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沒有薄膜的EUV光刻：低產(chǎn)量的解釋
- 雖然隨機缺陷將產(chǎn)量與其量子性質(zhì)導致的EUV光刻的實際分辨率聯(lián)系起來[1]，但EUV工藝的極低產(chǎn)量更容易與使用沒有薄膜的EUV掩模有關(guān)。薄膜是掩模上的薄膜膜覆蓋物（無論波長如何：EUV、DUV和i-line），用于防止顆粒落在掩模上的圖案上。顆?？梢月湓诒∧ど希鼈儾粫蛴?，因為它們會失焦。如果沒有薄膜，僅僅是讓一些顆粒落在掩模上，產(chǎn)量就會顯著下降[2]。令人驚訝的是，最近有報道稱，EUV用戶通常不使用薄膜[3,4]。關(guān)鍵原因是薄膜可能會因EUV光照射而損壞甚至破裂[5]。臺積電還在2023年報告稱，其E
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美國官方報告：深度解析EUV光刻的現(xiàn)狀、需求和發(fā)展
- 2022 年，半導體市場規(guī)模約為 0.6 萬億美元，商業(yè)分析師預計到 2030 年將翻一番 1.0 萬億美元至 1.3 萬億美元。半導體制造業(yè)的大幅增長可以在光刻工藝中體現(xiàn)出。光刻是一種圖案化過程，將平面設(shè)計轉(zhuǎn)移到晶圓基板的表面，創(chuàng)造復雜的結(jié)構(gòu)，如晶體管和線互連。這是通過通過復雜的多步過程選擇性地將光敏聚合物或光刻膠暴露于特定波長的光下來完成的。最近，光刻技術(shù)的進步在生產(chǎn)最先進的半導體方面創(chuàng)造了競爭優(yōu)勢，使人工智能（AI）、5G 電信和超級計算等最先進的技術(shù)成為可能。因此，先進的半導體技術(shù)會影響國家安全和
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