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遷移率
遷移率 文章 最新資訊
石墨柵極增強(qiáng)石墨烯遷移率以匹配半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)
- 追求二維材料中原始的電子質(zhì)量是現(xiàn)代物理學(xué)和材料科學(xué)進(jìn)步的核心，曼徹斯特大學(xué)的丹尼爾·戈?duì)柊蛦谭蚝图{鑫領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)在這一領(lǐng)域取得了重大突破。研究人員與 Kenji Watanabe 和 Takashi Taniguchi 等同事合作，通過(guò)戰(zhàn)略性地將石墨柵極放置在極靠近材料的位置，展示了石墨烯電子性能的變革性改進(jìn)。這種創(chuàng)新方法涉及將柵極放置在僅一納米之外，可顯著減少電荷變化和潛在波動(dòng)，最終提高石墨烯的遷移率，甚至超過(guò)最高質(zhì)量的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)。由此產(chǎn)生的材料表現(xiàn)出卓越的性能，能夠觀察以前被無(wú)序隱藏的微妙量子現(xiàn)象，
- 關(guān)鍵字： 石墨柵極 石墨烯 遷移率 半導(dǎo)體 異質(zhì)結(jié)構(gòu)
提高GaAs襯底上InAs量子阱的遷移率
- 德國(guó)的研究人員報(bào)告說(shuō)，在分子束外延 （MBE） 期間使用的表面平滑技術(shù)提高了砷化銦 （InAs） 量子阱 （QW） 在砷化鎵 （GaAs） 襯底上的遷移率，特別是在低于 120K 的低溫下 [A. Aleksandrova et al， Appl. Phys. Lett.， v126， p232109， 2025]。來(lái)自柏林洪堡大學(xué)、Institut Kurz GmbH 和 Paul-Drude-Institut für Festk?rperelektronik 的團(tuán)隊(duì)評(píng)論道：“隨著表面平滑的引
- 關(guān)鍵字： GaAs InAs 量子阱 遷移率
載流子遷移率測(cè)量方法總結(jié)
- 遷移率是衡量半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的重要參數(shù)，它決定半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率，影響器件的工作速度。已有很多文章對(duì)載流子遷移率的重要性進(jìn)行研究，但對(duì)其測(cè)量方法卻少有提到。本文對(duì)載流子測(cè)量方法進(jìn)行了小結(jié)。
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體材料 遷移率
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遷移率介紹
遷移率
在電場(chǎng)作用下，半導(dǎo)體中的載流子作定向漂移運(yùn)動(dòng),由此形成的電流稱為漂移電流。在電場(chǎng)強(qiáng)度不太大時(shí)，電子和空穴移動(dòng)的速度（也稱漂移速度）vn、vp與電場(chǎng)強(qiáng)度E成正比，可表示為
vn=－mnE 或vp=mpE
式中，mn為電子遷移率；mp為空穴遷移率。遷移率m是單位電場(chǎng)強(qiáng)度引起的載流子的平均漂移速度，其數(shù)值與半導(dǎo)體的材料、摻雜濃度、溫度等有關(guān)。在室溫300K時(shí)，硅材料的mn =0.13 [ 查看詳細(xì) ]
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