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英飛凌推出基于MEMS的集成式先進超聲波傳感器
- 英飛凌科技股份公司在開發(fā)電容式微機械超聲波傳感器（CMUT）技術(shù)方面取得重大進展。憑借這項技術(shù)，公司推出首款高度集成的單芯片解決方案，該方案基于微機電系統(tǒng)（MEMS）的超聲波傳感器，擁有更小的占板面積以及更強大的性能和功能，可廣泛用于開發(fā)新型超聲波應(yīng)用和改進消費電子、汽車工業(yè)與醫(yī)療技術(shù)領(lǐng)域的現(xiàn)有應(yīng)用。英飛凌科技高級總監(jiān)Emanuele Bodini表示：“英飛凌的超聲波技術(shù)可以實現(xiàn)很高的信噪比和集成度，因此我們認為該器件代表著行業(yè)的一大突破。我們希望利用這項技術(shù)開發(fā)出一個服務(wù)于不同行業(yè)多種應(yīng)用場景的產(chǎn)品平
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功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)（一）---功率半導(dǎo)體的熱阻
- / 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。散熱功率半導(dǎo)體器件在開通和關(guān)斷過程中和導(dǎo)通電流時會產(chǎn)生損耗，損失的能量會轉(zhuǎn)化為熱能，表現(xiàn)為半導(dǎo)體器件發(fā)熱，器件的發(fā)熱會造成器件各點溫度的升高。半導(dǎo)體器件的溫度升高，取決于產(chǎn)生熱量多少（損耗）和散熱效率（散熱通路的熱阻）。IGBT模塊的風(fēng)冷散熱
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功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)（二）---熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)
- / 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。第一講 《功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（一）----功率半導(dǎo)體的熱阻》 ，已經(jīng)把熱阻和電阻聯(lián)系起來了，那自然會想到熱阻也可以通過串聯(lián)和并聯(lián)概念來做數(shù)值計算。熱阻的串聯(lián)首先，我們來看熱阻的串聯(lián)。當兩個或多個導(dǎo)熱層依次排列，熱量依次通過
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（三）----功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
- / 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會聯(lián)系實際，比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。功率半導(dǎo)體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導(dǎo)熱脂層串聯(lián)構(gòu)成的。各層都有相應(yīng)的熱阻，這些熱阻是串聯(lián)的，總熱阻等于各熱阻之和，這是因為熱量在傳遞過程中，需要依次克服每一個熱阻，所以總熱阻就是
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法
- / 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個很復(fù)雜的問題，從芯片表面測量溫度，可以發(fā)現(xiàn)單個芯片溫度也是不均勻的。所以工程上設(shè)計一般可以取加權(quán)平均值或給出設(shè)計余量。這是一個MOSFET單管中的芯片，直觀可以看出芯片表面溫度是不一致的，光標1的位置與光標2位置溫度
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容
- / 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。熱容熱容 C th 像熱阻 R th 一樣是一個重要的物理量，它們具有相似的量綱結(jié)構(gòu)。熱容和電容，都是描述儲存能力物理量，平板電容器電容和熱容的對照關(guān)系如圖所示。平板電容器電容和熱容
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（七）——熱等效模型
- 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。有了熱阻熱容的概念，自然就會想到在導(dǎo)熱材料串并聯(lián)時，就可以用阻容網(wǎng)絡(luò)來描述。一個帶銅基板的模塊有7層材料構(gòu)成，各層都有一定的熱阻和熱容，哪怕是散熱器，其本身也有熱阻和熱容。整個散熱通路還包括導(dǎo)熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時間尺度下
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（九）——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴散
- / 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。任何導(dǎo)熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理說，銅基板也會有額外的熱阻，那為什么實際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢？這是因為熱的橫向擴散帶來的好處。熱橫向擴散除了熱阻熱容，另一個影響半導(dǎo)體散熱的重要物理效應(yīng)為熱的橫向傳
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十）——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)
- / 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。為什么引入結(jié)構(gòu)函數(shù)？在功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章 《功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法》 和 《功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法》 分別講了功率半導(dǎo)體結(jié)溫、芯片溫度、殼溫和散熱器溫度的測試方法，用的
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息
- 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標準和工程測量方法。驅(qū)動IC電流越來越大，如采用DSO-8 300mil寬體封裝的EiceDRIVER? 1ED3241MC12H和1ED3251MC12H 2L-SRC緊湊型單通道隔離式柵極驅(qū)動器，驅(qū)動電流高達+/-18A，且具有兩級電壓變化率控制和有
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英飛凌推出用于智能有刷直流電機應(yīng)用的新型MOTIX?全橋IC系列
- 隨著汽車行業(yè)的不斷發(fā)展，曾經(jīng)的高端功能如今已成為標配。因此，智能低壓電機在塑造未來汽車用戶體驗方面將發(fā)揮日益重要的作用。汽車制造商正在尋求更加可靠、節(jié)能、經(jīng)濟，同時在惡劣條件下也能正常工作的半導(dǎo)體解決方案。為滿足這一需求，英飛凌科技股份公司近日推出專為有刷直流電機應(yīng)用設(shè)計的全橋/H橋集成電路（IC）產(chǎn)品系列——MOTIX??Bridge BTM90xx。新型BTM90xx?全橋IC不僅豐富了英飛凌的產(chǎn)品陣容，還補充了從驅(qū)動器IC到高度集成化系統(tǒng)級芯片（SoC）解決方案的MOTIX?低壓
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英飛凌宣布合并傳感器和射頻業(yè)務(wù)
- 1月20日消息，日前，英飛凌科技股份公司宣布成立一個新的業(yè)務(wù)部門，將現(xiàn)有的傳感器和射頻（RF）業(yè)務(wù)合并為一個專門的組織，以推動公司在傳感器領(lǐng)域的發(fā)展。新的業(yè)務(wù)部門SURF（傳感器單元和射頻）將成為電源和傳感器系統(tǒng)（PSS）部門的一部分，并包括以前的汽車和多市場傳感與控制業(yè)務(wù)。通過結(jié)合其傳感器和射頻專業(yè)知識，英飛凌利用成本和研發(fā)協(xié)同效應(yīng)加速創(chuàng)新和為客戶提供價值，從而增強其競爭力和上市方法。這一戰(zhàn)略舉措將利用傳感器和射頻市場的巨大市場潛力，預(yù)計到2027年將超過200億美元。新業(yè)務(wù)部門于2025年1月1日生效
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英飛凌攜手Flex展示用于軟件定義汽車的區(qū)域控制器設(shè)計平臺
- 在2025年國際消費電子展（CES 2025）期間，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司攜手多元化全球制造商兼英飛凌新晉首選汽車設(shè)計合作伙伴Flex，展示用于軟件定義汽車的全新Flex模塊化區(qū)域控制器設(shè)計平臺。該平臺是一個具有模塊化微控制器（MCU）架構(gòu)和通用硬件構(gòu)建模塊的創(chuàng)新、可擴展區(qū)域控制單元（ZCU）。Flex區(qū)域控制器Flex模塊化區(qū)域控制器平臺是一個用于快速實現(xiàn)ZCU的車規(guī)級設(shè)計解決方案。借助該平臺，汽車制造商能夠靈活且大規(guī)模地交付軟件定義汽車。這款新一代區(qū)域控制器平臺將英飛
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英飛凌介紹
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財年公司營業(yè)額達71.9億歐元，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。作為國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業(yè)電子、內(nèi)存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導(dǎo)體產(chǎn)品及完整的系統(tǒng)解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發(fā)，全球共擁有41,000項專利。自從1996年在無錫建立 [ 查看詳細 ]
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