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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> fd-soi:

          fd-soi: 文章 最新資訊

          意法半導體(ST)發(fā)布2013年企業(yè)可持續(xù)發(fā)展報告

          •   橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體公布了2013年可持續(xù)發(fā)展報告(Sustainability Report)。意法半導體連續(xù)17年公布可持續(xù)發(fā)展報告。報告內容全面地介紹意法半導體在2013年實施的可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略、政策和業(yè)績,并例證了可持續(xù)發(fā)展計劃如何在企業(yè)經(jīng)營中發(fā)揮重要作用,為所有的利益相關者創(chuàng)造價值。   意法半導體公司總裁兼首席執(zhí)行官Carlo Bozotti表示:“意法半導體在很早之前就認識到了可持續(xù)發(fā)展的重要性,20年來,可持續(xù)發(fā)展已成為意法半導體核心戰(zhàn)略的
          • 關鍵字: 意法半導體  FD-SOI  可持續(xù)發(fā)展  

          需要更快的速度:CAN FD

          •   CAN FD 到底是什么意思?全雙工?頻域?還是消防局?都不是,實際上它是 CAN 領域的最新技術,F(xiàn)D 代表 Flexible Data-rate(靈活數(shù)據(jù)速率),幾年前由博世公司的一篇白皮書引入該領域,目前已經(jīng)過標準化,成了 ISO11898-1 的更新版本?! 】刂朴蚓W(wǎng)絡 (CAN) 是一個常見的通信協(xié)議及總線,主要用于對微處理器需要通信的分布式應用進行互連。眾所周知,該技術植根于汽車領域。經(jīng)過多年的發(fā)展壯大,它目前可用于工業(yè)控制、現(xiàn)場總線、大型家用電器、航空航天甚至咖啡機等眾多應用。這種協(xié)議層
          • 關鍵字: CAN FD  TI  ISO11898-2  

          Teledyne LeCroy發(fā)布CAN FD串行觸發(fā)和解碼方案,擴展汽車總線測試領導地位

          •   Teledyne LeCroy 今天發(fā)布業(yè)界首個CAN FD觸發(fā)和解碼解決方案,進一步豐富了已有的汽車電子測試工具(CAN, LIN, FlexRay, SENT, MOST 和 BroadR Reach)。CAN FD觸發(fā)和解碼功能可以幫助設計者洞察被測系統(tǒng),將物理層信號和協(xié)議層數(shù)據(jù)同時顯示在一個界面上。CAN FD觸發(fā)功能可以隔離Frame ID、特定數(shù)據(jù)包、remote frames 以及 error frames。解碼功能運用不同顏色的背景疊層,清晰標識出數(shù)據(jù)不同的幀結構,允許用戶快速識別出諸
          • 關鍵字: 力科  CAN FD  Frame ID  

          IBM針對RF芯片代工升級制程技術

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
          • 關鍵字: IBM  RF芯片  代工升級  制程技術  SiGe  SOI  

          Peregrine半導體公司在電子設計創(chuàng)新會議上推出UltraCMOS Global 1射頻前端

          •   Peregrine半導體公司是射頻SOI(絕緣體上硅)技術的創(chuàng)始人、先進的射頻解決方案之先驅,今天,在電子設計創(chuàng)新會議(EDI?CON?2014)上,宣布UltraCMOS?Global1在大中華地區(qū)首次亮相。UltraCMOS?Global?1是行業(yè)中第一個可重構射頻前端(?RFFE?)系統(tǒng)。由于在一塊芯片上集成了射頻前端(RFFE)的所有元件,UltraCMOS?Global?1是單一平臺的設計──?
          • 關鍵字: Peregrine  射頻  SOI  

          非制冷紅外焦平面陣列電路設計

          •   針對SOI二極管型非制冷紅外探測器,設計了一種新型讀出電路(ROIC)。該電路采用柵調制積分(GMI)結構,將探測器輸出電壓信號轉化為電流信號進行積分。設計了虛擬電流源結構,消除線上壓降(IR drop)對信號造成的影響。電路采用0.35μm 2P4M CMOS工藝進行設計,5V電源電壓供電。當探測器輸出信號變化范圍為0~5mV時,讀出電路仿真結果表明:動態(tài)輸出范圍2V,線性度99.68%,信號輸出頻率5MHz,功耗116mW。
          • 關鍵字: 紅外  ROIC  CMOS  SOI  GMI  201404  

