EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
ltspice
ltspice 文章 最新資訊
在LTspice仿真中使用GaN FET模型
- 近年來(lái)，工業(yè)電源市場(chǎng)對(duì)氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開(kāi)關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)高功率密度，而MOSFET在相同條件下運(yùn)行時(shí)會(huì)產(chǎn)生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯(lián)MOSFET并不能節(jié)省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術(shù)。業(yè)界對(duì)GaN器件性能表現(xiàn)的關(guān)注，相應(yīng)地催生了對(duì)各種GaN器件進(jìn)行準(zhǔn)確仿真以優(yōu)化應(yīng)用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對(duì)GaN FET驅(qū)動(dòng)進(jìn)行了優(yōu)化。借助
- 關(guān)鍵字： ADI LTspice GaN
使用LTspice仿真來(lái)解釋電壓依賴性影響
- 要實(shí)現(xiàn)陶瓷電容器的微型化，就必須在越來(lái)越小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的電容值。為此，具有高介電常數(shù)(ε)和越來(lái)越薄的介電絕緣層的材料正在被實(shí)現(xiàn)，這使得現(xiàn)在有可能在工業(yè)級(jí)規(guī)模上生產(chǎn)高質(zhì)量的陶瓷層。遺憾的是，介電常數(shù)εr = ?()是電場(chǎng)強(qiáng)度的函數(shù)，因此電容表現(xiàn)出電壓依賴性。根據(jù)陶瓷類型和層厚度，這種影響可以非常顯著。在最大允許電壓下，電容下降到標(biāo)稱值的10％以下并不罕見(jiàn)。在將恒定電壓作用于MLCC的應(yīng)用中（例如解耦電容），很容易考慮此影響。只要電壓保持恒定，就可以從制造商提供的數(shù)據(jù)手冊(cè)或在線工具中獲取剩余電
- 關(guān)鍵字： ADI LTspice 電壓依賴
控制回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解
- 引言在電源設(shè)計(jì)中，控制回路的穩(wěn)定性是確保電源可靠運(yùn)行的關(guān)鍵。一個(gè)設(shè)計(jì)不當(dāng)?shù)目刂苹芈房赡軐?dǎo)致電源振蕩、輸出紋波過(guò)大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應(yīng)速度直接影響到電源對(duì)負(fù)載變化和輸入電壓波動(dòng)的適應(yīng)能力。為了確保電源的穩(wěn)定性和高效性，控制回路的仿真分析至關(guān)重要。本文將介紹如何使用LTspice?這一強(qiáng)大的仿真工具，快速、簡(jiǎn)便地完成控制回路的波特圖分析，從而優(yōu)化控制回路設(shè)計(jì)?？刂苹芈贩抡娴闹匾钥刂苹芈返姆€(wěn)定性直接影響電源的性能。通過(guò)波特圖分析，我們可以：1. 評(píng)估相位裕度：確?？刂苹芈吩?/li>
- 關(guān)鍵字： ADI LTspice 回路仿真
如何在LTspice中添加電壓控制開(kāi)關(guān)
- 本文詳細(xì)介紹了在LTspice?原理圖中添加電壓控制開(kāi)關(guān)的步驟。文中列舉了幾個(gè)示例，著重說(shuō)明了電壓控制開(kāi)關(guān)在瞬態(tài)仿真中的使用。
- 關(guān)鍵字： LTspice 電壓控制開(kāi)關(guān)
將SPICE模型從LTspice轉(zhuǎn)移到QSPICE
- 在本文中，我們將介紹將SPICE模型導(dǎo)入QSPICE的過(guò)程，并演示使用QSPICE波形查看器的基礎(chǔ)知識(shí)，包括測(cè)量標(biāo)記。在本系列的第一篇文章中，我們創(chuàng)建并簡(jiǎn)要分析了LTspice中的LED閃爍電路。在第二篇文章中，我們使用網(wǎng)表復(fù)制粘貼和手動(dòng)原理圖輸入的組合將電路轉(zhuǎn)移到QSPICE。然而，LTspice電路中的LED（圖1）在QSPICE庫(kù)中不可用。圖1我們?cè)贚Tspice中創(chuàng)建的LED閃爍電路作為一種變通方法，我將LED更換為串聯(lián)的普通硅二極管和電壓電源（VFWD）。生成的示意圖如圖2所示QSPICE版本的
- 關(guān)鍵字： SPICE模型，LTspice，QSPICE
LTspice用戶QSPICE簡(jiǎn)介，第1部分
