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在LTspice仿真中使用GaN FET模型
- 近年來，工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關(guān)頻率下實現(xiàn)高功率密度，而MOSFET在相同條件下運行時會產(chǎn)生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯(lián)MOSFET并不能節(jié)省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術(shù)。業(yè)界對GaN器件性能表現(xiàn)的關(guān)注，相應(yīng)地催生了對各種GaN器件進行準確仿真以優(yōu)化應(yīng)用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對GaN FET驅(qū)動進行了優(yōu)化。借助
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GaN成AI服務(wù)器電源芯片競爭焦點，未來應(yīng)用潛力巨大
- 據(jù)相關(guān)報道，隨著NVIDIA宣布AI服務(wù)器進入800V高電壓供電時代，功率半導體領(lǐng)域迎來了新的技術(shù)競爭。氮化鎵（GaN）作為寬能隙半導體的重要代表，正成為市場關(guān)注的核心。近年來，多家企業(yè)積極投入GaN技術(shù)的研發(fā)，使其應(yīng)用范圍從傳統(tǒng)的消費性市場逐步拓展到高電壓場景。盡管GaN目前在快速充電領(lǐng)域仍占據(jù)主導地位，但其在車用功率模塊和AI服務(wù)器中的表現(xiàn)也日益受到重視。部分廠商甚至已開發(fā)出適用于1,000V以上環(huán)境的GaN技術(shù)，展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。歐系廠商指出，GaN相比碳化硅（SiC）更易于與傳統(tǒng)矽材料整合，這
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Power Integrations發(fā)布新技術(shù)白皮書，深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1250V和1700V PowiGaN技術(shù)
- 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日發(fā)布一份新的技術(shù)白皮書，詳解其PowiGaN?氮化鎵技術(shù)能為下一代AI數(shù)據(jù)中心帶來的顯著優(yōu)勢。這份白皮書發(fā)布于圣何塞舉行的2025年開放計算項目全球峰會(2025 OCP Global Summit)，其中介紹了1250V和1700V PowiGaN技術(shù)適用于800VDC供電架構(gòu)的功能特性。峰會上，NVIDIA還就800VDC架構(gòu)的最新進展進行了說明。Power Integrations正與NVIDIA合作，加速推動向8
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Imec推出300mm GaN計劃以驅(qū)動下一代功率器件
- Imec 啟動了一項新的開放式創(chuàng)新計劃，專注于用于低壓和高壓電力電子的 300mm GaN 技術(shù)。該計劃旨在提高氮化鎵器件性能，同時降低制造成本，標志著功率半導體行業(yè)向前邁出了重要一步。對于eeNews Europe的讀者來說，尤其是電力電子、半導體和代工生態(tài)系統(tǒng)的讀者，這一發(fā)展凸顯了向300毫米氮化鎵晶圓加工的關(guān)鍵轉(zhuǎn)變，這可能會加速氮化鎵在汽車、數(shù)據(jù)中心和可再生能源應(yīng)用中的采用。將氮化鎵擴展到 300 毫米，以提高性能和成本效益300mm GaN 計劃是 imec GaN
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納芯微攜手聯(lián)合電子與英諾賽科，共創(chuàng)新能源汽車功率電子新格局
- 2025年9月29日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡稱：納芯微）、聯(lián)合汽車電子有限公司（以下簡稱：聯(lián)合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱：英諾賽科）共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。三方將聚焦新能源汽車功率電子系統(tǒng)，聯(lián)合研發(fā)智能集成氮化鎵（GaN）相關(guān)產(chǎn)品。全新開發(fā)的智能GaN產(chǎn)品將依托三方技術(shù)積淀，提供更可靠的驅(qū)動及GaN保護集成方案，進一步提升系統(tǒng)功率密度。三方還將協(xié)同推動相關(guān)解決方案的產(chǎn)業(yè)化落地，助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展與價值提升。簽約儀式現(xiàn)場合影見證代表：圖中：聯(lián)合電子副總經(jīng)理 郭曉
