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Pickering 新型基于MEMS技術(shù)的多端口千兆以太網(wǎng)接口單元（GBASE-T1 FIU），顯著提升了測(cè)試系統(tǒng)的帶寬、數(shù)據(jù)吞吐能力以及使用壽命

2025年10月22 日，美國(guó)馬薩諸塞州特克斯伯里——作為電子測(cè)試與驗(yàn)證領(lǐng)域模塊化信號(hào)開關(guān)及仿真解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，Pickering Interfaces公司宣布對(duì)廣受歡迎的PXI故障注入單元開關(guān)模塊系列擴(kuò)展并推出新產(chǎn)品。新增的40-205（PXI）和42-205（PXIe）系列采用緊湊型單槽設(shè)計(jì)，隸屬于該公司雙線串行接口故障注入開關(guān)產(chǎn)品家族。該系列產(chǎn)品基于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）開關(guān)技術(shù)，專為模擬高速通信協(xié)議中的典型故障場(chǎng)景而設(shè)計(jì)，能夠滿足MultiGBASE-T1測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的最新演進(jìn)要求。
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CMOS 2.0 正在推進(jìn)半導(dǎo)體拓展極限

關(guān)鍵Imec在晶圓間混合鍵合和背面連接方面的突破正在推動(dòng)CMOS 2.0的發(fā)展，CMOS 2.0通過將片上系統(tǒng)（SoC）劃分為專門的功能層來優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)。CMOS 2.0 利用先進(jìn)的 3D 互連和背面供電網(wǎng)絡(luò) （BSPDN）來提高電源效率并實(shí)現(xiàn) SoC 內(nèi)不同功能的異構(gòu)堆疊。背面連接和 BSPDN 有助于晶圓兩側(cè)電源和信號(hào)的無縫集成，減少紅外壓降并增強(qiáng)移動(dòng) SoC 和其他應(yīng)用的整體性能。在快速發(fā)展的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，imec 最近在晶圓間混合鍵合和背面連接方面的突破正在為 CMOS 2.0 鋪平道路，這是
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堅(jiān)固的微鏡可以將激光雷達(dá)帶到更多汽車上

五年前，埃里克·阿吉拉爾（Eric Aguilar）受夠了。他在特斯拉和谷歌 X 研究激光雷達(dá)和其他傳感器多年，但這項(xiàng)技術(shù)似乎總是太昂貴，更重要的是，不可靠。當(dāng)激光雷達(dá)傳感器損壞時(shí)，他更換了它們——這種情況太頻繁了，而且似乎是隨機(jī)的——并開發(fā)了復(fù)雜的校準(zhǔn)方法和維護(hù)程序，只是為了保持它們的運(yùn)行和汽車的駕駛能力。因此，當(dāng)他走到盡頭時(shí)，他發(fā)明了一種更強(qiáng)大的技術(shù)——他稱之為“有史以來最強(qiáng)大的微型機(jī)器”。Aguilar 和他在初創(chuàng)公司 Omnitron Sensors 的
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面向工業(yè)資產(chǎn)健康監(jiān)測(cè)的新型邊緣傳感解決方案

本文深入探討了一款先進(jìn)的智能振動(dòng)傳感器，重點(diǎn)介紹它基于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的設(shè)計(jì)、功能和應(yīng)用。這款傳感器的核心目標(biāo)是在各種工業(yè)和研究環(huán)境中提供高精度、高可靠性和實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)能力，展現(xiàn)ADI公司不同MEMS傳感技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。
關(guān)鍵字：工業(yè)資產(chǎn) 狀態(tài)監(jiān)控 CbM CMS MEMS ADI

走進(jìn)芯片：CMOS反相器

以一個(gè)實(shí)際的CMOS反相器實(shí)物為例，從逆向的角度出發(fā)，為大家簡(jiǎn)單介紹其在芯片中的具體呈現(xiàn)形式。通過這一過程，希望能夠幫助各位讀者在后續(xù)的逆向工程實(shí)踐中，快速而準(zhǔn)確地判斷出CMOS反相器，從而為深入分析芯片的整體架構(gòu)和功能奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。在芯片的微觀世界中，CMOS反相器通常由一個(gè)P型MOSFET和一個(gè)N型MOSFET組成。這兩個(gè)晶體管的源極和漏極分別相連，形成一個(gè)互補(bǔ)對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。當(dāng)輸入信號(hào)為低電平時(shí)，N型MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，而P型MOSFET則導(dǎo)通，電流從電源流向輸出端，使得輸出端呈現(xiàn)高電平；反之，
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器 ISP

GlobalFoundries 與中國(guó)代工廠合作，進(jìn)行本地化汽車級(jí) CMOS 生產(chǎn)