- 本文是從LTspice到QSPICE的四部分系列文章中的第一篇，介紹了一個(gè)LED閃光燈電路，我們將用這兩個(gè)程序進(jìn)行模擬。SPICE模擬對(duì)于測(cè)試、表征和改進(jìn)最終將在實(shí)驗(yàn)室中構(gòu)建或作為組裝PCB生產(chǎn)的電路非常寶貴。在我看來(lái)，它們也是一種很好的方式，通常是最好的方式，可以更徹底地理解不同電路及其組件的功能。簡(jiǎn)而言之，SPICE模擬器是現(xiàn)代工程師和工程專業(yè)學(xué)生的重要工具。尤其是LTspice已經(jīng)成為電氣工程界的傳奇。它功能強(qiáng)大，應(yīng)用廣泛，并擁有眾多IC宏模型。最重要的是，它完全免費(fèi)。我作為設(shè)計(jì)工程師和技術(shù)作家使用
- 關(guān)鍵字： LTspice，QSPICE
在LTspice中創(chuàng)建并行負(fù)載移位寄存器
- 我們探索了用于混合信號(hào)電路仿真的數(shù)字移位寄存器的設(shè)計(jì)和功能。與所有SPICE衍生物一樣，LTspice主要用于模擬仿真。然而，通過(guò)整合其數(shù)字元件目錄中的邏輯功能，我們還可以使用它來(lái)驗(yàn)證混合信號(hào)電路。我們?cè)谇皟善恼轮醒芯苛薒Tspice數(shù)字組件的結(jié)構(gòu)和仿真行為。在本文中，我們將使用它們來(lái)構(gòu)建一個(gè)并行負(fù)載移位寄存器。寄存器是數(shù)字和混合信號(hào)IC的關(guān)鍵子電路。在寄存器中，多個(gè)單比特存儲(chǔ)單元（通常是觸發(fā)器）連接在一起形成多位存儲(chǔ)設(shè)備。例如，我們需要以下內(nèi)容來(lái)創(chuàng)建一個(gè)單字節(jié)寄存器：八雙人字拖。允許我們同時(shí)從所有八個(gè)
- 關(guān)鍵字： LTspice，模擬仿真
修改LTspice中數(shù)字組件的操作
- 定制LTspice邏輯門和觸發(fā)器的設(shè)備參數(shù)可以幫助您更準(zhǔn)確地模擬這些組件。本文將介紹規(guī)范制定過(guò)程，并提供一些有用的提示。本系列的第一篇文章討論了LTspice邏輯門組件的底層電氣結(jié)構(gòu)，特別關(guān)注了未使用與邏輯低輸入的棘手問(wèn)題。在本文中，我們將看到調(diào)整這些組件的某些設(shè)備參數(shù)如何使我們能夠定制它們的電氣行為。我們的重點(diǎn)將放在以下關(guān)鍵參數(shù)上：邏輯電壓。過(guò)渡時(shí)期。輸出阻抗。圖1顯示了一個(gè)基本的雙輸入AND電路的低到高輸出轉(zhuǎn)換，其中所有這些參數(shù)都處于默認(rèn)狀態(tài)。LTspice中具有默認(rèn)器件參數(shù)的雙輸入AND門的低到高輸
- 關(guān)鍵字： LTspice，數(shù)字組件，邏輯電壓，過(guò)渡時(shí)期，輸出阻抗
LTspice中邏輯門的使用介紹
- 本文解釋了如何成功地將邏輯門集成到LTspice模擬中。SPICE模擬器主要用于模擬電路。盡管如此，在許多情況下，例如設(shè)計(jì)混合信號(hào)電路，數(shù)字組件可以增強(qiáng)SPICE模擬。因此，LTspice組件庫(kù)有一個(gè)名為Digital的目錄。如圖1所示，它包含幾個(gè)數(shù)字組件。LTspice組件庫(kù)中的數(shù)字組件目錄。 圖1。LTspice數(shù)字元件目錄。然而，當(dāng)你開(kāi)始使用這些組件時(shí)，你可能會(huì)發(fā)現(xiàn)它們并不像看起來(lái)那么用戶友好。本文將參考相關(guān)的LTspice文檔，探討將數(shù)字組件整合到LTspice原理圖中的一些不太明顯的方
- 關(guān)鍵字： SPICE LTspice，模擬電路 邏輯門
用先進(jìn)的SPICE模型模擬MOSFET電流-電壓特性
- 在本文中，我們使用90nm CMOS的SPICE模型來(lái)繪制NMOS晶體管的關(guān)鍵電學(xué)關(guān)系。在前一篇文章中，我解釋了如何獲得集成電路MOSFET的高級(jí)SPICE模型，并將其納入LTspice仿真中。然后，我們使用這個(gè)模型來(lái)研究NMOS晶體管的閾值電壓。在本文中，我們將使用相同的模型來(lái)生成直觀地傳達(dá)晶體管電氣行為的圖。繪制漏極電流與漏極電壓我們將從生成漏極電流（ID）與漏極-源極電壓（VDS）的基本圖開(kāi)始。為此，我們將柵極電壓設(shè)置為遠(yuǎn)高于閾值電壓的固定值，然后執(zhí)行直流掃描模擬，其中VDD的值逐漸增加。圖1顯示了
- 關(guān)鍵字： LTspice MOSFET NMOS
用LTspice和負(fù)電壓發(fā)生器探索負(fù)電壓
