cmos-ldo 文章最新資訊

CMOS 2.0 正在推進(jìn)半導(dǎo)體拓展極限

關(guān)鍵Imec在晶圓間混合鍵合和背面連接方面的突破正在推動(dòng)CMOS 2.0的發(fā)展，CMOS 2.0通過(guò)將片上系統(tǒng)（SoC）劃分為專門的功能層來(lái)優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)。CMOS 2.0 利用先進(jìn)的 3D 互連和背面供電網(wǎng)絡(luò) （BSPDN）來(lái)提高電源效率并實(shí)現(xiàn) SoC 內(nèi)不同功能的異構(gòu)堆疊。背面連接和 BSPDN 有助于晶圓兩側(cè)電源和信號(hào)的無(wú)縫集成，減少紅外壓降并增強(qiáng)移動(dòng) SoC 和其他應(yīng)用的整體性能。在快速發(fā)展的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，imec 最近在晶圓間混合鍵合和背面連接方面的突破正在為 CMOS 2.0 鋪平道路，這是
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汽車電子供電革命：Nexperia新一代車規(guī)LDO如何破解電源痛點(diǎn)

汽車智能化浪潮中，精密電子系統(tǒng)的供電質(zhì)量已成為性能分水嶺。全球半導(dǎo)體巨頭Nexperia推出的NEX90x30/15-Q100系列車規(guī)級(jí)低壓差穩(wěn)壓器（LDO），以 45V瞬態(tài)耐壓能力與 5.3μA超低靜態(tài)電流的雙重突破，攻克了傳統(tǒng)電源模塊在冷啟動(dòng)、啟停工況下的穩(wěn)定性難題。該產(chǎn)品系列通過(guò)AEC-Q100 Grade 1認(rèn)證，為ADAS域控制器、車載攝像頭等噪聲敏感系統(tǒng)構(gòu)建起堅(jiān)不可摧的"電力防線"。一、汽車電子供電的極境挑戰(zhàn)現(xiàn)代汽車電子系統(tǒng)面臨三
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走進(jìn)芯片：CMOS反相器

以一個(gè)實(shí)際的CMOS反相器實(shí)物為例，從逆向的角度出發(fā)，為大家簡(jiǎn)單介紹其在芯片中的具體呈現(xiàn)形式。通過(guò)這一過(guò)程，希望能夠幫助各位讀者在后續(xù)的逆向工程實(shí)踐中，快速而準(zhǔn)確地判斷出CMOS反相器，從而為深入分析芯片的整體架構(gòu)和功能奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。在芯片的微觀世界中，CMOS反相器通常由一個(gè)P型MOSFET和一個(gè)N型MOSFET組成。這兩個(gè)晶體管的源極和漏極分別相連，形成一個(gè)互補(bǔ)對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。當(dāng)輸入信號(hào)為低電平時(shí)，N型MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，而P型MOSFET則導(dǎo)通，電流從電源流向輸出端，使得輸出端呈現(xiàn)高電平；反之，
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Diodes 公司的高 PSRR LDO 可在噪聲敏感型應(yīng)用中降低噪聲和紋波

Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 宣布推出 AP7372 低噪聲低壓差 (LDO) 穩(wěn)壓器，用于為數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器 (ADC、DAC)、電壓控制振蕩器 (VCO) 和鎖相環(huán) (PLL) 等精密元器件供電。AP7372 在寬頻率范圍內(nèi)的電源紋波抑制 (PSRR) 高達(dá) 90dB，而且輸出噪聲極低，僅為 8μVrms。這可幫助設(shè)計(jì)人員減少輸入源噪聲的影響，并滿足嚴(yán)格的輸出紋波和噪聲目標(biāo)。這對(duì)于測(cè)試和測(cè)量
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GlobalFoundries 與中國(guó)代工廠合作，進(jìn)行本地化汽車級(jí) CMOS 生產(chǎn)

盡管第三季度前景疲軟，受消費(fèi)者需求低迷影響，但 GlobalFoundries 正在中國(guó)采取大膽行動(dòng)。這家芯片制造商通過(guò)與新代工廠的新協(xié)議，正在加速其“中國(guó)為中國(guó)”戰(zhàn)略，首期將啟動(dòng)汽車級(jí) CMOS 和 BCD 技術(shù)，根據(jù)其新聞稿和 IT Home 的報(bào)道。如 IT之家所強(qiáng)調(diào)，并援引公司高管的話，目標(biāo)訂單來(lái)自在中國(guó)有需求的國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體公司——在轉(zhuǎn)移代工廠時(shí)，無(wú)需客戶重新開發(fā)或重新認(rèn)證其芯片設(shè)計(jì)。根據(jù)來(lái)自 Seeking Alpha 的財(cái)報(bào)記錄，
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CMOS 2.0：后納米芯片時(shí)代的分層邏輯

