mosfet器件 文章 最新資訊
復旦大學研發(fā)新型SiC MOSFET器件
- 在功率半導體領域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高臨界電場強度和優(yōu)異的熱導率，被廣泛應用于新能源汽車、智能電網(wǎng)和軌道交通等高壓高頻場景。然而，如何在確保擊穿電壓（BV）的同時優(yōu)化導通電阻（Ron），一直是行業(yè)亟待解決的難題。近日，復旦大學研究團隊在這一領域取得重要突破。據(jù)復旦大學研究團隊透露，他們基于電荷平衡理論，通過對離子注入工藝的深度優(yōu)化，成功設計并制備出正交結(jié)構(gòu)和平行結(jié)構(gòu)兩種布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。實驗數(shù)據(jù)顯示，這兩種新型器件在維持約2.0kV擊
- 關(guān)鍵字： 復旦大學 SiC MOSFET器件
MOSFET器件的高壓CV測試詳解
- _____MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設計者需要知道這些參數(shù)。例如，設計一個高效的開關(guān)電源將要求設計者知道設備的電容，因為這將影響開關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說明書中提供。圖1 功率MOSFET的組件級電容三端功率半導體器件的電容可以在兩種不同的量級上看待：組件和電路。在組件上查看電容涉及到表征每個設備終端之間的電容。在電路上觀察電容涉及到描述組件級電容的組合。例如，圖1說明了一個功率MOSFET的組件級電容
- 關(guān)鍵字： MOSFET器件 高壓CV測試 Tektronix 泰克
技術(shù)知識：嵌入式功率系統(tǒng)的100V MOSFET器件
- 高效的AC/DCSMPS與DC/DC轉(zhuǎn)換器是現(xiàn)代功率架構(gòu)的主干，用于驅(qū)動電信或計算機等系統(tǒng)。為了滿足市場對這些轉(zhuǎn)換...
- 關(guān)鍵字： 嵌入式 功率系統(tǒng) MOSFET器件
| 共3條 1/1 1 |
mosfet器件介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條mosfet器件!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對mosfet器件的理解，并與今后在此搜索mosfet器件的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對mosfet器件的理解，并與今后在此搜索mosfet器件的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473