nand堆疊 文章 最新資訊
超越HBM！HBF未來崛起，NAND堆疊成為AI新的存儲驅(qū)動力
- 據(jù)韓媒報(bào)道，被韓媒譽(yù)為“HBM之父”的韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）電氣工程系教授金仲浩表示，高帶寬閃存（HBF）有望成為下一代AI時代的關(guān)鍵存儲技術(shù)，并將與HBM并行發(fā)展，共同推動各大芯片廠商的性能增長。HBF的設(shè)計(jì)理念與HBM類似，都利用硅通孔（TSV）連接多層堆疊芯片。不同的是，HBM以DRAM為核心，而HBF則利用NAND閃存進(jìn)行堆疊，具有“更高容量、更劃算”的優(yōu)勢。Kim Joung-ho指出，雖然NAND比DRAM慢，但其容量通常大10倍以上。有效地堆疊數(shù)百層甚至數(shù)千層，可以滿足AI模型的海量存
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鎧俠公布藍(lán)圖：2027年實(shí)現(xiàn)1000層3D NAND堆疊
- 近日，據(jù)媒體報(bào)道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實(shí)現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預(yù)測到2027年達(dá)到1000層堆疊的目標(biāo)是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報(bào)道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會春季學(xué)術(shù)演講會上表示，公司計(jì)劃于2030至2031
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