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ldm0 文章最新資訊

功率LDM0 S中的場極板設計

摘要：本文提出了LDMOS器件漂移區(qū)電場分布和電勢分布的二維解析模型，并在此基礎上得出了LDMOS漂移區(qū)電勢分布和電場分布的解析表達式。通過表達式的結果，研究了多晶硅場板的長度和位置對于器件表面電場和電勢的影響
關鍵字：設計 LDM0 功率

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