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12lp+finfet 文章最新資訊

SoC系統(tǒng)開發(fā)人員：FinFET對你來說意味著什么？

大家都在談論FinFETmdash;mdash;可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人mdash;mdash;除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜（FDSOI）的人，都認為20 nm節(jié)點以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言，其未來會怎樣呢？
關鍵字： SoC Synopsys FinFET

ALD技術在未來半導體制造技術中的應用

由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點，ALD（原子層淀積）技術早從21世紀初即開始應用于半導體加工制造。DRAM電容的高k介電質(zhì)沉積率先采用此技術，但近來ALD在其它半導體工藝領域也已發(fā)展出愈來愈廣泛的應用。
關鍵字： ALD 半導體制造 FinFET PVD CVD

FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn)

　　隨著高級工藝的演進，電路設計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設計挑戰(zhàn)。多重圖案拆分給設計實施過程帶來了許多重大布局限制，另外為降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶體管使之更加復雜，因為它對擺設和布線流程帶來了更多的限制。下面就隨模擬電子小編一起來了解一下相關內(nèi)容吧。　　FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn) 　　隨著高級工藝的演進，電路設計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設
關鍵字： FinFET

英特爾推全新低功耗FinFET技術　22納米制程戰(zhàn)場煙硝起

　　英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動全新22納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程22 FFL，相關開發(fā)套件(PDK)在接下來幾個月也將陸續(xù)到位，市場上認為22 FFL的推出，顯然是針對GlobalFoundries等業(yè)者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動裝置及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應用所生產(chǎn)之同類芯片而來。　　據(jù)EE Times Asia報導，英特爾稱自家22 FFL是市場上首款為低功耗IoT應用及移動裝置產(chǎn)品而開發(fā)出來的FinFET技術，能打造出高效能及低功耗的電晶體，漏電流(le
關鍵字：英特爾 FinFET

傳梁孟松加盟中芯國際兩岸半導體技術戰(zhàn)一觸即發(fā)

　　繼網(wǎng)羅到蔣尚義這位臺灣半導體大將后，大陸半導體產(chǎn)業(yè)又有新動作。據(jù)報道，傳大陸行業(yè)領頭羊中芯國際要將梁孟松收入麾下，梁孟松或于 5 月出任中芯國際 CTO 或 COO。和蔣尚義一樣，梁孟松同樣來自臺積電技術研發(fā)高層，他曾任臺積電資深研發(fā)處長。　　之前蔣尚義加入中芯時，已經(jīng)是半導體行業(yè)的一枚重磅炸彈了，畢竟無論是從他 40 多年的行業(yè)經(jīng)驗還是在臺積電的任職時間來看，他都堪稱元老。在臺積電，蔣尚義參與主導了從0.25微米、0.18微米直至16納米制程技術的研發(fā)，張忠謀曾感激他為“臺積電16年
關鍵字：中芯國際 FinFET

FinFET之父胡正明談人才培育

　　潘文淵文教基金會日前舉行“潘文淵獎”頒獎典禮，2016年的得獎人是加州大學柏克萊分校講座教授胡正明，他曾回臺擔任臺積電首任技術長，也是工研院院士，他所研發(fā)的3D鰭式晶體管(FinFET)突破物理極限，堪稱半導體工業(yè)40多年來的最大變革。　　胡正明目前仍深耕學術教育，為產(chǎn)學研界培育眾多優(yōu)秀人才。在頒獎典禮中，胡正明與清華大學前校長劉炯朗以“創(chuàng)新人才培育─邁向科技新世代”為題進行高峰論壇，兩人提出許多深具啟發(fā)性的見解。　　肯定自己解決問題就是創(chuàng)新
關鍵字： FinFET

胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶？

　　近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業(yè)界關注，為何?因為FD-SOI技術。　　眾所周知，當柵極長度逼近20nm大關時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時代續(xù)命的高招。　　盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，F(xiàn)inFET陣營占據(jù)絕對優(yōu)勢。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。　　今天我們就來談談Fi
關鍵字： FinFET FD-SOI

SOI與finFET工藝對比中國需要發(fā)展誰才正確

中國半導體業(yè)發(fā)展可能關鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實去干，去解決一個一個難題。任何進步?jīng)]有捷徑，其中骨干企業(yè)的責任尤為重要。
關鍵字： SOI finFET

