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新型LED驅(qū)動(dòng)器IC可實(shí)現(xiàn)大功率汽車(chē)LED前燈
- 到2015年， 高亮度(HB)LED的市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到202 億美元( 數(shù)據(jù)來(lái)源：Strategies Unlimited)。驅(qū)動(dòng)這種增長(zhǎng)的關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域之一是汽車(chē)設(shè)計(jì)中使用的LED，包括
- 關(guān)鍵字： LED驅(qū)動(dòng)器 IC 前燈
英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲
- 去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場(chǎng)。新的非易失性芯片據(jù)稱(chēng)會(huì)從根本上改變計(jì)算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。 根據(jù)英特爾自己的營(yíng)銷(xiāo)材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲(chǔ)器速度，而且還提供了出色的存儲(chǔ)密度。這使得存儲(chǔ)設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號(hào)。英特爾當(dāng)時(shí)宣稱(chēng)這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來(lái)英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲
- 去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場(chǎng)。新的非易失性芯片據(jù)稱(chēng)會(huì)從根本上改變計(jì)算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。 根據(jù)英特爾自己的營(yíng)銷(xiāo)材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲(chǔ)器速度，而且還提供了出色的存儲(chǔ)密度。這使得存儲(chǔ)設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號(hào)。英特爾當(dāng)時(shí)宣稱(chēng)這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來(lái)英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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2017年中國(guó)將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧
- 摘要：由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國(guó)公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。在中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的，也是全國(guó)各地都爭(zhēng)著上馬的項(xiàng)目，其中國(guó)家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 2015年中，國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓廠正式動(dòng)工，整個(gè)項(xiàng)目預(yù)
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2017年中國(guó)將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存
- 由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國(guó)公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。在中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的，也是全國(guó)各地都爭(zhēng)著上馬的項(xiàng)目，其中國(guó)家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。 2015年中，國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓
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推動(dòng)“大眾創(chuàng)業(yè)、萬(wàn)眾創(chuàng)新”
- 中國(guó)重慶渝北區(qū)仙桃數(shù)據(jù)谷近日建立 “ ARM架構(gòu)集成電路產(chǎn)業(yè)支持平臺(tái)”，該平臺(tái)將為在重慶渝北區(qū)落戶的IC設(shè)計(jì)企業(yè)提供ARM IP購(gòu)買(mǎi)、技術(shù)服務(wù)、設(shè)計(jì)工具、培訓(xùn)等全方位支持。 該平臺(tái)的建立將直接推動(dòng)重慶本地以IC設(shè)計(jì)為代表的電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新項(xiàng)目發(fā)展，凡在重慶仙桃數(shù)據(jù)谷落地的電子與集成電路設(shè)計(jì)相關(guān)企業(yè)今后都能申請(qǐng)此平臺(tái)支持，重慶渝北區(qū)政府將對(duì)符合條件的項(xiàng)目與企業(yè)提供優(yōu)惠補(bǔ)貼，幫助其迅速并以優(yōu)惠價(jià)格獲得ARM IP、設(shè)計(jì)工具以及相關(guān)培訓(xùn)與技術(shù)支持等。該平臺(tái)的建立有利于IC設(shè)計(jì)企業(yè)降
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IC 的熱特性-熱阻
- IC 封裝的熱特性對(duì)IC 應(yīng)用和可靠性是非常重要的參數(shù)。本文詳細(xì)描述了標(biāo)準(zhǔn)封裝的熱特性主要參數(shù)：熱阻(ΘJA、ΘJC、ΘCA)等參數(shù)。本文就熱阻相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展、物理意義及測(cè)量方式等相關(guān)問(wèn)題作詳細(xì)介紹，并提出了在實(shí)際系統(tǒng)中熱計(jì)算和熱管理的一些經(jīng)驗(yàn)方法。希望使電子器件及系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師能明了熱阻值的相關(guān)原理及應(yīng)用，以解決器件及系統(tǒng)過(guò)熱問(wèn)題。
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大陸IC產(chǎn)業(yè) 國(guó)家意志崛起
- 回顧2011～2015年資料，中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)年產(chǎn)值增幅保持在10%以上，近2年增長(zhǎng)幅度更是維持在20%左右，而制造端從2012年起增速逐步上升，至2015年產(chǎn)值年增率更是來(lái)到25%，充分體現(xiàn)中國(guó)在IC制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面強(qiáng)烈的國(guó)家意志。 一、中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值 與IC制造業(yè)產(chǎn)值 積 體電路產(chǎn)業(yè)在國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全中占有至關(guān)重要的地位，2000年以來(lái)，中國(guó)政府發(fā)表了一系列IC產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)扶持和發(fā)展政策從未間斷，其中“國(guó)家積體電 路發(fā)展推進(jìn)綱要”提出目標(biāo)：中國(guó)積體電路產(chǎn)業(yè)
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中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園要當(dāng)“全球芯創(chuàng)中心”
- 很多國(guó)際企業(yè)與大師來(lái)中國(guó)，不一定是對(duì)中國(guó)有多么深的感情，而是因?yàn)橹袊?guó)的市場(chǎng)。因?yàn)楹Ｍ饪赡軟](méi)有這么大的市場(chǎng)，或市場(chǎng)已經(jīng)發(fā)展完了，而只有中國(guó)才有這種投資建設(shè)的需求?！ ”本┲嘘P(guān)村集成電路(IC)設(shè)計(jì)園正是看到了這點(diǎn)。一方面，積極扶植園內(nèi)中小型企業(yè)，另一方面，建立海外對(duì)接平臺(tái)力圖吸引國(guó)際化的創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)，為他們提供在華企業(yè)注冊(cè)、辦公條件、項(xiàng)目投融資等眾多便利條件。“我們按照世界一流園區(qū)來(lái)建造，成為‘全球‘芯’創(chuàng)中心’只是一個(gè)時(shí)間問(wèn)題?！北本┲嘘P(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園發(fā)展有限責(zé)任公司副總經(jīng)理指出?！ ?jù)悉，園區(qū)將打造創(chuàng)
- 關(guān)鍵字： 北京中關(guān)村集成電路(IC)設(shè)計(jì)園 安俠睿 201610
通過(guò)主動(dòng)輸出放電功能來(lái)保護(hù)敏感和昂貴的負(fù)載
- 傳統(tǒng)上，一直用高效率開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器給這類(lèi)器件供電，但是開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器可能有潛在的噪聲干擾問(wèn)題以及瞬態(tài)響應(yīng)和布局限制。因此， 低壓差(LDO)線性穩(wěn)壓器在這類(lèi)應(yīng)用以及其他低壓轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中開(kāi)始受到關(guān)注。本文通過(guò)介紹LDO和其他穩(wěn)壓器面臨的挑戰(zhàn)以及凌力爾特公司的LT306x 系列穩(wěn)壓器，說(shuō)明了在新的電路設(shè)計(jì)方法和改進(jìn)的芯片制造工藝下LDO的特點(diǎn)以及應(yīng)用前景。
- 關(guān)鍵字： LDO 線性穩(wěn)壓器 IC 負(fù)載 201610
3d-ic介紹
3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過(guò)晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱(chēng)之為中段，可由晶圓廠或封測(cè) [ 查看詳細(xì) ]
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