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asic 制造
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什么是電磁干擾(EMI)
- (Electromagnetic Interference),有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。傳導(dǎo)干擾是指通過(guò)導(dǎo)電介質(zhì)把一個(gè)電網(wǎng)絡(luò)上的信號(hào)耦合(干擾)到另一個(gè)電網(wǎng)絡(luò)。輻射干擾是指干擾源通過(guò)空間把其信號(hào)耦合(干擾)到另一個(gè)電網(wǎng)絡(luò)。在高速PCB及系統(tǒng)設(shè)計(jì)中,高頻信號(hào)線(xiàn)、集成電路的引腳、各類(lèi)接插件等都可能成為具有天線(xiàn)特性的輻射干擾源,能發(fā)射電磁波并影響其他系統(tǒng)或本系統(tǒng)內(nèi)其他子系統(tǒng)的正常工作。
- 關(guān)鍵字: 電磁干擾 元件 制造
可編程SoC(SoPC)
- SOPC ( System on a Programmable Chip,片上可編程系統(tǒng))是以PLD(可編程邏輯器件)取代ASIC(專(zhuān)用集成電路),更加靈活、高效的技術(shù)SOC (System On Chip)解決方案。SOPC代表一種新的系統(tǒng)設(shè)計(jì)技術(shù),也是一種初級(jí)的軟硬件協(xié)同設(shè)計(jì)技術(shù)。 與 SOC 技術(shù)相比,集成電路只有安裝在整機(jī)系統(tǒng)中才能發(fā)揮它的作用。IC芯片是通過(guò)印刷電路板(PCB
- 關(guān)鍵字: 可編程 SoC SoPC 片上系統(tǒng) SoC ASIC
前三季臺(tái)灣電子零組件產(chǎn)值小幅增長(zhǎng)9%
- 工研院IEK針對(duì)2007年前三季臺(tái)灣電子零組件產(chǎn)業(yè)發(fā)表研究報(bào)告指出,2007第一季至第三季臺(tái)灣電子零組件海內(nèi)外產(chǎn)值為新臺(tái)幣5,280億元,比2006年同期增長(zhǎng)9%,其中化合物半導(dǎo)體組件產(chǎn)值新臺(tái)幣429億元;被動(dòng)組件產(chǎn)值新臺(tái)幣867億元;印刷電路板產(chǎn)值新臺(tái)幣2,511億元;連接組件產(chǎn)值新臺(tái)幣939億元;能源組件產(chǎn)值新臺(tái)幣533億元。 IEK指出,2007第一季至第三季臺(tái)灣化合物半導(dǎo)體組件產(chǎn)值達(dá)新臺(tái)幣429億元,比去年同期增長(zhǎng)17%,其中以L(fǎng)ED為主要增長(zhǎng)動(dòng)力。2007年在手機(jī)用白光LED市場(chǎng)占有率
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) PCB TFT-LCD 半導(dǎo)體 元件 制造
點(diǎn)評(píng)時(shí)下流行的高功效降壓轉(zhuǎn)換器
- 電源效率常常是決定當(dāng)今消費(fèi)電子產(chǎn)品成敗的驅(qū)動(dòng)因素。由于功效決定了設(shè)備在兩次充電之間的工作時(shí)間長(zhǎng)度,因此在用戶(hù)對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的感知中起著非常重要的作用。 在便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品的功率預(yù)算中,高效率降壓轉(zhuǎn)換器起著其他IC不可比擬的作用。一般用來(lái)向內(nèi)核微控制器、I/O和其他子系統(tǒng)供電的降壓(或稱(chēng)Buck)轉(zhuǎn)換器,可將平均3.6V的鋰離子電源降低至大多數(shù)控制器和外圍器件所要求的2.5V或1.1V。 由于電池的使用壽命對(duì)終端產(chǎn)品的市場(chǎng)成功起著重要作用,整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的高效率已經(jīng)成為當(dāng)今降壓轉(zhuǎn)換器的一個(gè)日益
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 控制器 轉(zhuǎn)換器 GPS 元件 制造
器件的散熱
- 1、 散熱的原理與重要性 各種功率器件的核心是PN結(jié),而PN結(jié)的性能與溫度密切相關(guān)。為了保證器件正常工作,必須規(guī)定最高允許結(jié)溫TjM。當(dāng)器件流過(guò)較大的電流時(shí),在芯片上產(chǎn)生相應(yīng)的功率損耗,引起芯片溫度增加,與最高結(jié)溫對(duì)應(yīng)的器件耗散功率即為器件的最大允許耗散功率。器件正常工作時(shí)不應(yīng)超過(guò)最高結(jié)溫和功率的最大允許值,否則,器件特性將要發(fā)生變化,甚至導(dǎo)致器件產(chǎn)生永久性的損壞現(xiàn)象。 芯片溫度的高低與器件內(nèi)部功耗的大小、芯片到外界環(huán)境的傳熱條件(傳熱機(jī)構(gòu)、材料、冷卻方式等)及環(huán)境溫度有關(guān)。設(shè)法減小器件的內(nèi)部
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電力電子器件的緩沖電路
