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          TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊
          
                                                            
            
                    	
          • 　　近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內(nèi)的一個高頻驅(qū)動器和兩個采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計。如需了解更多信息，敬請訪問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。
　　全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉(zhuǎn)換解決方案的市場化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。
　　TI高壓電源
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          • 關(guān)鍵字：
                        德州儀器  GaN                          
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          英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，雙雙推出常閉型600V GaN功率器件
          
                                                            
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節(jié)。
　　作為新一代化合物半導體技術(shù)，硅基板Ga
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          • 關(guān)鍵字：
                        英飛凌  GaN                          
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          英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN技術(shù)
          
                                                            
            
                    	
          • 　英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN器件，將松下的增強型GaN材料技術(shù)與英飛凌的SMD封裝技術(shù)相結(jié)合。
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          • 關(guān)鍵字：
                        英飛凌  松下  GaN                          
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          GaN在射頻功率領(lǐng)域會所向披靡嗎？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應用都表現(xiàn)出色!帥呆了!
　　至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風格的GaN：硅基、碳化硅(S
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          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  射頻                          
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          導入Cascode結(jié)構(gòu)　GaN FET打造高效率開關(guān)
          
                                                            
            
                    	
          • 為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導體業(yè)者無不積極研發(fā)經(jīng)濟型高性能功率場效應電晶體（FET）；其中，采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
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          • 關(guān)鍵字：
                        Cascode  GaN  場效應管                          
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          英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時尚早
          
                                                            
            
                    	
          • GaN被認為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時候，因它還有很多未被探索出來的部分。
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          • 關(guān)鍵字：
                        GaN.功率元件                          
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          新一代SiC和GaN功率半導體競爭激烈
          
                                                            
            
                    	
          • 　　與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。

　　SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
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          • 關(guān)鍵字：
                        SiC  GaN                          
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          元件開發(fā)競爭激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足
          
                                                            
            
                    	
          • 　　與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。

　　SiC功率半導體方面，在柵極設有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進一步降低損耗。導通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
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          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  功率半導體                          
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          解讀GaN on GaN LED破效率與成本“魔咒”
          
                                                            
            
                    	
          • 發(fā)光二極體(LED)的發(fā)光效率遠高于傳統(tǒng)光源，耗電量僅約同亮度傳統(tǒng)光源的20%，并具有體積小、壽命長、效率高、不...
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          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  on  GaN  LED                            
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          功率半導體的革命：SiC與GaN的共舞（二）
          
                                                            
            
                    	
          • GaN和SiC將區(qū)分使用　　2015年，市場上或許就可以穩(wěn)定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時GaN類功率元件 ...
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          • 關(guān)鍵字：
                        功率  半導體  SiC  GaN                          
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          應變工程項目大幅提高了綠色LED的光輸出
          
                                                            
            
                    	
          • 中國科學院近日發(fā)布的一份報告稱，中國研究人員利用應變工程已將150mA的電流注入了530nm發(fā)光的二極管（LED），光的...
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          • 關(guān)鍵字：
                        LED    GaN    MOCVD                          
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          Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢分析
          
                                                            
            
                    	
          • 2013年9月5日，首屆“第三代半導體材料及應用發(fā)展國際研討會”在深圳成功召開，來自中科院半導體研究所、南...
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          • 關(guān)鍵字：
                        Si基  GaN  功率器件                          
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          大尺寸磊晶技術(shù)突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解
          
                                                            
            
                    	
          • 近年來氮化鎵（GaN）系列化合物半導體材料已被證實極具潛力應用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學儲存系統(tǒng)、高頻 ...
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          • 關(guān)鍵字：
                        大尺寸  磊晶技術(shù)  GaN-on-Si  基板破裂                          
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          硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實現(xiàn)高性價比照明
          
                                                            
            
                    	
          • 傳統(tǒng)的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因為這兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
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          • 關(guān)鍵字：
                        GaN    LED    光萃取技術(shù)                          
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          功率器件的利器 GaN
          
                                                            
            
                    	
          • 　　GaN是什么?
　　什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學元素來解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結(jié)構(gòu)，為直接帶隙半導體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質(zhì)量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學氣相淀積法制備。
　　GaN材料的研究與應用是全球半導體研究的熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被
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          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  功率器件                          
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