ddr5 dram 文章 最新資訊
三星宣布其全球最大半導體生產(chǎn)線開始量產(chǎn)16Gb LPDDR5 DRAM
- 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當下最高的移動產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業(yè)提升到了一個新的門檻，克服了先進節(jié)點下DRAM擴展的主要發(fā)展障礙。"三星電子DRAM產(chǎn)品與技術執(zhí)行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號線占地超過128900平方米，相當于約16個足球場，是迄今為止全
- 關鍵字： 三星 LPDDR5 DRAM
7nm、24核心、DDR5、PCIe 4.0：Intel一下子都有了！
- 早在2019年初的CES大展上，Intel就宣布了基于10nm工藝、面向5G無線基站的Snow Ridge SoC處理器，直到今年2月底才正式發(fā)布，定名凌動Atom P5900，但沒有公布具體規(guī)格。根據(jù)最新消息，Snow Ridge的繼任者代號為“Grand Ridge”，而這次，詳細的規(guī)格參數(shù)提前一覽無余。Grand Ridge將采用7nm工藝制造，BGA封裝面積47.5×47.5平方毫米，而且特別強調(diào)是Intel自家的7nm HLL+工藝，這意味著它可能要到2023年才會面世。但等待是值得的，除了先進
- 關鍵字： 7nm 24核心 DDR5 PCIe 4.0 Intel
第四代低功耗動態(tài) DRAM 與其延展版的車輛應用解決方案
- 日本計劃在東京奧運會上展示無人駕駛技術，展現(xiàn)了近年來汽車智能化的成果。隨著5G技術與人工智能（ AI）的發(fā)展，車載通訊技術已慢慢從早期的娛樂影音播放以及導航系統(tǒng)，發(fā)展到現(xiàn)在的深度學習與車聯(lián)網(wǎng)（ V2X），并朝著無人駕駛的目標前進。而實現(xiàn)此目標的關鍵因素正是半導體。目前，先進駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）是車載通訊中最普遍的應用之一，它包含不同的子功能主動式巡航控制、自動緊急煞車、盲點偵測以及駕駛人監(jiān)控系統(tǒng)等。車輛制造商一直試著添加更多主動式安全保護，以達到無人駕駛的最終目標。因此，越來越多的半導體產(chǎn)商與車輛制造
- 關鍵字： ADAS NOR DRAM AI V2X EM
DDR5內(nèi)存標準確定，中國企業(yè)的標準沒能入選
- 都說一流的企業(yè)定標準，可見能夠參與制定標準的企業(yè)，都是最頂尖的企業(yè)，所以我們能夠看到每當一項國際標準出爐時，各國的企業(yè)們都是打破頭的想把自己的標準定為國標標準。比如大家最熟悉的通信標準制定，從1G到5G標準的確定，那可是一項波瀾壯闊的通信技術競爭史，也是中國通信技術的崛起史。而不久前，跳票了近2年時間之后，JEDEC終于確定了JESD79-5 DDR5 SDRAM標準，這也是一項國際標準，有利于內(nèi)存企業(yè)們盡快推出自己的DDR5內(nèi)存。但與DDR4標準有中國企業(yè)參與不同，瀾起科技在DDR4F時代，發(fā)明的DDR
- 關鍵字： DDR5 內(nèi)存標準
KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統(tǒng)
- 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規(guī)光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構架，針對研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問題而開發(fā)出了多項突破性技術，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
- 關鍵字： DRAM NAND
PC 新時代！DDR5 內(nèi)存規(guī)范正式發(fā)布：最高速度達 6.4Gbps，單芯片密度達 64Gbit
- 作為計算機內(nèi)存發(fā)展的重要里程碑，JEDEC固態(tài)技術協(xié)會發(fā)布了下一個主流內(nèi)存標準DDR5 SDRAM的最終規(guī)范。DDR5是DDR標準的最新迭代，DDR5再次擴展了DDR內(nèi)存的功能，將峰值內(nèi)存速度提高了一倍，同時也大大增加了內(nèi)存容量。基于新標準的硬件預計將于2021年推出，先從服務器層面開始采用，之后再逐步推廣到消費者PC和其他設備。外媒anandtech報道，和之前的每一次DDR迭代一樣，DDR5的主要關注點再次放在提高內(nèi)存密度以及速度上。JEDEC希望將這兩方面都提高一倍，最高內(nèi)存速度將達到6.4Gbps
- 關鍵字： PC DDR5 內(nèi)存
