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	絕緣柵雙極管(igbt)
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          絕緣柵雙極管(igbt) 文章
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          IR 推出采用焊前金屬的汽車級絕緣柵雙極晶體管
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動汽車 (EV) 、混合電動汽車 (HEV) 和中功率驅動器中的高電流、高電壓汽車逆變器模塊。

　　AUIRG7CH80K6B-M 采用了 IR 的最新一代場截止溝槽技術，大幅度降低了傳導和開關損耗。此外，這款新器件的焊前金屬可實現(xiàn)雙面冷卻，提高了散熱性能，
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          • 關鍵字：
                        IR  IGBT  逆變器                          
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          中國南車建成大功率半導體產業(yè)基地
          
                                                            
            
                    	
          • 　　9月8日，隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片，國內最大的大功率半導體器件研發(fā)及產業(yè)化基地在中國南車正式投產。
　　為滿足國民經濟發(fā)展的急切需求，打破國外公司的市場壟斷，推動大功率半導體產業(yè)上水平、上規(guī)模，中國南車旗下的株洲南車時代電氣股份有限公司(南車時代電氣)依托公司良好的技術基礎，總投資近3.5億元，于2006年年底啟動大功率半導體器件研發(fā)及產業(yè)化基地的建設，歷經22個月后實現(xiàn)正式投產。
　　位于湖南株洲的生產基地總面積超2萬平方米，部分凈化級別達到了100級，由于產品對生產環(huán)境的要求極其苛刻
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          • 關鍵字：
                        半導體器件  IGBT  二極管                          
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          中國最大大功率半導體產業(yè)基地在湖南株洲投產
          
                                                            
            
                    	
          • 　　中國最大的大尺寸功率半導體器件研發(fā)及產業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產。長期以來，高端半導體器件技術和市場一直被國外壟斷，該基地的投產運行將加速推動國產化大功率半導體器件產業(yè)化進程。
　　大尺寸功率半導體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導體器件)是變流器的關鍵元件，被譽為電力電子產品的“CPU”，廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風力發(fā)電)、化工、冶煉等領域。長期以來，國內高端半導體器件技術和產品主要依靠進口，價格昂貴，嚴重制約民族工業(yè)的快速發(fā)展。
　　
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          • 關鍵字：
                        半導體  晶閘管  IGBT                          
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          基于雙IGBT的斬波式串級調速系統(tǒng)的研究
          
                                                            
            
                    	
          • 從普通串級調速原理入手，簡要分析影響串級調速系統(tǒng)功率因數(shù)的主要因素。對三相四線雙晶閘管串級調速、新型GTO串級調速等高功率方案分析與比較的基礎上，提出了一種新型三相四線制雙IGBT串級調速控制方案。
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          • 關鍵字：
                        IGBT  斬波  串級調速  系統(tǒng)                            
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          英飛凌再度稱雄功率電子市場
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司在功率電子半導體分立器件和模塊領域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導體分立器件和模塊全球市場》報告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長率高達7.8%?，F(xiàn)在，英飛凌在該市場上占據(jù)了10.2%的份額，其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區(qū)以及美洲，英飛凌也繼續(xù)獨占鰲頭，分別占據(jù)了22.8%和11.2%的市場份額。
　　隨著汽車、消費和工
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  IGBT  MOSFET                          
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          本土資本與高新產業(yè)完美結合 “鳳凰模式”借讀 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　經濟領域有兩大活躍因子：技術與資本。走進鳳凰半導體科技有限公司，你可以感受到這兩大活躍因子結合后迸發(fā)出的強勁效應。這家注冊于2008年7月的“530”企業(yè)，一期工廠已開始安裝設備。今年9月正式投產后,其生產的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片將填補國內空白，告別同類產品依賴進口的局面。
　　剛滿“周歲”的鳳凰半導體就將進入產業(yè)化階段,其速度令人驚奇，但在總經理屈志軍看來,這一局面的形成并不意外。原因有二：一是所率留美博士團隊擁有國際一流技術;二是擁有
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          • 關鍵字：
                        變頻開關  IGBT                          
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          IGBT在客車DC 600 V系統(tǒng)逆變器中的應用與保護
          
                                                            
            
                    	
          •  IGBT綜述
            1．1 IGBT的結構特點
            IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應管的優(yōu)點而發(fā)展的一種新型復合電子器
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          • 關鍵字：
                        IGBT  600  系統(tǒng)  逆變器                            
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          基于EXB841的IGBT驅動和保護電路研究
          
                                                            
            
                    	
          •  引  言    多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特
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          • 關鍵字：
                        電路  研究  保護  驅動  EXB841  IGBT  基于  電源                          
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          新IGBT技術提高應用性能
          
                                                            
            
                    	
          •     在日益增長的變頻器市場，許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關頻率而著稱的新IGBT技術施展的舞臺。在62毫米（當前模塊的標準尺寸）模塊中使用新IGBT技術使用戶可以因不必改變其機械
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          • 關鍵字：
                        IGBT  性能                            
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          大功率弧焊逆變電源的IGBT保護技術
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：本文通過分析IGBT的結構及其安全工作區(qū)，解釋了在實際應用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結合單片機的控制程序對弧焊逆變電源的IGBT采取相應措施進行保護，從而確保了IGBT安全可靠的工作。 敘詞：IGB
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          • 關鍵字：
                        技術  保護  IGBT  逆變電源  大功率  電源                          
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          IGBT驅動器輸出性能的計算
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是應用廣泛的功率半導體器件，驅動器的合理設計對于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹了一些計算用于開關IGBT的驅動器輸出性能的方法。 敘詞：IGBT，驅動
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          • 關鍵字：
                        計算  性能  輸出  驅動器  IGBT                          
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          英飛凌與LS合組新公司，聚焦白家電電源模塊
          
                                                            
            
                    	
          • 　　新聞事件：
　　韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd
　　事件影響：
　　將使英飛凌和LSI得以加速進入高效能家電、低功率消費與標準工業(yè)應用等前景好的市場
　　LS預計于2010年1月在天安市的生產基地開始量產CIPOS模塊
　　韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產與行銷。
　　合
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  IGBT  CIPOS  射極控制二極管技術  SOI                          
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          功率半導體：節(jié)能應用顯身手中國市場現(xiàn)商機
          
                                                            
            
                    	
          • 　　6月4日，為期3天的“PCIM China 2009”展會在上海光大會展中心落下帷幕。在展會期間，國內外知名功率半導體廠商向與會觀眾展示了眾多新產品和高能效解決方案;同時，參展企業(yè)也紛紛表示對中國功率半導體的市場前景充滿信心。
　　新產品亮相PCIM展
　　一年一度的PCIM展是功率半導體領域的盛會，同時也是業(yè)內企業(yè)展示新技術、新產品的舞臺。在今年的展會上，英飛凌推出IGBT(絕緣柵雙極晶體管)MIPAQ base模塊，該模塊是變頻器的核心部件。在傳統(tǒng)的變頻器中，通常要在I
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                        英飛凌  IGBT  DIPIPM                            
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          絕緣柵雙極管(igbt)介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極管(igbt)!
           
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