五十多年來(lái)，半導(dǎo)體行業(yè)一直依賴一個(gè)簡(jiǎn)單的方程式——縮小晶體管，在每片晶圓上封裝更多晶體管，并隨著成本的下降而看到性能飆升。雖然每個(gè)新節(jié)點(diǎn)在速度、能效和密度方面都提供了可預(yù)測(cè)的提升，但這個(gè)公式正在迅速耗盡。隨著晶體管接近個(gè)位數(shù)納米工藝，制造成本正在飆升，而不是下降。電力傳輸正在成為速度與熱控制的瓶頸，定義摩爾定律的自動(dòng)性能提升正在減少。為了保持進(jìn)步，芯片制造商已經(jīng)開始抬頭看——字面意思。他們不是將所有內(nèi)容都構(gòu)建在一個(gè)平面上，而是垂直堆疊邏輯、電源和內(nèi)存。雖然 2.5D 封裝已經(jīng)將其中一些投入生產(chǎn)，將芯片并排
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比LDO更安靜！新一代開關(guān)穩(wěn)壓器解鎖高速ADC全性能

摘要在5G基站、防務(wù)領(lǐng)域、精密儀器等對(duì)噪聲極度敏感的射頻系統(tǒng)中，電源噪聲直接影響信號(hào)完整性。傳統(tǒng)降壓+LDO的二級(jí)供電方案雖能降噪，卻面臨體積大、效率低、成本高的痛點(diǎn)。新型超低噪聲開關(guān)穩(wěn)壓器Silent Switcher? 3系列打破這一局限，憑借0.1Hz-100kHz頻段噪聲低于LDO的突破性性能，結(jié)合單級(jí)架構(gòu)優(yōu)勢(shì)，為射頻工程師提供了更緊湊、高效、經(jīng)濟(jì)的電源解決方案。本文通過(guò)鎖相環(huán)時(shí)鐘與高速ADC兩大案例，深入解析其如何平衡降噪需求與系統(tǒng)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。引言射頻(RF)系統(tǒng)對(duì)電源解決方案的噪聲性能提出了更嚴(yán)
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全局快門CMOS傳感器選型指南：從分辨率到HDR的終極考量

在高速視覺(jué)應(yīng)用的競(jìng)技場(chǎng)中，全局快門CMOS圖像傳感器扮演著關(guān)鍵角色。當(dāng)設(shè)計(jì)需要捕捉高速動(dòng)態(tài)場(chǎng)景的方案時(shí)，僅僅關(guān)注分辨率或幀率遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。傳感器的核心特性——尤其是其快門機(jī)制——直接決定了能否無(wú)失真地“凍結(jié)”瞬間。深入理解全局快門在高速環(huán)境下的優(yōu)勢(shì)，并權(quán)衡光學(xué)格式、動(dòng)態(tài)范圍、噪聲表現(xiàn)（SNR）、像素架構(gòu)，乃至功耗、接口、HDR處理能力等綜合特性，是選擇真正匹配高速需求的圖像傳感器的必經(jīng)之路。為了幫助篩選這些規(guī)格和功能，一個(gè)重要的考慮因素是傳感器的預(yù)期應(yīng)用。某些應(yīng)用需要非常高的分辨率來(lái)捕捉靜止物體，而另一些應(yīng)用
關(guān)鍵字：安森美 CMOS 傳感器 HDR

這一領(lǐng)域芯片，重度依賴臺(tái)積電

英特爾和三星正在研發(fā)先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)的封裝技術(shù)，但目前所有大型廠商都已 100% 依賴臺(tái)積電。大型語(yǔ)言模型（例如 ChatGPT 等 LLM）正在推動(dòng)數(shù)據(jù)中心 AI 容量和性能的快速擴(kuò)展。更強(qiáng)大的 LLM 模型推動(dòng)了需求，并需要更多的計(jì)算能力。AI 數(shù)據(jù)中心需要 GPU/AI 加速器、交換機(jī)、CPU、存儲(chǔ)和 DRAM。目前，大約一半的半導(dǎo)體用于 AI 數(shù)據(jù)中心。到 2030 年，這一比例將會(huì)更高。臺(tái)積電在 AI 數(shù)據(jù)中心邏輯半導(dǎo)體領(lǐng)域幾乎占據(jù) 100% 的市場(chǎng)份額。臺(tái)積電生產(chǎn)：Nv
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2D CMOS，下一個(gè)飛躍

二維材料憑借其原子級(jí)厚度和高載流子遷移率，提供了一種極具前景的替代方案。
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激光雷達(dá)掃壞CMOS，難道汽車都要變成“光棱坦克”了？