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技術(shù)干貨 | 采用 GaN 的 Cyclo 轉(zhuǎn)換器如何幫助優(yōu)化微型逆變器和便攜式電源設(shè)計
- 摘要微型逆變器和便攜式電源的普及度持續(xù)增長，部分原因是人們對更具可持續(xù)性且靈活的電源解決方案的需求不斷增加。隨著最近推出陽臺型逆變器（該產(chǎn)品將微型逆變器與小型電池儲能系統(tǒng)結(jié)合在一起），這兩種技術(shù)的普及率可能會進一步提升。本技術(shù)文章概述了一種新型單級轉(zhuǎn)換器（稱為“cyclo 轉(zhuǎn)換器”），它使微型逆變器和便攜式電源的實施更加高效，體積更小，同時還降低了成本。簡介微型逆變器中的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)通常采用兩級式設(shè)計，如圖 1 所示。圖 1：微型逆變器兩級拓撲在這種方案中，首先是一個直流/直流級（反激式或推挽式升壓級），
- 關(guān)鍵字： 202509 德州儀器 GaN Cyclo 微型逆變器 便攜式電源
SiC和GaN技術(shù)重塑電力電子行業(yè)前景
- 電力電子行業(yè)將進入增長的最后階段，預計到 2025 年評估市場價值將達到 517.3 億美元，到 2030 年將達到 674.2 億美元。5.4% 的穩(wěn)定復合年增長率源于對能源效率、可再生能源集成和半導體先進技術(shù)的需求穩(wěn)步增長。增長動力：市場的積極勢頭源于相互關(guān)聯(lián)的現(xiàn)象：清潔能源勢在必行隨著世界試圖實現(xiàn)碳中和，包括太陽能光伏和風電場在內(nèi)的可再生能源系統(tǒng)將成為主流。因此，電力電子設(shè)備被用于這些系統(tǒng)，以實現(xiàn)高效的能源轉(zhuǎn)換、電網(wǎng)集成和實時管理。交通電氣化隨著電動汽車和混合動力汽車不再被視為小眾市場，現(xiàn)在對高性能
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無需鉗位電路實現(xiàn)動態(tài)導通電阻RDS(on)的測量技術(shù)
- _____動態(tài)導通電阻（RDS(on)）是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員理解電荷俘獲效應(yīng)影響的重要參數(shù)。然而，關(guān)于其測量技術(shù)的知識體系仍相對較新。傳統(tǒng)的動態(tài)RDS(on)測量技術(shù)依賴于二極管鉗位電路，使示波器能夠以足夠的分辨率測量漏源電壓，而不會使示波器輸入過載。泰克為4、5和6系列MSO示波器推出的寬禁帶雙脈沖測試（WBG-DPT）測量軟件引入了一種新的軟件鉗位方法，采用獨特的雙探頭技術(shù)，無需使用鉗位電路。測量動態(tài)RDS(on)的挑戰(zhàn)動態(tài)RDS(on)是指FET在開關(guān)過程中導通時，漏極與源極端子之間的平均電阻。漏源
- 關(guān)鍵字： 動態(tài)導通電阻 RDS(on)測量 泰克 GaN Tektronix
GaN市場，蓄勢待發(fā)
- GaN 是近日半導體市場的熱點詞匯之一。
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采用GaN的Cyclo轉(zhuǎn)換器如何幫助優(yōu)化微型逆變器和便攜式電源設(shè)計
- 1.簡介微型逆變器中的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)通常采用兩級式設(shè)計，如圖 1-1 所示。圖1-1 微型逆變器兩級拓撲在這種方案中，首先是一個直流/直流級（反激式或推挽式升壓級），然后是另一個交流/直流級（自換向交流/直流或圖騰柱 PFC），將光伏電池板提供的直流電轉(zhuǎn)換為通常在 400VDC 左右的臨時直流總線。然后，根據(jù)國家或地區(qū)的電網(wǎng)情況，將直流總線轉(zhuǎn)換為交流電壓 (110VAC..230VAC)。功率級別過去通常在 300-400W 之間，但最近也出現(xiàn)了每個輸入功率高達 600W 以及多輸入系統(tǒng)的實施。微型逆變器傳
- 關(guān)鍵字： 2202509 GaN Cyclo轉(zhuǎn)換器 微型逆變器 便攜式電源設(shè)計 德州儀器
