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南亞科宣布10nm級(jí)內(nèi)存完全自主開發(fā) DDR4/LPDDR4/DDR5齊發(fā)
- 全球DRAM內(nèi)存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中，他們的份額高達(dá)95%以上，關(guān)鍵原因就在于這三家的技術(shù)專利形成了極高的門檻，其他公司突圍起來(lái)很難。南亞科之前的內(nèi)存也是來(lái)自美光授權(quán)，今年他們將轉(zhuǎn)向自研的10nm級(jí)內(nèi)存，未來(lái)將自產(chǎn)DDR4/LPDDR4/DDR5等內(nèi)存顆粒。在美光前兩年全資收購(gòu)華亞科之后，南亞科技變成了全球第四大內(nèi)存廠，不過(guò)份額只有2%左右，而且技術(shù)來(lái)源也主要是美光授權(quán)，而且技術(shù)落后較多，在三星、美光、SK海力士轉(zhuǎn)向1X、1Y、1Znm工藝之后，南亞的主力還是30nm等，來(lái)自美光
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美光出樣DDR5內(nèi)存：1Znm工藝、性能提升85%
- 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時(shí)每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝
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損失華為訂單致盈利暴跌 美光CEO：我們與華為關(guān)系非常好
- 在本周四參加彭博中國(guó)經(jīng)濟(jì)新論壇會(huì)議期間，美光CEO桑杰·梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）談到了與中國(guó)科技公司華為的關(guān)系，表示“我們與華為的關(guān)系非常好?！苯衲?月份，美國(guó)政府將華為列入實(shí)體清單，禁止美國(guó)公司與華為做生意，美國(guó)隨后也宣布停止對(duì)華為供應(yīng)閃存及內(nèi)存等芯片。斷供華為之后，美光也損失了一個(gè)大客戶，據(jù)報(bào)道2018年華為從美光采購(gòu)了價(jià)值17億美元的內(nèi)存及11億美元的閃存芯片，差不多占了美光公司10%的營(yíng)收，是美光VIP客戶之一。這件事也對(duì)美光Q3季度的財(cái)報(bào)產(chǎn)生了影響，當(dāng)季營(yíng)收48.7億美元，環(huán)比
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兆易創(chuàng)新融資43億研發(fā)國(guó)內(nèi)內(nèi)存 19/17nm工藝追平三星美光
- 2019年國(guó)產(chǎn)內(nèi)存實(shí)現(xiàn)了0的突破，合肥長(zhǎng)鑫前不久宣布量產(chǎn)10nm級(jí)DDR4內(nèi)存，核心容量8Gb。除此之外，另外一家存儲(chǔ)芯片公司兆易創(chuàng)新也宣布研發(fā)內(nèi)存，10.1日該公司宣布融資43億元，主要用于研發(fā)1Xnm工藝的內(nèi)存芯片。根據(jù)兆易創(chuàng)新的公告，本次非公開發(fā)行A股股票的發(fā)行對(duì)象為不超過(guò)10名特定投資者，發(fā)行的股票數(shù)量不超過(guò)本次發(fā)行前公司股份總數(shù)的20%，即不超過(guò)64,224,315股（含本數(shù)）。預(yù)案顯示，兆易創(chuàng)新本次發(fā)行募集資金總額（含發(fā)行費(fèi)用）不超過(guò)人民幣432,402.36萬(wàn)元（含本數(shù)），扣除發(fā)行費(fèi)用后的募
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美光流片第四代3D閃存：全新替換柵極架構(gòu)
- 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。美光第四代3D閃存堆疊了最多128層，繼續(xù)使用陣列下CMOS設(shè)計(jì)思路，不過(guò)美光與Intel使用多年的浮動(dòng)?xùn)艠O(floating gate)換成了替換柵極(replacement gate)，以縮小尺寸、降低成本、提升性能，升級(jí)到下一代制造工藝也更容易。這種新架構(gòu)是美光獨(dú)自研發(fā)的，并沒有Intel的幫助，雙方已經(jīng)越走越遠(yuǎn)。不過(guò)，完成流片只是美光新閃存的一步嘗試，美光還沒有計(jì)劃將任何一條產(chǎn)品線轉(zhuǎn)向RG
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美光宣布量產(chǎn)第3代10納米級(jí)制程DRAM
- 根據(jù)國(guó)外科技媒體《Anandtech》的報(bào)導(dǎo)指出，日前美系存儲(chǔ)器大廠美光科技(Micron)正式宣布，將采用第3代10納米級(jí)制程(1Znm)來(lái)生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來(lái)生產(chǎn)的DRAM將會(huì)是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲(chǔ)器。對(duì)此，市場(chǎng)預(yù)估，美光的該項(xiàng)新產(chǎn)品還會(huì)在2019年底前，在美光位于中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線。
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美光、SK海力士和西部數(shù)據(jù)都減產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，三星：我不減產(chǎn)
- 據(jù)BusinessKorea報(bào)道，近日，美光科技、SK海力士和西部數(shù)據(jù)等內(nèi)存芯片制造商宣布，隨著全球需求的下降，他們將減產(chǎn)。相反，三星電子表示，它不會(huì)減少其內(nèi)存芯片產(chǎn)量，而是通過(guò)提高生產(chǎn)線的效率來(lái)應(yīng)對(duì)不斷變化的市場(chǎng)環(huán)境。
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內(nèi)存跌價(jià)20% 美光內(nèi)存營(yíng)收暴跌45%
- 美光公司今天發(fā)布了截至5月30日的2019財(cái)年Q3財(cái)季報(bào)告，當(dāng)季營(yíng)收47.9億美元，同比下滑了40%，凈利潤(rùn)8.4億美元，同比暴跌了78%。美光營(yíng)收、盈利雙雙暴跌與閃存、內(nèi)存芯片跌價(jià)有關(guān)，特別是內(nèi)存芯片。根據(jù)美光財(cái)報(bào)，DRAM內(nèi)存芯片占了公司64%的營(yíng)收，當(dāng)季營(yíng)收環(huán)比下滑了19%，同比下滑了45%，ASP均價(jià)環(huán)比下跌了20%，出貨量與上季度基本持平。NAND閃存方面，營(yíng)收占了公司31%，當(dāng)季營(yíng)收環(huán)比下滑了19%，同比下跌了25%，ASP均價(jià)下滑沒有給出具體數(shù)據(jù)，說(shuō)的是mid-teens（中等級(jí)別的十位數(shù)）
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美光介紹
美光科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱美光科技）是全球最大的半導(dǎo)體儲(chǔ)存及影像產(chǎn)品制造商之一，其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進(jìn)的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)、計(jì)算機(jī)、服務(wù)、汽車、網(wǎng)絡(luò)、安防、工業(yè)、消費(fèi)類以及醫(yī)療等領(lǐng)域，為客戶在這些多樣化的終端應(yīng)用提供“針對(duì)性”的解決方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商之 [ 查看詳細(xì) ]
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