超快的開關速度和有限的寄生效應而成為 LiDAR 傳感器的核心構建模塊之一，從而在高總線電壓和窄脈沖寬度下實現高峰值電流。為了迎來自動駕駛汽車的未來，必須在車輛系統(tǒng)內使用更先進的傳感器。LiDAR 是檢測自動駕駛汽車周圍物體存在的更廣泛使用的傳感器之一，它是光檢測和測距的縮寫，它從激光射出光并測量場景中的反射，有點像基于光的雷達。車輛的車載計算機可以使用這些數據來解釋汽車與周圍環(huán)境的關系以及道路上是否存在其他汽車和物體。LiDAR 傳感器必須基于一個非常快速的開關，該開關為
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          • 關鍵字：
                        GaN  功率FET  柵極驅動器  LiDAR  傳感器                          
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          50V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝
          
                                                            
            
                    	
          • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開關特性，因此在工業(yè)設備、車載設備以及需要支持大功率的應用領域被越來越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導體后道工序供應商（OSAT）擁有豐富業(yè)績的日月新半導體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡稱“ATX”）。
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          • 關鍵字：
                        GaN HEMT  GaN  ROHM                          
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          日本電裝開發(fā)出GaN 三電平汽車電驅方案
          
                                                            
            
                    	
          • 據日媒報道，名古屋大學和日本電裝公司利用橫向 GaN HEMT，合作開發(fā)出了一種 800V 兼容逆變器（三相、三電平），主要用于驅動使用的電動汽車牽引電機（圖 1）。據了解，名古屋大學與松下控股、豐田合成、大阪大學和電裝合作，參與了日本環(huán)境省自 2022 年以來實施的項目“加速實現創(chuàng)新 CO? 減排材料的社會實施和傳播項目”。新開發(fā)的高壓三電平逆變器是該項目努力的結果。圖1 ：電裝橫向 GaN HEMT 電驅逆變器（左）、單相降壓 DC-DC 轉換器運行時的開關波形（右）。提高電動汽車和混合動力電動汽車（
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          • 關鍵字：
                        日本電裝  GaN  三電平  汽車電驅                          
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          復旦大學在Si CMOS+GaN單片異質集成的探索
          
                                                            
            
                    	
          • 異質異構Chiplet正成為后摩爾時代AI海量數據處理的重要技術路線之一，正引起整個半導體行業(yè)的廣泛關注，但這種方法要真正實現商業(yè)化，仍有賴于通用標準協(xié)議、3D建模技術和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標注的模擬類比芯片技術，在非尺寸依賴追求應用多樣性、多功能特點的現實需求，正在推動不同半導體材料的異質集成研究。為此，復旦大學微電子學院張衛(wèi)教授、江南大學集成電路學院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質集成的創(chuàng)新研究，并在近期國內重要會議上進行報道。復旦大學微電子學院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
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          • 關鍵字：
                        復旦大學  Si CMOS  GaN  單片異質集成                          
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          650V耐壓GaN HEMT新增小型與高散熱TOLL封裝
          
                                                            
            
                    	
          • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開關特性，因此在工業(yè)設備、車載設備以及需要支持大功率的應用領域被越來越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導體后道工序供應商（OSAT）擁有豐富業(yè)績的日月新半導體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡稱“ATX”）。
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          • 關鍵字：
                        GaN HEMT  TOLL封裝  ROHM                          
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          技術洞察 | 邁向更綠色的未來：GaN技術的變革性影響
          
                                                            
            
                    	
          • 作者Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產品高級總監(jiān)校對宋清亮 英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務高級首席工程師過去幾十年間，人口和經濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據估計，2022年全球數據中心耗電量約為240-340太瓦時（TWh）。近年來，全球數據中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長 [1] 。圖1：1910年以來
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  GaN                          
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          春晚科技 「秧」 光：人形機器人未來已來
          
                                                            
            
                    	
          • 在科技浪潮的推動下，人形機器人正逐漸從幕后走向臺前。在 2025 央視春晚中，著名電影導演張藝謀攜手杭州宇樹科技、新疆藝術學院帶來了一個名為《秧 BOT》的節(jié)目。舞臺上，宇樹科技的人形機器人與新疆藝術學院的舞蹈演員們默契共舞，人機互動的奇妙場景，不僅帶來了一場別開生面的視覺盛宴，展現出一種前所未有的科技美感，更讓觀眾真切感受到人形機器人時代的腳步正越來越近。這群 BOT 什么來頭？春晚舞臺上的《秧 BOT》節(jié)目，由 16 個靈動的 BOT（機器人 robot 的簡稱）與 16 名技藝精湛的新疆藝術學院舞蹈
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          • 關鍵字：
                        人形機器人  GaN  CIS  傳感器                          
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          日常生活中的工業(yè)技術：助力智能生活的幕后力量
          
                                                            
            
