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iDEAL Semiconductor的SuperQ技術(shù)獲得汽車應(yīng)用認(rèn)證
- ?iDEAL Semiconductor 今日宣布，其 SuperQ? 技術(shù)已獲得 AEC-Q101 汽車應(yīng)用認(rèn)證，標(biāo)志著公司向高可靠性市場的重大拓展。iDEAL 首款獲得汽車應(yīng)用認(rèn)證并進(jìn)入量產(chǎn)的產(chǎn)品 iS20M028S1CQ 是一款 200 V 的 MOSFET，其導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 為 25 mΩ，額定溫度為 175°C。SuperQ 代表著硅 MOSFET 的一項(xiàng)突破性進(jìn)展，在保持硅固有的耐用性和可靠性的同時，可提供卓越的效率、降低開關(guān)損耗并增強(qiáng)導(dǎo)通性能。此次認(rèn)證彰顯了 Supe
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XP Power為15W高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器HRF15系列新增數(shù)字監(jiān)控與控制功能
- XP Power近日宣布推出15W精密高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器HRF15系列的數(shù)字版本，該版本支持通過I2C接口的PMBus?實(shí)現(xiàn)輸出電壓和電流的編程控制。這一升級滿足了精密設(shè)備自動化與遠(yuǎn)程控制日益增長的需求，適用于半導(dǎo)體檢測應(yīng)用及通用分析研究領(lǐng)域，包括質(zhì)譜分析、掃描電子顯微鏡（SEM）和透射電子顯微鏡（TEM）等設(shè)備。與2025年5月推出的精密模擬版本相比，HRF15的數(shù)字界面簡化了系統(tǒng)集成，并通過直觀的GUI縮短了設(shè)置時間，加快了產(chǎn)品開發(fā)時間。它還通過先進(jìn)的監(jiān)控和編程功能提高了可靠性。電源狀態(tài)標(biāo)志提供了對
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ADI Power Studio?-加速電源管理設(shè)計(jì)
- 概述ADI Power Studio?是一套面向應(yīng)用工程師及高級電源設(shè)計(jì)用戶的綜合性產(chǎn)品系列，能夠有效簡化整個電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)流程，提供從初步概念到測量和評估的全程支持。Power Studio提供統(tǒng)一、直觀的工作流程，利用準(zhǔn)確的模型來仿真實(shí)際性能，并自動生成關(guān)鍵的物料清單和報(bào)告等內(nèi)容，幫助工程團(tuán)隊(duì)更早做出更優(yōu)決策。ADI Power Studio整合了凌力爾特與美信的元器件，構(gòu)建起統(tǒng)一的器件選型目錄；同時通過豐富的工具集成優(yōu)化工作流程，并基于客戶反饋打造了現(xiàn)代化的用戶界面(UI)與用戶體驗(yàn)(UX)。產(chǎn)品系
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Analog Devices發(fā)布ADI Power Studio和網(wǎng)頁端新工具
- ●? ?ADI Power Studio將多種ADI工具整合成一個完整的產(chǎn)品系列，助力簡化電源管理設(shè)計(jì)和優(yōu)化工作?！? ?ADI Power StudioTM Planner工具有助于增強(qiáng)系統(tǒng)級電源樹規(guī)劃。●? ?ADI Power StudioTM Designer工具可在整個集成電路(IC)級電源設(shè)計(jì)過程中提供全方位指導(dǎo)。全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)宣布推出綜合性產(chǎn)品系列ADI Po
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Power Integrations發(fā)布新技術(shù)白皮書，深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1250V和1700V PowiGaN技術(shù)
- 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日發(fā)布一份新的技術(shù)白皮書，詳解其PowiGaN?氮化鎵技術(shù)能為下一代AI數(shù)據(jù)中心帶來的顯著優(yōu)勢。這份白皮書發(fā)布于圣何塞舉行的2025年開放計(jì)算項(xiàng)目全球峰會(2025 OCP Global Summit)，其中介紹了1250V和1700V PowiGaN技術(shù)適用于800VDC供電架構(gòu)的功能特性。峰會上，NVIDIA還就800VDC架構(gòu)的最新進(jìn)展進(jìn)行了說明。Power Integrations正與NVIDIA合作，加速推動向8