激光雷達(dá)，對(duì)于汽車產(chǎn)業(yè)的重要性不言而喻，它是自動(dòng)駕駛汽車感知周圍環(huán)境的關(guān)鍵傳感器之一。憑借其高精度的 360 度全方位掃描能力，激光雷達(dá)能夠?qū)崟r(shí)生成車輛周圍環(huán)境的精確三維地圖，精準(zhǔn)檢測(cè)并追蹤其他車輛、行人、障礙物等，為自動(dòng)駕駛決策系統(tǒng)提供精準(zhǔn)且可靠的數(shù)據(jù)支持，是保障自動(dòng)駕駛汽車安全行駛、實(shí)現(xiàn)智能駕駛功能落地的核心基石，正推動(dòng)著汽車產(chǎn)業(yè)向著更智能、更安全的方向加速變革。但是在給車輛更安全的環(huán)境感知能力之時(shí)，各位讀者有沒(méi)有想過(guò)，這些越來(lái)越多激光雷達(dá)，會(huì)逐漸開始危害我們的財(cái)產(chǎn)安全，而首當(dāng)其沖的就是手機(jī)
關(guān)鍵字：激光雷達(dá) CMOS 攝影 ADAS

使用LDO和PLD實(shí)現(xiàn)電源啟用和禁用功能

許多系統(tǒng)需要通過(guò)控制線或在施加輸入電源時(shí)啟用和禁用。雖然小型微控制器（MCU）可以實(shí)現(xiàn)啟用/禁用功能，但您仍然需要為其編寫、維護(hù)和燒錄代碼。許多使用片上系統(tǒng) （SoC）的設(shè)計(jì)在該芯片內(nèi)都有一個(gè) MCU;添加另一個(gè)是多余的。此外，SoC 中的 MCU 不夠低功耗，無(wú)法保持始終開啟并提供啟用控制器功能。本文討論了一種低成本、低功耗的使能控制器硬件解決方案，該解決方案使用低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）和可編程邏輯器件（PLD），僅消耗微安級(jí)電流。PLD 預(yù)編程了實(shí)現(xiàn)使能控制器決策功能所需的邏輯
關(guān)鍵字： LDO PLD 電源啟用禁用 TI

CMOS可靠性測(cè)試：脈沖技術(shù)如何助力AI、5G、HPC？

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著技術(shù)的不斷演進(jìn)，對(duì)CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能（AI）、5G通信和高性能計(jì)算（HPC）等前沿技術(shù)的推動(dòng)下，傳統(tǒng)的可靠性測(cè)試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術(shù)在CMOS可靠性測(cè)試中的應(yīng)用，以及它如何助力這些新興技術(shù)的發(fā)展。引言對(duì)于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為而言，交流或脈沖應(yīng)力是傳統(tǒng)直流應(yīng)力測(cè)試的有力補(bǔ)充。在NBTI（負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性）和TDDB（隨時(shí)間變化的介電擊穿）試驗(yàn)中，應(yīng)力/測(cè)量循環(huán)通常采用直流信號(hào)，因其易于映射到器件模型中。然而，結(jié)
關(guān)鍵字： CMOS 可靠性測(cè)試脈沖技術(shù) AI 5G HPC 泰克科技

CMOS_Sensor國(guó)產(chǎn)替代到什么程度了？

攝像頭CMOS傳感器（CMOS Image Sensor, CIS）是成像設(shè)備的核心部件，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、安防監(jiān)控、汽車電子、工業(yè)檢測(cè)等領(lǐng)域。以下是國(guó)內(nèi)外主流的CMOS傳感器廠家及其主要特點(diǎn)和代表性型號(hào)：從智能手機(jī)到自動(dòng)駕駛，從安防監(jiān)控到工業(yè)檢測(cè)，CIS的身影無(wú)處不在。隨著技術(shù)不斷演進(jìn)，CIS市場(chǎng)格局也在悄然變化。今天，我們就來(lái)一次全景掃描，盤點(diǎn)國(guó)內(nèi)外主流CMOS傳感器廠商，以及那些正在崛起的新興勢(shì)力。當(dāng)年最缺芯片的時(shí)候，我別的不擔(dān)心，最擔(dān)心買不到索尼的Sensor，結(jié)果一開始我們用中國(guó)臺(tái)灣的可以替代
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圖像傳感器選擇標(biāo)準(zhǔn)多？成像性能必須排第一

當(dāng)涉及到技術(shù)創(chuàng)新時(shí)，圖像傳感器的選擇是設(shè)計(jì)和開發(fā)各種設(shè)備過(guò)程中一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，這些設(shè)備包括專業(yè)或家庭安防系統(tǒng)、機(jī)器人、條形碼掃描儀、工廠自動(dòng)化、設(shè)備檢測(cè)、汽車等。選擇最合適的圖像傳感器需要對(duì)眾多標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行復(fù)雜的評(píng)估，每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)影響最終產(chǎn)品的性能和功能。從光學(xué)格式和、動(dòng)態(tài)范圍到色彩濾波陣列（CFA）、像素類型、功耗和特性集成，這些標(biāo)準(zhǔn)的考慮因素多種多樣，錯(cuò)綜復(fù)雜。在各類半導(dǎo)體器件中，圖像傳感器可以說(shuō)是最復(fù)雜的。這些傳感器將光子轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，通過(guò)一系列微透鏡、CFA、像素和模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）產(chǎn)生數(shù)字輸出
關(guān)鍵字：圖像傳感器 CMOS 成像性能