gaa-fet 文章 最新資訊
GAA晶體管市場規(guī)模、份額和趨勢預測（2034）
- 全方位柵極 （GAA） 晶體管市場規(guī)模是多少？2024年全球柵極全環(huán)（GAA）晶體管市場規(guī)模為6.0005億美元，預計將從2025年的6.771億美元增加到2034年的約20.0825億美元，2025年至2034年復合年增長率為12.84%。該行業(yè)代表了半導體設計的重大進步，為未來的電子設備提供了更高的性能和可擴展性。隨著 GAA 晶體管市場的持續(xù)增長，了解其市場規(guī)模和預計擴張對于利益相關者和行業(yè)分析師至關重要。市場亮點到 2024 年，亞太地區(qū)主導了全環(huán)柵極 （GAA） 晶體管市場，市場份額最大，達到
- 關鍵字： GAA 晶體管
基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設計注意事項
- 鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔憂，當前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領域。市面上有一些功率高達 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微型逆變器。當系統(tǒng)需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統(tǒng)的串式逆變器或混合串式逆變器。圖1是混合串式逆變器的方框圖。常見的穩(wěn)壓直流母線可將各個基本模塊互聯起來。混合串式逆變器包含以下子塊：●? ?用于執(zhí)行最大功率點跟蹤的單向 DC/DC 轉換器?！? ?用于電池充電和放電的雙向 DC/DC 轉換器。電池可在夜間或停電
- 關鍵字： 德州儀器 GaN FET 單相串式逆變器 微型逆變器 儲能系統(tǒng)
瑞薩電子推出用于AI數據中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)的全新GaN FET
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型（Gen IV Plus）產品專為多千瓦級應用設計，將高效GaN技術與硅基兼容柵極驅動輸入相結合，顯著降低開關功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產品提供TOL
- 關鍵字： 瑞薩電子 AI數據中心 工業(yè) 電源系統(tǒng) GaN FET
探索TI GaN FET在類人機器人中的應用
- 類人機器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內，同時保持此復雜系統(tǒng)平穩(wěn)運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。類人機器人內空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實現與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約40個伺服電機 (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機。這些電機的電源要求取決
- 關鍵字： TI GaN FET 類人機器人
GaN FET在人形機器人中的應用
- 引言人形機器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內，同時保持此復雜系統(tǒng)平穩(wěn)運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機器人內空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實現與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約 40 個伺服電機 (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機。這些電機的電源
- 關鍵字： GaN FET 人形機器人
臺積電推1.4nm 技術：第2代GAA晶體管，全節(jié)點優(yōu)勢2028年推出
- 臺積電公布了其 A14（1.4 納米級）制造技術，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著的性能、功率和晶體管密度優(yōu)勢。在周三舉行的 2025 年北美技術研討會上，該公司透露，新節(jié)點將依賴其第二代全環(huán)繞柵極 （GAA） 納米片晶體管，并將通過 NanoFlex Pro 技術提供進一步的靈活性。臺積電預計 A14 將于 2028 年進入量產，但沒有背面供電。計劃于 14 年推出具有背面供電功能的 A2029 版本?！癆14 是我們的全節(jié)點下一代先進芯片技術，”臺積電業(yè)務發(fā)展和全球銷售高級副總
- 關鍵字： 臺積電 1.4nm GAA 晶體管
日本半導體巨頭Rapidus加速推進2nm工藝 預計2027年實現量產
- 新興半導體公司 Rapidus 計劃在未來幾年大幅擴大其 2nm 研發(fā)力度，因為它看到了科技巨頭的巨大興趣。Rapidus 的 2nm 工藝采用 BSPDN 和 GAA 技術，使其成為業(yè)內獨一無二的實現。半導體供應鏈長期以來一直被臺積電等公司主導，而英特爾和三星代工廠等競爭對手也在努力鞏固自己的市場份額，因此還有很長的路要走。不過，據說日本領先的芯片制造公司 Rapidus 已加入尖端節(jié)點的競爭，據DigiTimes報道，該公司已經在日本北海道開發(fā)了一個專用設施，以盡快進入量產階段。據稱，Rapidu
- 關鍵字： 日本半導體 Rapidus 2nm工藝 量產 BSPDN GAA
Nexperia擴展GaN FET產品組合，現可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求
- Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產品組合新增12款新器件。本次產品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業(yè)、服務器/計算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業(yè)內少有、同時提供級聯型或D-mode和E-mode器件的供應商，為設計人員在應對設計過程中的不同挑戰(zhàn)提供了更多便捷性。Nexperia
- 關鍵字： Nexperia GaN FET
用Python自動化雙脈沖測試
- 電力電子設備中使用的半導體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應用于汽車和工業(yè)領域中。由于工作電壓高，SiC技術正被應用于電動汽車動力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動設備和其他消費設備的快速充電器。本文主要說明的是，但雙脈沖測試也可應用于硅器件、MOSFET或IGBT中。為確保這些設備的可靠性，雙脈沖測試（DPT）已發(fā)展成為一種行業(yè)標準技術，用于測量開啟、關閉和反向恢復期的一系列重要參數。雙脈沖測試系統(tǒng)包括示波
- 關鍵字： 202411 寬禁帶 FET 測試
拆解：三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000處理器3nm GAA工藝
- 三星最新推出的Galaxy Watch 7，繼續(xù)重新定義可穿戴技術的極限。這款最新型號承襲了其前身產品的成功之處，同時在性能、健康追蹤和用戶體驗方面實現了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實驗室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在對其進行拆解和詳細的技術分析。敬請期待我們對Galaxy Watch 7內部結構的深入分析，我們將揭示這款設備在智能手表領域脫穎而出的原因。? Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000處理器。這款最新的Exyn
- 關鍵字： 三星 Galaxy Watch 7 Exynos W1000 處理器 3nm GAA
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