          東芝推出智能手機專用射頻天線開關

          • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布開發(fā)出一種帶MIPI?RFFE接口的SP10T射頻天線開關,其插入損耗堪稱智能手機市場業(yè)界最低,尺寸堪稱業(yè)界最小。該產(chǎn)品即日起交付樣品。
          • 關鍵字: 東芝  射頻天線  SOI  

          不懈追尋科技引領智能生活理念

          • 電子技術的變革,讓人們的生活不斷智能化,智能化手機,電視,家居,汽車甚至機器人和人體輔助設備等。意法半導體追尋的理念就是科技引領智能生活,意法半導體執(zhí)行副總裁兼數(shù)字融合事業(yè)部總經(jīng)理GIAN LUCA BERTINO,論述ST在智能電視和智能化家居方面的企業(yè)戰(zhàn)略及技術演進。
          • 關鍵字: ST  機頂盒  多媒體處理器  FD-SOI  

          FD-SOI: 下一代NovaThor平臺的助力器

          • 隨著智能手機功能最近不斷升級演化,消費者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主頻CPU處理器、令人震撼的3D圖形、全高清多媒體和高速寬帶現(xiàn)已成為高端手機的標配。同時,消費者還期望手機纖薄輕盈,電池續(xù)航能力至少
          • 關鍵字: 助力  平臺  NovaThor  下一代  FD-SOI:  

          下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm

          •   在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術研討會上,產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示, FD-SOI 制程技術藍圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點,直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。   根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出,14nm FD-SOI技術問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當,而兩者的性能表現(xiàn)差不多,F(xiàn)
          • 關鍵字: ST  FD-SOI  10nm  

          ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI

          •   12月13日,意法半導體宣布其在28納米 FD-SOI 技術平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步,即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術,這證明了意法半導體以28納米技術節(jié)點提供平面全耗盡技術的能力。在實現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時,而不犧牲電池的使用壽命的情況下,嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗,意法半導體28納米技術的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn),滿足多媒體和便攜應用市場的需求。   FD-SOI技術平臺包括全功能且經(jīng)過硅驗證的設計平臺和設
          • 關鍵字: ST  晶圓  FD-SOI  

          意法宣布晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI制程技術

          • 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布其在28納米 FD-SOI技術平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步,即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術,這證明了意法半導體以28納米技術節(jié)點提供平面全耗盡技術的能力。
          • 關鍵字: 意法  納米  FD-SOI  

          華潤上華第二代200V SOI工藝實現(xiàn)量產(chǎn)

          •   華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布,繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后,日前更高性價比的第二代SOI工藝實現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導體器件的集成電路制造技術,由華潤上華在2010年實現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎上作了工藝升級,達到更高的性價比,這在國內尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術,具備了根據(jù)市場需求持續(xù)開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權的SOI工藝技術能力。
          • 關鍵字: 華潤微電子  半導體  SOI  

          華潤上華200V SOI工藝開發(fā)持續(xù)創(chuàng)新,產(chǎn)品再上新臺階

          • 華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布,繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后,日前更高性價比的第二代SOI工藝實現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導體器件的集成電路制造技術,由華潤上華在2010年實現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎上作了工藝升級,達到更高的性價比,這在國內尚屬首家。
          • 關鍵字: 華潤上華  SOI   CDMOS  

          意法委托GLOBALFOUNDRIES代工FD-SOI芯片

          • 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布,引領全球半導體技術升級的半導體代工廠商 GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導體專有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator,全耗盡絕緣體上硅)技術為意法半導體制造28納米和20納米芯片。當今的消費者對智能手機和平板電腦的期望越來越高,要求既能處理精美的圖片,支持多媒體和高速寬帶上網(wǎng)功能,同時又不能犧牲電池壽命。在設
          • 關鍵字: 意法  芯片  FD-SOI  
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