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          ganfet 文章 最新資訊

          通過Analog與PWM調(diào)整輸出功率1KW智能工業(yè)電源

          • 本方案使用NCP1681 Totem pole PFC架構 + NCP13994 LLC架構 + NCP4306同步整流電源應用,次級采用NCL38046可以支持Analog 與PWM調(diào)整輸出功率 ,輔助電源采用NCP1343-CCM/QR控制。NCP1681是一種創(chuàng)新的多模式操作控制IC,此IC載重載時操作在連續(xù)導通模式 (CCM),在輕載或中載時則應用在邊界模式(CrM) 的功率因數(shù)校正控制器 IC,并且適合設計用于驅(qū)動無橋圖騰柱拓撲(Totem pole PFC)。 這種無橋圖騰柱 PFC
          • 關鍵字: Analog  PWM  智能工業(yè)電源  安森美  GaNFET  

          原來為硅MOSFET設計的DC-DC控制器能否用來驅(qū)動GaNFET?

          • 問題沒有專門用于驅(qū)動GaNFET的控制器時,如何使用GaNFET設計四開關降壓-升壓DC-DC轉換器?回答眾所周知,GaNFET比較難驅(qū)動,如果使用原本用于驅(qū)動硅(Si) MOSFET的驅(qū)動器,可能需要額外增加保護元件。適當選擇正確的驅(qū)動電壓和一些小型保護電路,可以為四開關降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅(qū)動。簡介在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中,氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術,有望進一步提高功率、開關速度以及降低開關損
          • 關鍵字: DC-DC控制器  GaNFET  ADI  

          如何使用GaNFET設計四開關降壓-升壓DC-DC轉換器?

          • 在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中,氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術,有望進一步提高功率、開關速度以及降低開關損耗。這些優(yōu)勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。當前市場上充斥著大量不同的Si MOSFET驅(qū)動器,而新的GaN驅(qū)動器和內(nèi)置GaN驅(qū)動器的控制器還需要幾年才能面世。除了簡單的專用GaNFET驅(qū)動器(如 LT8418)外,市場上還存在針對GaN的復雜降壓和升壓控制器(如LTC7890, LTC7891)。 目前的
          • 關鍵字: ADI  GaNFET  DC-DC  

          GaN FET與硅FET的比較

          • GaN FET與硅FET的比較-功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數(shù)個供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板,以及更低成本的塑料封裝。對于電源設計人員來說,理解GaN有可能帶來的性能提升,以及某些會隨時間影響到最終產(chǎn)品性能的退化機制很重要。
          • 關鍵字: GaNFET  硅FET  
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          ganfet介紹

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