盡管第三季度前景疲軟，受消費(fèi)者需求低迷影響，但 GlobalFoundries 正在中國(guó)采取大膽行動(dòng)。這家芯片制造商通過與新代工廠的新協(xié)議，正在加速其“中國(guó)為中國(guó)”戰(zhàn)略，首期將啟動(dòng)汽車級(jí) CMOS 和 BCD 技術(shù)，根據(jù)其新聞稿和 IT Home 的報(bào)道。如 IT之家所強(qiáng)調(diào)，并援引公司高管的話，目標(biāo)訂單來自在中國(guó)有需求的國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體公司——在轉(zhuǎn)移代工廠時(shí)，無需客戶重新開發(fā)或重新認(rèn)證其芯片設(shè)計(jì)。根據(jù)來自 Seeking Alpha 的財(cái)報(bào)記錄，
關(guān)鍵字： CMOS 汽車電子傳感器

CMOS 2.0：后納米芯片時(shí)代的分層邏輯

五十多年來，半導(dǎo)體行業(yè)一直依賴一個(gè)簡(jiǎn)單的方程式——縮小晶體管，在每片晶圓上封裝更多晶體管，并隨著成本的下降而看到性能飆升。雖然每個(gè)新節(jié)點(diǎn)在速度、能效和密度方面都提供了可預(yù)測(cè)的提升，但這個(gè)公式正在迅速耗盡。隨著晶體管接近個(gè)位數(shù)納米工藝，制造成本正在飆升，而不是下降。電力傳輸正在成為速度與熱控制的瓶頸，定義摩爾定律的自動(dòng)性能提升正在減少。為了保持進(jìn)步，芯片制造商已經(jīng)開始抬頭看——字面意思。他們不是將所有內(nèi)容都構(gòu)建在一個(gè)平面上，而是垂直堆疊邏輯、電源和內(nèi)存。雖然 2.5D 封裝已經(jīng)將其中一些投入生產(chǎn)，將芯片并排
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ST 以 9.5 億美元收購(gòu) NXP 的 MEMS 業(yè)務(wù)，造成重大損失

ST 本季度因重組成本虧損了 1.77 億美元，今年上半年收入同比下降了 21%?！拔覀儗?shí)現(xiàn)了 27.7 億美元的營(yíng)收，比我們業(yè)務(wù)展望范圍的中間值高出 5.6 億美元，汽車業(yè)務(wù)略低于我們的預(yù)期，這是由于客戶特定的原因，”ST 首席執(zhí)行官讓-馬克·切里說道?！斑@被個(gè)人電子和工業(yè)領(lǐng)域的高收入所抵消?！迸c NXP 的交易將使 ST 支付 9 億美元，并提供 5000 萬美元的激勵(lì)，這一舉措將提振陷入困境的模擬、MEMS 和傳感器部門。該交易預(yù)計(jì)將在 2026 年上半年完成?！皬耐葋砜?，模擬產(chǎn)品、MEMS 和傳
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意法半導(dǎo)體將收購(gòu)恩智浦的MEMS傳感器業(yè)務(wù)

全球半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）計(jì)劃收購(gòu)恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）的MEMS傳感器業(yè)務(wù)，以加強(qiáng)其全球傳感器能力，該業(yè)務(wù)專注于汽車安全產(chǎn)品以及工業(yè)應(yīng)用傳感器。該交易將補(bǔ)充和擴(kuò)展意法半導(dǎo)體領(lǐng)先的MEMS傳感器技術(shù)和產(chǎn)品組合，為汽車、工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用帶來新的發(fā)展機(jī)會(huì)。意法半導(dǎo)體模擬、功率和分立器件、MEMS和傳感器事業(yè)部總裁Marco Cassis表示：“此次收購(gòu)對(duì)意法半導(dǎo)體來說是一個(gè)非常合適的戰(zhàn)略選擇?！芭c意法半導(dǎo)體現(xiàn)有的MEMS產(chǎn)品組合一起，這些高
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將MEMS技術(shù)集成到下一代汽車安全功能中

傳感器技術(shù)徹底改變了汽車行業(yè)，在安全性、舒適性和自動(dòng)化方面取得了重大進(jìn)步。如今，車輛擁有利用精確傳感功能來增強(qiáng)駕駛員和乘客體驗(yàn)的系統(tǒng)，同時(shí)降低道路風(fēng)險(xiǎn)。MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）技術(shù)處于這項(xiàng)創(chuàng)新的前沿，可提供現(xiàn)代汽車應(yīng)用所需的緊湊性、準(zhǔn)確性和可靠性。支持 MEMS 的無線技術(shù)使汽車能夠共享有關(guān)交通狀況、潛在危險(xiǎn)和路線優(yōu)化的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)，從而提高現(xiàn)代道路的安全性和效率?；?MEMS 的慣性測(cè)量單元（IMU）尤其值得注意。它們有效地解決了與大燈調(diào)平、導(dǎo)航和穩(wěn)定性控制相關(guān)的挑戰(zhàn)。它們能夠?qū)⒏呒?jí)傳感與低功
關(guān)鍵字： MEMS 汽車安全功能

