松下被動元件展區(qū)，松下位于德國的器件解決方案部門被動元件團隊產品市場經理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問世的導電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優(yōu)，例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流?！ K和ZC產品在125C下可工作4000小時。三種類型產品都有更低的ESR(等效串聯電阻)和LC，可用于LED、汽車、電力電子、電信等場合。 松下集團汽車&工業(yè)系統公司介紹了其網上工具--LC Simulator，可加速
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松下 X-GaN
實現互聯世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42，新產品的高頻性能更出色，噪聲更低，這對先進的通信、雷達和國防RF系統應用而言甚為關鍵。
該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關模型的制造工藝采用了業(yè)內獨有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達25 GHz，支持芯片級設計，通過K頻段應用提供頻率更
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Qorvo GaN
2010年，供應商發(fā)布了第一波基于GaN技術的功率半導體。但直到最近，這種產品的可用性依然不高，價格也高昂不下，GaN技術一直在尋找理想的應用空間。隨著時間的推移，這些器件預計將逐步應用到電動汽車、移動設備的快速充電適配器、無線充電和其他系統中，GaN基功率半導體器件正在電源市場上攻城拔寨。
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GaN MOSFET
功耗是當今電子設計以及測試中最熱門也是競爭最激烈的領域之一。這是因為人們對高能效有強烈需求，希望能充分利用電池能量，幫助消減能源帳單，或者支持空間敏感或熱量敏感型應用。在經過30年的發(fā)展之后，硅MOSFET發(fā)
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GaN 測試
中國第三代半導體產業(yè)南方基地(以下簡稱“南方基地”)正式落戶東莞。9月30日，中國第三代半導體產業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會在東莞召開。國家科技部原副部長、國家第三代半導體產業(yè)決策委員會主任曹健林，廣東省副省長袁寶成、省科技廳廳長黃寧生，市委副書記、市長梁維東，國家第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟理事長吳玲等領導出席中國第三代半導體產業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會并見證簽約儀式。
副市長楊曉棠，市政府黨組成員、松山湖管委會主任殷煥明等參加了啟動儀式。
為廣東實現半導體產業(yè)化提
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半導體 GaN
隨著去年Dialog取得了臺灣敦宏科技40%的股份后，國際Fabless業(yè)者Dialog于今日又有重要動作。此次的重大發(fā)布是與晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。
Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall
透過臺積電以六寸晶圓廠的技術，Dialog推出了DA8801，Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會后接受CTIMES采訪時表示，該款元件為目前產業(yè)界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
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Dialog GaN
德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實現5G網路不可或缺的建構模組：以氮化鎵(GaN)技術制造的高功率放大器電晶體...
下一代行動無線網路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實現5G網路不可或缺的一種建構模組
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GaN 5G
眾人皆知，由于半導體制程的不斷精進，數位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。
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GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp)
不過，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去，有些電子系統的輕便度仍待改進提升，例如筆電出門經常要帶著一個厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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GaN SiC
當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。
比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯盟，便有29家企業(yè)、14所大學、與2個技術研發(fā)基金會加入;日本產業(yè)技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都是
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GaN LED
當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。
比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯盟，便有29家企業(yè)、14所大學、與2個技術研發(fā)基金會加入;日本產業(yè)技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(Nagoya University)合作，在2016年成立產總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都
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GaN 藍光LED
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。
下面是我對MOS及MOS驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅動以及應用電路。
MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，
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MOS MOS驅動電路
當前，全球半導體產業(yè)正處于深度變革，化合物半導體成為產業(yè)發(fā)展新的關注點，我國應加緊產業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動權。
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GaAs GaN
臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開了受托生產服務的藍圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術生產GaN晶體管。
臺積電打算開展受托生產的GaN晶體管有三種類型：(1)常開型(Normal On)MISFET、(2)常開型HEMT、(3)常關型(Normal Off)。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產品。
其中，耐壓650V的常關
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臺積電 GaN
半導體行業(yè)的重組還在繼續(xù)。恩智浦半導體(NXP Semiconductors)將把經營分立器件、邏輯芯片、功率MOS半導體等產品的標準產品業(yè)務部門出售給中國的投資公司(英文發(fā)布資料)。
標準產品業(yè)務部門2015年財年的銷售額為12億美元，約占恩智浦總銷售額(61億美元)的2成。該部門約有員工1.1萬名，約為恩智浦總員工數量(4.5萬)的2.5成。
出售金額約為27.5億美元，購買方是北京建廣資產管理有限公司(簡稱“建廣資產”)與Wise Road Capital兩家
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恩智浦 MOS
移動應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設計用于優(yōu)化商業(yè)用雷達、通信系統及航空電子應用的功率性能。
Qorvo 國防與航空航天產品總經理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統性能。Qorvo可以更好地實現相位陣列雷達等先進設備的要求，提供
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Qorvo GaN
gan mos driver介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條gan mos driver!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對gan mos driver的理解，并與今后在此搜索gan mos driver的朋友們分享。
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