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40W超緊湊DC-DC轉(zhuǎn)換器，適用于空間受限的嚴(yán)苛應(yīng)用場合
- XP Power宣布推出具有成本效益的40W DC-DC轉(zhuǎn)換器BCT40T系列，該產(chǎn)品采用業(yè)界領(lǐng)先的1“x 1”（25.4mm x 25.4mm）緊湊型封裝，專為PCB安裝而設(shè)計(jì)。這個新系列提供高功率密度和全面的功能，使其成為各種要求苛刻的工業(yè)技術(shù)、ITE和通信應(yīng)用的理想電源解決方案，在這些應(yīng)用中，空間是一個關(guān)鍵的限制因素。這款高性能BCT40T系列專為測試與測量、機(jī)器人、過程控制、分析儀器和通信設(shè)備等領(lǐng)域工作的研發(fā)工程師而設(shè)計(jì)。其超緊湊的金屬封裝具有顯著優(yōu)勢，可節(jié)省寶貴的PCB面積，并為客戶應(yīng)用電路提供
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iDEAL推出具有行業(yè)領(lǐng)先性價(jià)比的200 V SuperQ? MOSFET系列
- ?iDEAL半導(dǎo)體近日宣布，其200 V SuperQ? MOSFET系列中的首款產(chǎn)品已進(jìn)入量產(chǎn)階段，另外四款200 V器件現(xiàn)已提供樣品。SuperQ是硅MOSFET技術(shù)在超過25年來的首次重大進(jìn)步，突破了長期存在的開關(guān)和導(dǎo)通限制。它在性能和效率方面實(shí)現(xiàn)了階躍式提升，同時保留了硅的核心優(yōu)勢：堅(jiān)固性、高產(chǎn)量制造能力，以及在175 °C下的可靠表現(xiàn)。首款進(jìn)入量產(chǎn)的200 V器件是iS20M028S1P，這是一款25 mΩ的MOSFET，采用TO-220封裝。iDEAL的最低電阻200 V器件現(xiàn)已在T
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iDEAL 半導(dǎo)體宣布推出基于 SuperQ?的 200V MOSFET 系列，具有行業(yè)領(lǐng)先的成本×性能
- iDEAL 半導(dǎo)體宣布其首批基于 SuperQ?的 200V MOSFET 已進(jìn)入量產(chǎn)階段，另外還有四個 200V 器件正在進(jìn)行樣品測試。SuperQ 是過去 25 年來硅 MOSFET 技術(shù)的第一個重大進(jìn)步，突破了長期存在的開關(guān)和導(dǎo)通限制。它在提供性能和效率飛躍的同時，保留了硅的核心優(yōu)勢：堅(jiān)固性、大規(guī)模可制造性和在 175°C 下經(jīng)過驗(yàn)證的可靠性。首個進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)的 200 V 器件 iS20M028S1P 是一款 TO-220 封裝的 25 mΩ MOSFET。iDEAL 的最低電阻 200 V 器
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Power Integrations推出太陽能賽車專用參考設(shè)計(jì)，采用高效率氮化鎵芯片
- 澳大利亞達(dá)爾文及美國加州圣何塞，2025年8月22日訊 –Power Integrations推出一款專為太陽能賽車量身定制的參考設(shè)計(jì)套件。與此同時，37支學(xué)生隊(duì)伍已整裝待發(fā)，將參加于8月24日開始的普利司通世界太陽能挑戰(zhàn)賽，穿越澳洲內(nèi)陸地區(qū)。該套件型號為RDK-85SLR，采用了PI?公司一款集成PowiGaN?氮化鎵技術(shù)的芯片InnoSwitch?3-AQ。其設(shè)計(jì)靈感來自PI公司PowerPros?在線支持工程師與蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院aCentauri車隊(duì)的合作成果。后者的85號“Silvretta”挑
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iDEAL與電力系統(tǒng)專家Richardson Electronics, Ltd.簽署SuperQ MOSFET技術(shù)合作伙伴協(xié)議
- 繼推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此舉標(biāo)志著自 25 多年前超級結(jié)技術(shù)以來，硅 MOSFET 架構(gòu)的首次重大進(jìn)步。賓夕法尼亞州里海谷，2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是一家專注于實(shí)現(xiàn)突破性效率的無晶圓廠功率半導(dǎo)體公司，該公司宣布將與電力和射頻專家 Richardson Electronics 合作。根據(jù)該協(xié)議，iDEAL 將獲得 Richardson Electronics 的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)和銷售專家的支持，以擴(kuò)展其基于公司新型專利、最先進(jìn) SuperQ 技術(shù)