                    	
          • 大多數人在想象工業(yè)應用中的技術時，想到的是大型的機械和復雜的制造流程，這似乎與日常生活毫無關聯(lián)。然而通過實時控制，系統(tǒng)可以在規(guī)定的時間范圍內收集、處理數據并自行更新。智能感應可以檢測人員和機械，而邊緣人工智能 (AI) 可以快速、高效地做出決策。這些技術涵蓋從制造到物流的方方面面。它們就像超人一樣，從我們早上起床到晚上睡覺休息的這段時間里，在幕后悄悄地執(zhí)行著各種各樣的任務，讓我們的世界正常運轉。對我們的日常生活來說，在工業(yè)應用中使用的技術與智能手機一樣重要且有益。它們?yōu)槲覀児?jié)省了時間，增加了便利性；保護我
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          • 關鍵字：
                        工業(yè)技術  智能生活  德州儀器  C2000  GaN                          
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          國產1700V GaN器件進一步打開應用端市場
          
                                                            
            
                    	
          • 遠山半導體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題，他們采用特有的極化超級結（PSJ: Polarization Super Junction）技術，并對工藝進行進一步優(yōu)化，使器件的額定工作電壓和工作電流得到更大的提升（1700V/30A）。本次測試采用遠山半導體提供的1700V/100mΩ規(guī)格GaN樣品,其可以輕松應對1000V輸入電壓下的開關測試需求，在靜態(tài)測試條件下，1700V時測得
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          • 關鍵字：
                        GaN  電流崩塌  功率器件                          
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          PMOS緩啟電路
          
                                                            
            
                    	
          • 本文來源于一個實際項目，需要由一個PMOS作為開關來控制電源的導通。但對實際參數進行測量時，發(fā)現PMOS導通時間太短，使得后級電路的dV/dt太大，造成一些不好的影響，因此本文對如何延緩PMOS啟動速度進行簡單學習與概述性介紹。1 米勒平臺上圖所示為PMOS的等效模型，其柵極、源極與漏極相互之間都存在寄生電容，分別為CGD，CGS，CDS。MOS管的開啟時序如下圖所示：開啟過程如下：（1）T0-T1階段，G端輸出電平，CGS開始從0充電直至VGS(th)，漏極源極之間的電壓UDS與電路IDS保持不變，MO
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          • 關鍵字：
                        PMOS電路  開關電路  MOS  電源                          
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          邁向更綠色的未來：GaN技術的變革性影響
          
                                                            
            
                    	
          • 過去幾十年間，人口和經濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據估計，2022 年全球數據中心耗電量約為240-340 太瓦時（TWh）。近年來，全球數據中心的能源消耗以每年20-40% 的速度持續(xù)增長[1]。圖1 1910年以來全球二氧化碳排放量（單位：千兆噸）：總量（上）；按行業(yè)劃分（下）隨著能源消耗的增加，相關的二氧化碳排放量也在2022年達到創(chuàng)紀錄的37 千兆噸。為應對這一問題，
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          • 關鍵字：
                        202412  GaN  CoolGaN                          
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          深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？
          
                                                            
            
                    	
          • /  編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數，極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動，高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產品，對他們的結構、特性、兩者的應用差異等方面進行了詳細的介紹。引 言作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  GaN  SiC  電氣工程師                          
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          想提高高壓LED照明中的效率和功率密度？上GaN技術！
          
                                                            
            
                    	
          • 文章 概述本文介紹了 寬帶隙（ GaN ）技術在高壓 LED照明 中的應用，以及如何解決效率和功率密度挑戰(zhàn)。文章重點討論了利用GaN技術的LED驅動器架構的降壓部分，展示了如何通過寬帶隙技術提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列，該系列將高電壓智能功率BCD工藝柵極驅動器與高電壓GaN晶體管結合，簡化了設計并提高了功率密度。事實證明， 高壓LED照明可以有效地取代高強度放電 (HID
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          • 關鍵字：
                        Digikey  LED照明  GaN                          
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          “LiDAR激光雷達”為智慧物流賦能，羅姆“激光器+GaN”帶來安全精準
          
                                                            
            
                    	
          • 1? ?LiDAR（3D感測和距離感測）備受矚目在物流行業(yè)，物流需求持續(xù)擴大，但同時也面臨著嚴重的勞動力短缺問題。越來越多的業(yè)內企業(yè)開始考慮引進智慧物流系統(tǒng)，利用AGV（無人搬運車）和AMR（自主移動機器人）等執(zhí)行工作。然而，也有很多企業(yè)擔心安全性和系統(tǒng)管理等方面的問題。實際上，ISO 對功能安全的要求也很高，能夠確保安全性的智能感測技術和模塊已經逐漸成為不可或缺的存在。在這種背景下，旨在構建更安全、更安心的智慧物流系統(tǒng)，并且能夠更精準地感測更遠的距離、不易受到陽光干擾的激光雷達LiD
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          • 關鍵字：
                        202411  LiDAR  激光雷達  智慧物流  羅姆  激光器  GaN                          
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          Nexperia的AC/DC反激式控制器可實現更高功率密度的基于GaN的反激式轉換器
          
                                                            
            
                    	
          • Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，進一步壯大其不斷擴展的電源IC產品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基于GaN的反激式轉換器而設計，用于PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業(yè)電源和輔助電源等設備以及其他需要高功率密度的AC/DC轉換應用。?NEX806xx/NEX808xx是準諧振/多模反激式控制器，可在寬VCC范圍(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自適應同步整流控制器。這些IC可與N
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          • 關鍵字：
                        Nexperia  AC/DC反激式控制器  GaN  反激式轉換器                          
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