單片集成 GaN 功率 IC 如何提高功率密度并減少元件數(shù)量？
- 與傳統(tǒng)硅芯片相比，單片集成 GaN 功率 IC 具有顯著優(yōu)勢，包括卓越的效率、更小的尺寸、更高的速度和更低的成本。GaN 的特別之處在于其天然特性，例如更高的臨界電場、更低的導通電阻和更小的寄生電容。半導體工程師現(xiàn)在正在采用一種稱為單片集成的智能方法，該方法涉及將所有電路組件構(gòu)建在單個芯片上，而不是連接單獨的部件。工程師通常在稱為硅基氮化鎵或 SOI 基氮化鎵晶圓的專用平臺上構(gòu)建這些系統(tǒng)，這些平臺是構(gòu)建在其之上的其他一切的基礎(chǔ)。圖 1.GaN功率IC的單片集成方法：（a）從供體晶圓到最終金屬柵極形成的完整
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瑞薩電子通過下一代功率FET將GaN推向千瓦級
- 幾十年來，硅一直是電力電子領(lǐng)域無可爭議的領(lǐng)導者。但隨著硅達到其性能極限，氮化鎵 （GaN） 功率器件正在取得進展。憑借更快的開關(guān)速度和更高的效率，氮化鎵已經(jīng)在消費類快速充電器中發(fā)揮了重大作用，與硅相比，實現(xiàn)了系統(tǒng)級成本、空間和功耗節(jié)省。然而，盡管具有所有功率處理特性，但基于氮化鎵的橫向高電子遷移率晶體管 （HEMT） 一直在努力進入千瓦級功率設(shè)計。瑞薩電子正試圖通過其最新的高壓氮化鎵功率 FET 來改變這一現(xiàn)狀，該 FET 專為要求苛刻的系統(tǒng)而設(shè)計，從數(shù)據(jù)中心的 AI 服務(wù)器電源和不間斷電源 （
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從IGBT到GaN：10kW串式逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要點與性能優(yōu)勢解析
- 隨著全球?qū)δ茉纯沙掷m(xù)性與安全性的關(guān)注升溫，住宅太陽能儲能系統(tǒng)需求持續(xù)攀升。當前市場上，2kW級微型逆變器已實現(xiàn)集成儲能功能，而更高功率場景則需依賴串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設(shè)計，探討其技術(shù)優(yōu)勢與核心設(shè)計要點，為住宅太陽能應(yīng)用提供高能效、高密度的解決方案參考?；旌洗侥孀兤骷軜?gòu)：從模塊到系統(tǒng)典型的混合串式逆變器通過穩(wěn)壓直流母線互聯(lián)各功能模塊（圖1），核心子系統(tǒng)包括：●單向DC/DC轉(zhuǎn)換器：執(zhí)行光伏最大功率點跟蹤（MPPT），優(yōu)化能量捕獲；●雙向DC/
- 關(guān)鍵字： TI IGBT GaN 串式逆變器
GaN如何讓光伏充電控制器更高效更小巧？TI給出答案
- 在光伏系統(tǒng)中，充電控制器的效率與體積直接影響太陽能利用率和安裝成本。傳統(tǒng)設(shè)計多采用MOSFET方案，而德州儀器（TI）推出的中壓GaN器件LMG2100，通過集成驅(qū)動與電源環(huán)路優(yōu)化，為光伏充電控制器帶來了效率、尺寸與成本的全面突破。電子電氣設(shè)備快速發(fā)展，需要提供的功率比以往任何時候都大得多。對于許多家庭來說，要縮減電費支出或助力實現(xiàn)綠色可持續(xù)的未來，太陽能都是不錯的選擇，而半導體在其中發(fā)揮著重要作用。適用于光伏應(yīng)用的緊湊型高效電源轉(zhuǎn)換器既能幫助用戶減少室內(nèi)占用面積，又能節(jié)省成本。氮化鎵 (GaN
- 關(guān)鍵字： TI GaN 光伏充電控制器
第三代半導體洗牌GaN躍居主角
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報告指出，第三代半導體產(chǎn)業(yè)競爭日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺、航空航天、AI運算等應(yīng)用領(lǐng)域快速崛起。拓墣預估，2025年全球GaN功率半導體市場規(guī)模將達7.5億美元，年增率高達62.7%，至2030年將擴大至43.8億美元，年復合成長率（CAGR）達42.3%。GaN組件具備優(yōu)異電性能與高可靠性，除了主流通訊以及工業(yè)應(yīng)用外，也加速滲透至智慧城市、無線充電與醫(yī)療設(shè)備等新興場景。隨中國大陸等地積極推動產(chǎn)業(yè)自主，全球GaN供應(yīng)鏈本土化進程加速，各國
- 關(guān)鍵字： 第三代半導體 GaN 拓墣產(chǎn)業(yè)研究院 SiC
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