全局快門CMOS傳感器選型指南：從分辨率到HDR的終極考量

在高速視覺應(yīng)用的競(jìng)技場(chǎng)中，全局快門CMOS圖像傳感器扮演著關(guān)鍵角色。當(dāng)設(shè)計(jì)需要捕捉高速動(dòng)態(tài)場(chǎng)景的方案時(shí)，僅僅關(guān)注分辨率或幀率遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。傳感器的核心特性——尤其是其快門機(jī)制——直接決定了能否無失真地“凍結(jié)”瞬間。深入理解全局快門在高速環(huán)境下的優(yōu)勢(shì)，并權(quán)衡光學(xué)格式、動(dòng)態(tài)范圍、噪聲表現(xiàn)（SNR）、像素架構(gòu)，乃至功耗、接口、HDR處理能力等綜合特性，是選擇真正匹配高速需求的圖像傳感器的必經(jīng)之路。為了幫助篩選這些規(guī)格和功能，一個(gè)重要的考慮因素是傳感器的預(yù)期應(yīng)用。某些應(yīng)用需要非常高的分辨率來捕捉靜止物體，而另一些應(yīng)用
關(guān)鍵字：安森美 CMOS 傳感器 HDR

使用MEMS傳感器的三個(gè)好處

MEMS 傳感器開辟了具有高精度、更高安全性和增強(qiáng)功能的新產(chǎn)品設(shè)計(jì)機(jī)會(huì)。微機(jī)電系統(tǒng) （MEMS）是由電子和機(jī)械部件組成的微觀設(shè)備。許多最新的傳感器設(shè)計(jì)都利用 MEMS 技術(shù)來實(shí)現(xiàn)高精度和小型化，以實(shí)現(xiàn)特定目標(biāo)和創(chuàng)新。電子工程師在設(shè)計(jì)中使用基于 MEMS 的傳感器時(shí)有哪些優(yōu)勢(shì)？以下是三個(gè)好處。當(dāng)電子工程師開發(fā)具有廣泛潛在用例的解決方案時(shí)，他們可能會(huì)獲得更多的市場(chǎng)吸引力和利益相關(guān)者的興趣。這包括使用先進(jìn)的傳感器與人工智能相結(jié)合來開發(fā)新的用例。一個(gè)例子是 Ainos Inc. 的 AI Nose，它包括來自&
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這一領(lǐng)域芯片，重度依賴臺(tái)積電

英特爾和三星正在研發(fā)先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)的封裝技術(shù)，但目前所有大型廠商都已 100% 依賴臺(tái)積電。大型語言模型（例如 ChatGPT 等 LLM）正在推動(dòng)數(shù)據(jù)中心 AI 容量和性能的快速擴(kuò)展。更強(qiáng)大的 LLM 模型推動(dòng)了需求，并需要更多的計(jì)算能力。AI 數(shù)據(jù)中心需要 GPU/AI 加速器、交換機(jī)、CPU、存儲(chǔ)和 DRAM。目前，大約一半的半導(dǎo)體用于 AI 數(shù)據(jù)中心。到 2030 年，這一比例將會(huì)更高。臺(tái)積電在 AI 數(shù)據(jù)中心邏輯半導(dǎo)體領(lǐng)域幾乎占據(jù) 100% 的市場(chǎng)份額。臺(tái)積電生產(chǎn)：Nv
關(guān)鍵字： CMOS

2D CMOS，下一個(gè)飛躍

二維材料憑借其原子級(jí)厚度和高載流子遷移率，提供了一種極具前景的替代方案。
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AI 攻擊從MEMS麥克風(fēng)中拾取聲音

美國(guó)和日本的研究人員已經(jīng)確定了筆記本電腦和智能助手（如 Google Home）中使用的 MEMS 麥克風(fēng)存在安全風(fēng)險(xiǎn)。這些 MEMS 設(shè)備存在一個(gè)漏洞，即甚至可以隔著墻壁檢測(cè)到電磁輻射，使用 AI 重建麥克風(fēng)拾取的聲音。佛羅里達(dá)大學(xué)和日本電氣通信大學(xué)的研究人員還確定了解決設(shè)計(jì)缺陷的多種方法，并表示他們已經(jīng)與制造商分享了他們的工作，以尋求未來的潛在修復(fù)方法，并建議將擴(kuò)頻時(shí)鐘作為防御措施。研究人員測(cè)試了意法半導(dǎo)體的 MP34DT01-M、樓氏電子 SPM0405（現(xiàn)在是 Synaptics 的一部分）、TD
關(guān)鍵字： AI MEMS 麥克風(fēng) 拾取聲音