- 1、 緩沖電路的作用與基本類(lèi)型 電力電子器件的緩沖電路(snubber circuit)又稱(chēng)吸收電路,它是電力電子器件的一種重要的保護(hù)電路,不僅用于半控型器件的保護(hù),而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的應(yīng)用技術(shù)中起著重要的作用。 晶閘管開(kāi)通時(shí),為了防止過(guò)大的電流上升率而燒壞器件,往往在主電路中串入一個(gè)扼流電感,以限制過(guò)大的di/dt,串聯(lián)電感及其配件組成了開(kāi)通緩沖電路,或稱(chēng)串聯(lián)緩沖電路。晶閘管關(guān)斷時(shí),電源電壓突加在管子上,為了抑制瞬時(shí)過(guò)電壓和過(guò)大的電壓上升率,以
- 關(guān)鍵字: 電子器件 緩沖電路 元件 制造
使用ISE設(shè)計(jì)工具優(yōu)化FPGA的功耗
- 自從Xilinx公司推出FPGA二十多年來(lái),研發(fā)工作大大提高了FPGA的速度和面積效率,縮小了FPGA與ASIC之間的差距,使FPGA成為實(shí)現(xiàn)數(shù)字電路的優(yōu)選平臺(tái)。今天,功耗日益成為FPGA供應(yīng)商及其客戶(hù)關(guān)注的問(wèn)題。 降低FPGA功耗是降低封裝和散熱成本、提高器件可靠性以及打開(kāi)移動(dòng)電子設(shè)備等新興市場(chǎng)之門(mén)的關(guān)鍵。 Xilinx在提供低功耗FPGA解決方案方面較有經(jīng)驗(yàn)。本文說(shuō)明如何應(yīng)用計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)(CAD)技術(shù),如Xilinx ISE(集成軟件環(huán)境)9.2i版本軟件使功能有效降低。 CM
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) Xilinx FPGA ASIC
電源管理和MOSFET推動(dòng)中國(guó)功率器件市場(chǎng)發(fā)展
- 全球能源需求的不斷增長(zhǎng)以及環(huán)境保護(hù)意識(shí)的逐步提升使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場(chǎng)發(fā)展的新趨勢(shì)。為此,電源|穩(wěn)壓器管理芯片、MOSFET等功率器件越來(lái)越多的應(yīng)用到整機(jī)產(chǎn)品中。在整機(jī)市場(chǎng)產(chǎn)量不斷增加以及功率器件在整機(jī)產(chǎn)品中應(yīng)用比例不斷提升的雙重帶動(dòng)下,中國(guó)功率器件市場(chǎng)在2007-2011年將繼續(xù)保持快速增長(zhǎng),但由于市場(chǎng)基數(shù)的不斷擴(kuò)大,市場(chǎng)增長(zhǎng)率將逐年下降。預(yù)計(jì)到2011年時(shí)中國(guó)功率器件市場(chǎng)銷(xiāo)售額將達(dá)到1680.4億元,2007-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)年均復(fù)合增長(zhǎng)率為19.1%。這其中電源管理IC、MOSFE
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) MOSFET 芯片 IC 元件 制造
今年我國(guó)激光產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售總額將超過(guò)60億元
- 盡管今年年初美國(guó)《LaserFocusWorld》雜志對(duì)2006年的世界激光產(chǎn)業(yè)作出了“經(jīng)歷了驚人的強(qiáng)力增長(zhǎng)”和“激光行業(yè)的發(fā)展看起來(lái)相當(dāng)樂(lè)觀”的評(píng)價(jià),但2006年世界激光產(chǎn)品市場(chǎng)銷(xiāo)售額達(dá)到56億美元,同比僅增長(zhǎng)了2%。與之相比,2006年則是中國(guó)激光產(chǎn)品市場(chǎng)一個(gè)高速、穩(wěn)定的發(fā)展年份。中國(guó)光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì)激光分會(huì)對(duì)全行業(yè)激光產(chǎn)品銷(xiāo)售統(tǒng)計(jì)結(jié)果表明:2006年中國(guó)激光產(chǎn)品市場(chǎng)(不含全息 制品)的銷(xiāo)售總額已突破50億元大關(guān),達(dá)到56.3267億元,同比增長(zhǎng)了40.4%。2007年中國(guó)激光產(chǎn)品市場(chǎng)銷(xiāo)售總額將
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 激光 晶體 光學(xué)元件 元件 制造
中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)引人注目多晶硅短缺仍在持續(xù)
- 多晶硅是電子工業(yè)和太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料。近年來(lái),由于世界半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)和太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,尤其是受太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)發(fā)展的驅(qū)動(dòng),多晶硅市場(chǎng)得以迅速增長(zhǎng)。而多晶硅市場(chǎng)供需不平衡問(wèn)題的日益突出,也引起了全世界的廣泛關(guān)注。 在當(dāng)今能源日趨緊張、環(huán)境壓力日趨增大的情況下,可再生能源受到各國(guó)政府的日益重視,太陽(yáng)能作為一種重要的可再生能源,其開(kāi)發(fā)和利用已成為各國(guó)可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的重要組成部分。目前,我國(guó)可再生能源規(guī)模只有8%,未來(lái)的發(fā)展空間十分廣闊。而作為21世紀(jì)最有潛力的能源,太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)在研發(fā)、