高通總裁談服務器芯片：更低功耗實現(xiàn)相同性能

　　2016年12月7日，高通宣布在服務器領域的最新進展：其首款10nm服務器芯片Qualcomm Centriq 2400開始商用送樣，預計在2017年下半年實現(xiàn)商用。作為Qualcomm Centriq系列的首款產(chǎn)品，Centriq 2400采用最先進的10nm FinFET制程技術，這也是全球首款10nm處理器芯片，最高可配置48個核心。　　高通官方介紹，Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制內(nèi)核——Qualcomm? Fa
關鍵字：高通 FinFET

中國微電子所在FinFET工藝上的突破有何意義？

　　最近，中國微電子所集成電路先導工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實現(xiàn)了全金屬化源漏(MSD)，能顯著降低源漏寄生電阻，從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍，使得驅(qū)動性能達到了國際先進水平。　　基于本研究成果的論文被2016年IEEE國際電子器件大會(IEDM)接收，并在IEDM的關鍵分會場之一——硅基先導CMOS 工藝和制造技術(PMT)上，由張青竹
關鍵字： FinFET 摩爾定律

中國突破半導體新工藝先要從這位美籍華人講起

由于技術和商業(yè)上的原因，摩爾定律也失去了效力，而且受制于光刻技術、硅材料的極限等因素，芯片制程提升很可能會遭遇瓶頸，這種情況下胡正明教授的FinFET研究就尤為重要。
關鍵字：半導體 FinFET

格羅方德展示基于先進14nm FinFET工藝技術的業(yè)界領先56Gbps長距離SerDes

　　格羅方德公司今天宣布，已證實運用14納米FinFET工藝在硅芯片上實現(xiàn)真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產(chǎn)品系列的一部分，F(xiàn)X-14? 具有56Gbps SerDes，致力于為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應對最嚴苛的長距離高性能應用需求而準備?！　「窳_方德56Gbps SerDes 內(nèi)核同時支持 PAM4 和 NRZ 信號傳導，可補償超過35dB的插入損耗，因而無須在目前極
關鍵字：格羅方德 FinFET

控告三星/高通/蘋果FinFET技術侵權這家公司有多牛？

　　盡管距離國際標準化組織確定的2020年5G商用仍有3年時間之久，現(xiàn)在的4G網(wǎng)絡還有潛力挖掘和價值提升的空間，然而全球“大T”們(運營商)的發(fā)展焦點已經(jīng)向5G轉(zhuǎn)移，紛紛從技術研發(fā)、標準制定、產(chǎn)業(yè)儲備等方面入手，對5G進行全面布局。　　“預計2022年全球?qū)⒂?.5億5G用戶，其中北美和亞太將成為發(fā)展最快的兩大地區(qū)?！辫b于全球運營商的積極行動，業(yè)界紛紛調(diào)高了對5G發(fā)展速度的預期，愛立信在近期發(fā)布的《移動市場報告》中就給出了2020年5.5億用戶的預期。
關鍵字：三星 FinFET

FinFET技術發(fā)明人胡正明：網(wǎng)速有千百倍成長空間

　　半導體領域FinFET技術發(fā)明人胡正明說，由于半導體技術的突破，網(wǎng)際網(wǎng)路的速度和普及度還有千百倍的成長空間。　　在中國大陸烏鎮(zhèn)舉行的第3屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會，今年首次舉辦“世界互聯(lián)網(wǎng)領先科技成果發(fā)布活動”，由海內(nèi)外網(wǎng)路專家組成的專家征集并評選出15項最尖端的技術成果和最具創(chuàng)新性的商業(yè)模式。胡正明及其率領的研究團隊，在半導體微型化的突破成就是其中之一。　　胡正明率領的美國加州大學柏克萊分校團隊，將平面二維晶體管創(chuàng)新制作成垂直三維的“鰭式電晶體”，讓半導
關鍵字： FinFET

SoC系統(tǒng)開發(fā)人員：FinFET在系統(tǒng)級意味著什么？

大家都在談論FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20 nm節(jié)點以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來。但
關鍵字： SoC FinFET MOSFET

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行業(yè)首創(chuàng)！恩智浦攜手臺積電，推出汽車級16納米FinFET嵌入式MRAM

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傳梁孟松加盟中芯國際兩岸半導體技術戰(zhàn)一觸即發(fā)

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SOI與finFET工藝對比中國需要發(fā)展誰才正確

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中國微電子所在FinFET工藝上的突破有何意義？

中國突破半導體新工藝先要從這位美籍華人講起

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