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芯片侵權(quán)確鑿被罰專(zhuān)利大鱷高通終食苦果

　　經(jīng)常靠打?qū)＠偎绢l頻獲得利益的高通公司，這一次實(shí)在想不到，自己也會(huì)在專(zhuān)利官司中敗下陣來(lái)! 　　2007年11月26日，美國(guó)芯片制造商博通(Broadcom)公司表示，法官已確認(rèn)高通侵害其3項(xiàng)專(zhuān)利權(quán)的陪審團(tuán)裁決。　　據(jù)了解，博通表示將接受來(lái)自高通的1960萬(wàn)美元專(zhuān)利損害賠償費(fèi)，并要求法院頒布禁令，禁止高通開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、使用及銷(xiāo)售基于這3項(xiàng)專(zhuān)利的WCDMA和EV-DO手機(jī)芯片。　　早在2007年8月份，美國(guó)聯(lián)邦地方法院法官詹姆斯
關(guān)鍵字： WCDMA EV-DO 芯片嵌入式

　　據(jù)最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，截止2007年11月，全球3G用戶(hù)已突破5.3億。而以此速度發(fā)展，預(yù)計(jì)到2010年，3G手機(jī)出貨量將超過(guò)2G手機(jī)。　　3G在全球發(fā)展迅猛，截止2007年11月，全球3G用戶(hù)已突破5.3億，其中3.7億為CDMA2000/EV—DO用戶(hù)，1.6億為WCDMA的用戶(hù)。　　　包括EV—DO和HSPA的寬帶移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)在內(nèi)的3G網(wǎng)絡(luò)目前可以覆蓋全球超過(guò)10億人口。　　鑒于3G網(wǎng)絡(luò)對(duì)下行和上行的大量數(shù)據(jù)傳輸都有良好地支持，使得全球手機(jī)用戶(hù)成為消費(fèi)電子的最主流。據(jù)統(tǒng)計(jì)，筆記本電腦目前在全球
關(guān)鍵字：通訊無(wú)線(xiàn) 網(wǎng)絡(luò) 3G EV—DO HSPA 無(wú)線(xiàn) 通信

摘要：以PM200DSA060型智能功率模塊(IPM)為例，介紹IPM的結(jié)構(gòu)，給出。IPM的外圍驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路和緩沖電路的設(shè)計(jì)方案，介紹PM200DSA060在單相逆變器中的應(yīng)用。關(guān)鍵詞：IPM：電路設(shè)計(jì)；PM200DSA060；逆變器 1 引言智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開(kāi)關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無(wú)須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點(diǎn)在電力電子領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。以PM
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) IPM 電路設(shè)計(jì) PM200DSA060 模擬IC 電源

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： 3G 基站 IP WDM 光纖 WCDMA CDMA2000 ASON 以太網(wǎng) SDH 分組交換 ATM TDM EV-DO 接入網(wǎng) 無(wú)線(xiàn)接入城域網(wǎng) MSTP 信令骨干網(wǎng)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：基站直放站手機(jī) IP FDD 3GPP2 ITU CDMA20001X EV-DO QoS

1 引言智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開(kāi)關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無(wú)須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點(diǎn)在電力電子領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應(yīng)用電路設(shè)計(jì)和在單相逆變器中的應(yīng)用。 2 IPM的結(jié)構(gòu) IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門(mén)級(jí)驅(qū)動(dòng)器及保護(hù)電路構(gòu)成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
關(guān)鍵字： IPM MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模塊

摘要：本文主要介紹一個(gè)由RC和或門(mén)電路組成的延遲電路在一變頻控制中的應(yīng)用，解決了原有芯片死區(qū)時(shí)間不確定的問(wèn)題。關(guān)鍵詞：延遲電路；IPM；死區(qū)時(shí)間變頻控制死區(qū)時(shí)間簡(jiǎn)介熟悉IPM(Inteligent Power Module)工作原理的工程師都知道，控制IPM工作的六路PWM信號(hào)，在導(dǎo)通時(shí)序上，控制同一通道的上下兩路信號(hào)不能出現(xiàn)同時(shí)導(dǎo)通的情況，如圖1所示。也就是說(shuō)同一橋臂的兩個(gè)IGBT不能同時(shí)導(dǎo)通，如果同時(shí)導(dǎo)通，輕則引起IPM的工作保護(hù)，造成停機(jī)，重則將IPM模塊擊
關(guān)鍵字： IPM 死區(qū)時(shí)間延遲電路