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 多晶硅 太陽(yáng)能 光伏 元件 制造
多晶硅價(jià)格走高 專(zhuān)家剖析太陽(yáng)能電池反跌之謎
- 即便原材料多晶硅的價(jià)格一直持續(xù)高漲,國(guó)內(nèi)大部分太陽(yáng)能電池組件制造商仍計(jì)劃調(diào)低或維持產(chǎn)品價(jià)格穩(wěn)定,以贏取更多的市場(chǎng)份額。環(huán)球資源最新發(fā)布的研究報(bào)告顯示,88%的受訪(fǎng)供應(yīng)商將調(diào)低或維持產(chǎn)品價(jià)格穩(wěn)定,只有12%的受訪(fǎng)者計(jì)劃調(diào)升產(chǎn)品價(jià)格。 報(bào)告出版人區(qū)乃光表示,“由于市場(chǎng)預(yù)計(jì)多晶硅短缺的情況將會(huì)持續(xù)至2009年,因此很多太陽(yáng)能電池組件制造商正實(shí)行簡(jiǎn)化生產(chǎn)程序的措施,其中包括通過(guò)規(guī)模經(jīng)濟(jì)增加效率、進(jìn)入產(chǎn)業(yè)鏈下游及研發(fā)制造使用較少量多晶硅的較薄的太陽(yáng)能電池?!? 據(jù)悉,計(jì)劃減低生產(chǎn)成本的受訪(fǎng)供應(yīng)商中:2
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電力電子技術(shù)概況
- 一、電力電子技術(shù)及特點(diǎn) 電子技術(shù)包括信息電子技術(shù)和電力電子技術(shù)兩大分支。通常所說(shuō)的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)屬于信息電子技術(shù)。電力電子技術(shù)是應(yīng)用于電力領(lǐng)域的電子技術(shù),它是利用電力電子器件對(duì)電能進(jìn)行變換和控制的新興學(xué)科。目前所用的電力電子器件采用半導(dǎo)體制成,故稱(chēng)電力半導(dǎo)體器件。信息電子技術(shù)主要用于信息處理,而電力電子技術(shù)則主要用于電力變換。電力電子技術(shù)的發(fā)展是以電力電子器件為核心,伴隨變換技術(shù)和控制技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展的。 電力電子技術(shù)可以理解為功率強(qiáng)大,可供諸如電力系統(tǒng)那樣大電流、高電壓場(chǎng)合應(yīng)用的
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直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)
- 驅(qū)動(dòng)電路的性能很大程度上影響整個(gè)系統(tǒng)的工作性能。有許多問(wèn)題需要慎重設(shè)計(jì),例如,導(dǎo)通延時(shí)、泵升保護(hù)、過(guò)壓過(guò)流保護(hù)、開(kāi)關(guān)頻率、附加電感的選擇等。 1.開(kāi)關(guān)頻率和主回路附加電感的選擇 力矩波動(dòng)也即電流波動(dòng),由系統(tǒng)設(shè)計(jì)給定的力矩波動(dòng)指標(biāo)為ΔI/IN,對(duì)有刷直流電動(dòng)機(jī)而言,通常在(5~10)%左右。為了便于分析可認(rèn)為 ΔI/IN=ΔI/(Us/Rd) &nb
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無(wú)刷直流伺服電動(dòng)機(jī)的功率驅(qū)動(dòng)電路
- 1.功率驅(qū)動(dòng)電路的基本類(lèi)型 無(wú)刷直流伺服電路的基本類(lèi)型 無(wú)刷支流伺服電動(dòng)機(jī)的容量一般在100KW以下。按目前功率器件的水平,這個(gè)容量段的商品化器件應(yīng)該采用全控制器件,即GTO、GTR、功率MOSFET和IGBT。全控型器件也即自關(guān)斷器件,并且IGBT已占主導(dǎo)地位。它們的主要性能指標(biāo)是:電壓、電流和工作頻率。通過(guò)這三項(xiàng)參數(shù)的分析即可進(jìn)行元件的選擇。功率驅(qū)動(dòng)電路的基本類(lèi)型如圖1所示。圖中m表示電機(jī)的繞組相數(shù);A表示繞組允許通電方向,當(dāng)繞組允許正、反兩個(gè)方向通電,A=2,只允許單方向通電時(shí)A=1。圖
- 關(guān)鍵字: 無(wú)刷直流伺服電動(dòng)機(jī) 元件 制造
asic 制造介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條asic 制造!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)asic 制造的理解,并與今后在此搜索asic 制造的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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