DDR5 內(nèi)存標準來了：頻率、帶寬提升，功耗降低
- 去年下半年開始，使用 LPDDR5 內(nèi)存的手機陸續(xù)發(fā)布。雖然用于電腦的 DDR5 內(nèi)存與用于手機的 LPDDR5 并不相同，但這也讓許多 DIY 玩家期待 DDR5 內(nèi)存的到來，那么它今天真的來了。JEDEC 固態(tài)技術協(xié)會最初計劃在 2018 年公布 DDR5 SDRAM 最終規(guī)范，但是很顯然跳票了。兩年后的今天，新規(guī)范正式公布，同時各大內(nèi)存廠商也表示基于新規(guī)范的內(nèi)存產(chǎn)品最快年內(nèi)就能進行量產(chǎn)，不過一開始會用在服務器上，后來才是家用 PC 以及其他設備。本次的新標準主要提升了內(nèi)存密度和頻率，其中
- 關鍵字： DDR5 內(nèi)存
國產(chǎn)DRAM內(nèi)存抱團發(fā)展 合肥長鑫與3家公司合作
- 6月6日，長三角一體化發(fā)展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行，合肥長鑫與蘇州瑞紅電子化學品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設。2019年國內(nèi)存儲芯片取得了兩個突破——長江存儲的3D閃存、合肥長鑫的DRAM內(nèi)存雙雙量產(chǎn)，其中內(nèi)存國產(chǎn)化的意義更重要一些，畢竟這個市場主要就是美日兩大陣營主導，門檻太高。合肥長鑫的12英寸內(nèi)存項目總計投資高達1500億，去年底量產(chǎn)了1Xnm級別（具體大概是19nm）的內(nèi)存芯片，可以供應DDR4
- 關鍵字： 國產(chǎn) DRAM 內(nèi)存 合肥長鑫
南亞科：視歐美疫情定市場 10納米級產(chǎn)品試產(chǎn)
- 存儲器大廠南亞科28日召開年度股東常會，會中董事長吳嘉昭對于近期的產(chǎn)業(yè)狀況發(fā)表看法，指出2020年上半年DRAM市場的需求較2019年同期有小幅度的成長，其主要原因是受惠于異地工作、遠端教育、視頻會議等各項需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因為各項不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續(xù)的觀察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿(mào)易戰(zhàn)導致的關稅問題，使得供應鏈面臨調(diào)整，加上全球經(jīng)濟放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導致DRAM需求減少，使得平均銷貨較2018年減少超過45%，也使得南亞科在2019年
- 關鍵字： 存儲器 10nm 南亞科 DRAM
Intel拍胸脯：DDR5、PCIe 5.0明年見！
- 因為種種原因,Intel的產(chǎn)品規(guī)劃這兩年調(diào)整非常頻繁,路線圖經(jīng)常出現(xiàn)變動,無論是消費級還是企業(yè)級。在近日與投資者溝通時,Intel公關總監(jiān)Trey Campbell就保證說,將在今年第二季度末(最遲至6月底)發(fā)布代號Ice Lake-SP的下一代至強服務器平臺,明年某個時候則會帶來Sapphire Rapids。Ice Lake-SP將采用和移動端Ice Lake-U/Y系列相同的10nm工藝、Sunny Cove CPU架構,并更換新的LGA4189封裝接口,核心數(shù)量和頻率暫時不詳(據(jù)說最多38核心),
- 關鍵字： 英特爾 CPU處理器 服務器 DDR5 至強 PCIe 5.0 Sapphire Rapids
SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范：頻率高達8400MHz、今年量產(chǎn)
- 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標準的最終細節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細節(jié)公之于眾。簡單來說,DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳(廠商一般都會從4800MHz出貨)、最高可達8400MHz(時序瑟瑟發(fā)抖……)。核心容量密度方面,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說,DDR5時代單條內(nèi)存最大可到128GB。其它參數(shù)也均有明顯改進,兩個關鍵電壓VDD/VDDq和VPP分別從1.2V、2.5V將至1.1V、1.8V,可進一步緩解
- 關鍵字： 內(nèi)存 SK海力士 DDR5
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