- 在本文中，我們將使用SPICE仿真來(lái)探索負(fù)電壓的理論和行為。在之前的一篇文章中，我提供了負(fù)電壓的主要理論解釋。我想繼續(xù)這個(gè)話題，展示負(fù)電壓的作用，并結(jié)合解釋，這將有助于加強(qiáng)我們對(duì)負(fù)電壓的理解。要做到這一點(diǎn)，我們將在這里使用LTspice進(jìn)行“動(dòng)手”工作，但如果您可以使用測(cè)試設(shè)備和一些常見(jiàn)的電子元件，您可以很容易地將第一個(gè)模擬重新創(chuàng)建為用示波器測(cè)量的物理電路。電容器：負(fù)電壓發(fā)生器首先，讓我們從我能想到的最簡(jiǎn)單的負(fù)電壓產(chǎn)生電路之一開(kāi)始，它由脈沖電壓源、電容器和電阻器組成。該電路如下圖1所示。具有脈沖電壓源、電
- 關(guān)鍵字： LTspice，負(fù)電壓發(fā)生器，負(fù)電壓
LTspice中負(fù)電壓電荷泵的分析——電源和負(fù)載電阻
- 了解如何使用LTspice模擬來(lái)提供對(duì)開(kāi)關(guān)電容器電壓反相電源性能的重要見(jiàn)解。之前，我寫了一篇文章，解釋了負(fù)電壓的基本原理，我在LTspice實(shí)驗(yàn)室繼續(xù)了這一主題，該實(shí)驗(yàn)室使用模擬來(lái)闡明負(fù)電壓是電路中產(chǎn)生的。作為L(zhǎng)Tspice實(shí)驗(yàn)室的一部分，我還將介紹一種電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，它可以產(chǎn)生穩(wěn)定的負(fù)電壓，并能夠?yàn)槠渌M件提供電流。在這一系列新文章中，我想更詳細(xì)地了解一下這種負(fù)電壓電路的功能，目的是增強(qiáng)我們對(duì)如何優(yōu)化現(xiàn)實(shí)生活中的開(kāi)關(guān)電容器電源和電源的理解。綜述：電容器和開(kāi)關(guān)的負(fù)電壓在深入研究之前，讓我們看看圖1，它顯示了
- 關(guān)鍵字： LTspice，負(fù)電壓電荷泵，電源，負(fù)載電阻
CMOS逆變器短路功耗的仿真
- 在邏輯電平轉(zhuǎn)換期間，電流短暫地流過(guò)兩個(gè)晶體管。本文探討了由此產(chǎn)生的功耗，并為測(cè)量電流和功率提供了一些有用的LTspice技巧。在本系列的第一篇文章中，我們研究了CMOS反相器的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗。在隨后的文章中，我們使用LTspice模擬來(lái)進(jìn)一步了解電容充電和放電引起的功耗。作為討論的一部分，我們創(chuàng)建了如圖1所示的LTspice反相器電路。增加了負(fù)載電阻和電容的CMOS反相器的LTspice示意圖。 圖1。具有負(fù)載電阻和電容的CMOS反相器的LTspice示意圖。我們將在本文中繼續(xù)使用上述原理圖，研
- 關(guān)鍵字： CMOS逆變器，短路功耗，仿真，LTspice
CMOS反相器開(kāi)關(guān)功耗的仿真
- 當(dāng)CMOS反相器切換邏輯狀態(tài)時(shí)，由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類功耗：動(dòng)態(tài)，當(dāng)反相器從一種邏輯狀態(tài)變?yōu)榱硪环N時(shí)發(fā)生。靜態(tài)，由穩(wěn)態(tài)運(yùn)行期間流動(dòng)的泄漏電流引起。我們不再進(jìn)一步討論靜態(tài)功耗。相反，本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真，以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類型的動(dòng)態(tài)功耗。本文關(guān)注的是開(kāi)關(guān)功率——當(dāng)輸出電壓變化時(shí)，由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實(shí)現(xiàn)圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
- 關(guān)鍵字： CMOS，反相器，功耗 仿真，LTspice
ltspice介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條ltspice!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)ltspice的理解，并與今后在此搜索ltspice的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)ltspice的理解，并與今后在此搜索ltspice的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
ltspice相關(guān)帖子
ltspice資料下載
ltspice視頻
ltspice專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473