長江存儲 文章 最新資訊
長江存儲3D NAND架構(gòu)Xtacking揭秘：I/O速度看齊DDR4
- 談到NAND閃存，或者說以它為代表的SSD產(chǎn)品，多數(shù)人對速度的理解集中在像是SATA 3/PCIe 3.0等外部接口上，但其實閃存芯片也有內(nèi)部接口，LGA/BGA都有引腳，所以就有引腳帶寬，即I/O接口速度的概念，一定程度上可理解為內(nèi)頻。 今晨結(jié)束的Flash Memory Summit(閃存技術(shù)峰會)的首日Keynote上，長江存儲(Yangtze Memory Technology，YMTC)壓軸出場，介紹了新的3D NAND架構(gòu)Xtacking?！ ￠L江存儲稱，數(shù)據(jù)產(chǎn)生的能力和貯存能力的增長是
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長江存儲/中芯國際紛紛訂購EUV，這能成就中國芯之夢嗎？
- 中興通訊受美國政府制裁一案，為大陸高端芯片的自主拉起警報，大陸自官方到民間無不立刻加大芯片研發(fā)的投資力度。
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價值7200萬美元，長江存儲首臺光刻機運抵武漢
- 長江存儲的首臺光刻機已于今天中午運抵武漢天河機場，設(shè)備相關(guān)的海關(guān)、商檢及邊防口岸的相關(guān)手續(xù)辦理完成后，即可運至長江存儲的工廠。據(jù)集微網(wǎng)獨家消息，這臺光刻機為ASML的193nm浸潤式光刻機，售價7200萬美元，用于14nm~20nm工藝。這也從側(cè)面透露了長江存儲3D NAND閃存芯片的工藝制程。這是長江存儲的第一臺光刻機，陸續(xù)還會有多臺運抵?！ D：ASML的光刻機安全降落武漢天河機場，正在卸貨中 在今年的4月5日，長江存儲首批400萬美元的精密儀器開始進場安裝，標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進
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武漢市長萬勇:長江存儲首個芯片今年點亮明年量產(chǎn)
- 全國人大代表、武漢市市長萬勇在接受采訪時表示，武漢市正在重點打造存儲器、商業(yè)航天、網(wǎng)絡(luò)安全人才與創(chuàng)新、智能網(wǎng)聯(lián)汽車和新能源汽車等四個國家級產(chǎn)業(yè)基地、加快培育戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。 萬勇透露，武漢國家存儲器基地計產(chǎn)能10萬片/月的一號生產(chǎn)及動力廠房，首個芯片會在2018年點亮，明年實現(xiàn)量產(chǎn)。而獲得國務(wù)院批復(fù)的武漢國家存儲器基地，規(guī)劃建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3DNANDFlash生產(chǎn)廠房，到2022年全部達產(chǎn)后，產(chǎn)能將達到30萬片/月，成為世界一流的存儲器生產(chǎn)基地。他表示，武漢圍繞芯片上游的設(shè)計封裝
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存儲器即將實現(xiàn)國產(chǎn)化，三星獨大的局面可望被中國打破
- 在春節(jié)長假期，國人歡慶佳節(jié)的時候，長江存儲的工廠依然在加緊建設(shè)，以確保今年三季度投產(chǎn)NAND flash，隨著長江存儲投產(chǎn)，中國可望打破當(dāng)前三星在NAND flash行業(yè)獨大的局面。 據(jù)介紹長江存儲正在建設(shè)的NAND flash存儲器工廠包括了三座全球潔凈面積最大NAND flash生產(chǎn)廠房，投資額高達240億美元，春節(jié)期間正在進行潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，計劃在4月份搬入機臺設(shè)備，三季度開始正式投產(chǎn)。 當(dāng)前全球NAND flash市場五大巨頭分別是三星
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湖北IC產(chǎn)業(yè)分析：長江存儲“攪動”存儲器產(chǎn)業(yè)
- 湖北，位于長江中游、洞庭湖以北，因為水網(wǎng)縱橫，湖泊密布而被稱為“千湖之省”。如此充沛的生產(chǎn)資源對于每天都需要消耗大量水、電的集成電路產(chǎn)業(yè)而言無疑是一個巨大的優(yōu)勢。 事實上，憑借著天然的地理位置優(yōu)勢，加上政府的大力扶持，湖北近幾年來在集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域取得了不俗的成績。 集成電路產(chǎn)業(yè)鏈雛形形成 自2000年確定發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)以來，經(jīng)過十多年的發(fā)展和布局，目前湖北省已經(jīng)形成了涵蓋設(shè)計、制造、封裝測試、終端應(yīng)用等較為完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。 據(jù)湖北省經(jīng)信委主任歐
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紫光國芯重大重組：子公司51.04%控股長江存儲
- 4月19日消息，紫光國芯股份有限公司發(fā)布重大資產(chǎn)重組進展公告，本次標(biāo)的公司為長江存儲科技控股有限責(zé)任公司，該公司于2016年12月21日成立，注冊資本 386 億元。公司間接控股股東紫光集團有限公司的控股子公司湖北紫光國器科技控股有限公司持有其 51.04%的股權(quán)，為其控股股東。 紫光國芯(股票代碼：002049)是紫光集團有限公司旗下半導(dǎo)體行業(yè)上市公司，是目前國內(nèi)最大的集成電路設(shè)計上市公司之一。公司的前身是成立于2001年的晶源電子，是國內(nèi)壓電晶體元器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。2015年，在清華控
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高啟全：長江存儲自主3D NAND、DRAM研發(fā)歡迎美光一起加入
- 臺灣DRAM教父高啟全轉(zhuǎn)戰(zhàn)大陸紫光集團操盤存儲器大計劃超過1年，日前晉升長江存儲的執(zhí)行董事、代行董事長，接受DIGITIMES獨家專訪公開未來規(guī)劃;他指出，已齊聚500名研發(fā)人員在武漢投入3D NAND開發(fā)，也考慮研發(fā)20/18納米DRAM，會在技術(shù)開發(fā)具競爭力后才開始投產(chǎn)，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利，且時間會對長江存儲有利! 長江存儲計劃存儲器的研發(fā)，制造基地在武漢、南京兩地，紫光2017年1月底資金到位，現(xiàn)階段長江存儲的股權(quán)結(jié)構(gòu)是大基金占25%、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和
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長江存儲3D閃存各項指標(biāo)已達預(yù)期 2019年全速量產(chǎn)
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國公司在此領(lǐng)域毫無話語權(quán)，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預(yù)計2020年會在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。 長江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國家存儲芯片基地，隨后
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