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	gan mos driver
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          gan mos driver 文章
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          無比型動態(tài)MOS反相器
          
                                                            
                    
          
                
          
                                
          
                    
          Linux下SANE Driver自動化測試工具的設計與實現(xiàn)
          
                                                            
            
                    	
          • SANE（Scanner Access Now Easy）是一個應用程序接口API（Application Programming Interface）[1]，提供了對光柵圖像掃描硬件的標準訪問[2]。Linux對掃描儀的支持就是通過SANE實現(xiàn)的。SANE標準中將實現(xiàn)SANE接口的驅(qū)
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          • 關鍵字：
                        Driver  Linux  SANE  自動化                            
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          硅上GaN LED分析
          
                                                            
            
                    	
          • 硅上GaN LED不必受應力的影響，一定量的應力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監(jiān)測溫度和晶片曲率，制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        GaN  LED  分析                            
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          采用C-MOS與非門的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動電路及工作原理分析
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數(shù)10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導通時的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來光。電
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          • 關鍵字：
                        電路  工作  原理  分析  驅(qū)動  脈沖  C-MOS  與非門  發(fā)光二極管                          
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          采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路
          
                                                            
            
                    	
          • 采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產(chǎn)品 ...
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        C-MOS  轉(zhuǎn)換器  石英晶體  振蕩電路                          
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          可設定10~100秒的長時間C-MOS定時電路及工作原理
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 電路的功能若要用555芯片組成長時間定時電路，R用高阻值，便可加長CR時間常數(shù)，但是，由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無法驅(qū)動，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時器芯片，選用高阻
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          • 關鍵字：
                        工作  原理  電路  定時  時間  C-MOS  設定                          
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          V-MOS管測試
          
                                                            
                    
          
                
          
                                
          
                    
          利用氬氣改善p型GaN LED的性能
          
                                                            
            
                    	
          • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
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          • 關鍵字：
                        GaN  LED                            
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          采用GaN LED的便攜式DNA分析儀
          
                                                            
            
                    	
          • 在當今社會，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個月發(fā)生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
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          • 關鍵字：
                        GaN  LED                            
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          羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點，從而大幅改善了電氣特性、機械特性，同時實現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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          • 關鍵字：
                        羅姆  SiC  MOS                          
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          大功率LED關鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場
          
                                                            
            
                    	
          • 超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關鍵材料之...
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          • 關鍵字：
                        LED  GaN  MOSFET                          
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          MOS場效應管逆變器自制
          
                                                            
            
                    	
          • 這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管。該變壓器的工作原理及制作過程：　　 　　圖1　　工作原理　　一、方波的產(chǎn)生　　這里采用CD4069構(gòu)成方波信號發(fā)生器。電路中R1是補償電阻，用于改善由于電源電壓的變化而
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          • 關鍵字：
                        自制  逆變器  效應  MOS                          
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          高性能、可高壓直接驅(qū)動MOS的LLC控制器—NCP1396A/B
          
                                                            
            
                    	
          • NCP1396A/B為NCP1395的改進型。它包括一個最高500kHZ的壓控振蕩器，在必需懸浮驅(qū)動功能時齙控制模式有很大...
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          • 關鍵字：
                        光耦  可調(diào)  死區(qū)時間  MOS                          
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          硅襯底LED芯片主要制造工藝解析
          
                                                            
            
                    	
          • 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
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          • 關鍵字：
                        LED芯片  硅襯底  GaN                            
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          硅襯底上GaN基LED的研制進展
          
                                                            
            
                    	
          • Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
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          • 關鍵字：
                        MOCVD  GaN  LED芯片                            
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