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原子級工藝實現(xiàn)納米級圖形結構的要求
- 原子層刻蝕和沉積工藝利用自限性反應，提供原子級控制。泛林集團先進技術發(fā)展事業(yè)部公司副總裁潘陽博士?分享了他對這個話題的看法。圖 1.?原子層工藝中的所有半周期反應是自限性反應。技術節(jié)點的每次進步都要求對制造工藝變化進行更嚴格的控制。最先進的工藝現(xiàn)在可以達到僅7 nm的fin寬度，比30個硅原子稍大一點。半導體制造已經跨越了從納米級到原子級工藝的門檻。工程師現(xiàn)在必須關注結構的尺寸變化，僅相當于幾個原子大小。由于多重圖案模式等復雜集成增加了工藝數(shù)量，進一步限制了每個步驟允許的變化。3D N
- 關鍵字： ALE ALD CER EPE SAC CAR
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