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iDEAL半導(dǎo)體與Mouser電子簽署全球分銷協(xié)議
- ?iDEAL半導(dǎo)體，一家專注于提供突破性效率的無晶圓廠功率半導(dǎo)體公司，宣布與Mouser電子簽署全球分銷協(xié)議。該協(xié)議涉及iDEAL基于其新穎、專利、最先進(jìn)的SuperQ技術(shù)的功率器件。SuperQ與傳統(tǒng)超級結(jié)架構(gòu)相比，在效率和性能方面實(shí)現(xiàn)了顯著提升，使功率工程師能夠滿足現(xiàn)代功率系統(tǒng)的需求，同時保持硅的可靠性、成本效益和供應(yīng)鏈穩(wěn)健性。在首批基于SuperQ的產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)后，150V MOSFET現(xiàn)已立即可用。這些產(chǎn)品提供領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和優(yōu)異的身形因子（FOM），包括業(yè)界最低的開關(guān)
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iDEAL的SuperQ技術(shù)正式量產(chǎn)，推出150V與200V MOSFET
- iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設(shè)計(jì)領(lǐng)域的首次重大突破，在硅功率器件中實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構(gòu)突破了硅材料在導(dǎo)通與開關(guān)方面的物理瓶頸，將n型導(dǎo)電區(qū)域擴(kuò)大至高達(dá)95%，并將開關(guān)損耗較競爭產(chǎn)品降低高達(dá)2.1倍。該結(jié)構(gòu)不僅改善了器件的電阻與功率損耗，同時保留了硅材料的諸多優(yōu)勢，包括高強(qiáng)度、量產(chǎn)能力強(qiáng)以及在175°C結(jié)溫下的可靠性
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Power Integrations任命Jennifer Lloyd為下一任首席執(zhí)行官
- 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布，Jennifer A. Lloyd博士將接替自2002年以來一直擔(dān)任首席執(zhí)行官的Balu Balakrishnan，成為公司的下一任首席執(zhí)行官。Lloyd博士曾擔(dān)任過Power Integrations董事會成員，現(xiàn)再次被任命為公司董事會成員。這兩項(xiàng)任命均于7月21日生效。自1997年以來，Lloyd博士在全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)Analog Devices, Inc.擔(dān)任過一系列高級工程和業(yè)務(wù)管理職位。在此期間，她曾領(lǐng)
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接口、黑匣子快照驅(qū)動器1.3kW AC-DC系列
- XP Power 開發(fā)了 1.3kW 全數(shù)字、可配置、模塊化 AC-DC 電源系列，為電源工程師提供了新的界面。FLXPro 系列從 FLX1K3 可配置 1U 機(jī)箱開始，提供高達(dá) 1.3kW 的 AC-DC 電源，功率密度為 58.9W/cm3 （23.2W/in3）。該系統(tǒng)的一個關(guān)鍵元素是 XPInsight 用戶界面。這是使用以人為本的設(shè)計(jì) （HCD） 原則開發(fā)的，以簡化系統(tǒng)配置、監(jiān)控和控制，并具有繪圖、數(shù)據(jù)記錄和同步多單元顯示等高級功能?！拔覀冇?2015 年推出的 Nanoflex 1U 120
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Nissan推出第三代e-POWER技術(shù) 可用電力直驅(qū)馬達(dá)
- Nissan宣布正式在歐洲推出其e-POWER技術(shù)的第三代系統(tǒng)。 這項(xiàng)技術(shù)的核心是汽油引擎僅用于發(fā)電，電力直接驅(qū)動電動馬達(dá)來帶動車輪，提供類似純電動車的平穩(wěn)加速，且無需外部充電。第三代e-POWER系統(tǒng)經(jīng)全面優(yōu)化，專注于提升燃油效率、降低排放并改善行車靜謐性。 e-POWER的獨(dú)特之處在于其動力傳輸模式，消除了引擎與車輪之間的機(jī)械連接，確保了實(shí)時響應(yīng)與平順駕馭感。 系統(tǒng)也整合了動能回收技術(shù)，進(jìn)一步提高能源效率。全新e-POWER 的核心是一個新的5合1模塊化動力總成單元，整合了關(guān)鍵部件于一體。 新引擎采用
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