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	絕緣柵雙極型晶體管(igbt)
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章
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          英飛凌和飛兆半導體達成侵權訴訟和解協(xié)議
          
                                                            
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導體公司之間的專利侵權訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關的14項專利。
　　通過廣泛的半導體技術專利交叉許可，雙方就上述訴訟達成和解。根據(jù)和解協(xié)議，飛兆半導體將向英飛凌支付許可費，但協(xié)議的具體條款和條件保密。
　　英飛凌和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經達成和解，并將申請撤訴。
　　作為半導體行業(yè)的全球領袖，英飛凌目前正
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  MOSFET  IGBT                          
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          IGBT核心技術及人才缺失 工藝技術缺乏
          
                                                            
            
                    	
          • 　　新型電力半導體器件的代表，IGBT的產業(yè)化在我國還屬空白。無論技術、設備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應當認識到，電力半導體器件和集成電路在國民經濟發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應該對IGBT產業(yè)予以大力扶持。
　　眾所周知，電力電子技術可以提高用電效率，改善用電質量，是節(jié)省能源的王牌技術。當今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關元器件，它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導體器件的代表性器件，
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          • 關鍵字：
                        器件  IGBT  封裝  測試  MOSFET                          
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          寧波比亞迪半導體虧損調查：生產線可稱老古董
          
                                                            
            
                    	
          • 　　這是一個結果尚不明朗的賭注，巴菲特和王傳福站在一邊，巴菲特已經賭贏了，但是王傳福暫時還沒有。
　　初冬的傍晚天黑得早，寧波北侖港保稅港區(qū)的比亞迪(73.4,-0.70,-0.95%,經濟通實時行情)寧波半導體公司(原寧波中緯)依舊冒著騰騰的熱氣，公司墻上貼滿了新員工的名字，由于人數(shù)眾多，許多人還來不及辦理入廠證件。大批身穿比亞迪廠服的員工走出工廠大門，投入茫茫夜色，這里有許多來自深圳的年輕工程師，他們正試圖適應在寧波度過的第一個寒冷冬天。
　　這些員工身上，承載著王傳福的野心和夢想。“
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          • 關鍵字：
                        比亞迪  IGBT                          
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          功率半導體充當節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐
          
                                                            
            
                    	
          • 　　過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導體器件比作四肢，因為集成電路的作用是接受和處理信息，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產生控制功率，去驅動相關電機進行所需的工作。如今，新型功率半導體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應用逐漸普及，其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
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          • 關鍵字：
                        功率半導體  MOSFET  IGBT                          
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          關于IGBT導通延遲時間的精確測量方法
          
                                                            
            
                    	
          • IGBT以其輸入阻抗高，開關速度快，通態(tài)壓降低等特性已成為當今功率半導體器件的主流器件，但在它的使用過程中，精確測量導通延遲時間，目前還存在不少困難。在介紹時間測量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基礎上，利用其優(yōu)良的特性，設計一套高精度的IGBT導通延遲時間的測量系統(tǒng)，所測時間間隔通過液晶顯示器直接讀取，是一套較為理想的測量方案。
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          • 關鍵字：
                        IGBT  導通  精確測量  方法                            
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          IR 推出采用焊前金屬的汽車級絕緣柵雙極晶體管
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M，適用于電動汽車 (EV) 、混合電動汽車 (HEV) 和中功率驅動器中的高電流、高電壓汽車逆變器模塊。

　　AUIRG7CH80K6B-M 采用了 IR 的最新一代場截止溝槽技術，大幅度降低了傳導和開關損耗。此外，這款新器件的焊前金屬可實現(xiàn)雙面冷卻，提高了散熱性能，
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          • 關鍵字：
                        IR  IGBT  逆變器                          
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          中國南車建成大功率半導體產業(yè)基地
          
                                                            
            
                    	
          • 　　9月8日，隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片，國內最大的大功率半導體器件研發(fā)及產業(yè)化基地在中國南車正式投產。
　　為滿足國民經濟發(fā)展的急切需求，打破國外公司的市場壟斷，推動大功率半導體產業(yè)上水平、上規(guī)模，中國南車旗下的株洲南車時代電氣股份有限公司(南車時代電氣)依托公司良好的技術基礎，總投資近3.5億元，于2006年年底啟動大功率半導體器件研發(fā)及產業(yè)化基地的建設，歷經22個月后實現(xiàn)正式投產。
　　位于湖南株洲的生產基地總面積超2萬平方米，部分凈化級別達到了100級，由于產品對生產環(huán)境的要求極其苛刻
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          • 關鍵字：
                        半導體器件  IGBT  二極管                          
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          中國最大大功率半導體產業(yè)基地在湖南株洲投產
          
                                                            
            
                    	
          • 　　中國最大的大尺寸功率半導體器件研發(fā)及產業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產。長期以來，高端半導體器件技術和市場一直被國外壟斷，該基地的投產運行將加速推動國產化大功率半導體器件產業(yè)化進程。
　　大尺寸功率半導體器件(晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導體器件)是變流器的關鍵元件，被譽為電力電子產品的“CPU”，廣泛用于軌道交通、電力(高壓直流輸電、風力發(fā)電)、化工、冶煉等領域。長期以來，國內高端半導體器件技術和產品主要依靠進口，價格昂貴，嚴重制約民族工業(yè)的快速發(fā)展。
　　
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          • 關鍵字：
                        半導體  晶閘管  IGBT                          
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          基于雙IGBT的斬波式串級調速系統(tǒng)的研究
          
                                                            
            
                    	
          • 從普通串級調速原理入手，簡要分析影響串級調速系統(tǒng)功率因數(shù)的主要因素。對三相四線雙晶閘管串級調速、新型GTO串級調速等高功率方案分析與比較的基礎上，提出了一種新型三相四線制雙IGBT串級調速控制方案。
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          • 關鍵字：
                        IGBT  斬波  串級調速  系統(tǒng)                            
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          英飛凌再度稱雄功率電子市場
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　英飛凌科技股份公司在功率電子半導體分立器件和模塊領域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導體分立器件和模塊全球市場》報告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長率高達7.8%?，F(xiàn)在，英飛凌在該市場上占據(jù)了10.2%的份額，其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區(qū)以及美洲，英飛凌也繼續(xù)獨占鰲頭，分別占據(jù)了22.8%和11.2%的市場份額。
　　隨著汽車、消費和工
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  IGBT  MOSFET                          
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          本土資本與高新產業(yè)完美結合 “鳳凰模式”借讀 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　經濟領域有兩大活躍因子：技術與資本。走進鳳凰半導體科技有限公司，你可以感受到這兩大活躍因子結合后迸發(fā)出的強勁效應。這家注冊于2008年7月的“530”企業(yè)，一期工廠已開始安裝設備。今年9月正式投產后,其生產的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片將填補國內空白，告別同類產品依賴進口的局面。
　　剛滿“周歲”的鳳凰半導體就將進入產業(yè)化階段,其速度令人驚奇，但在總經理屈志軍看來,這一局面的形成并不意外。原因有二：一是所率留美博士團隊擁有國際一流技術;二是擁有
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          • 關鍵字：
                        變頻開關  IGBT                          
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          IGBT在客車DC 600 V系統(tǒng)逆變器中的應用與保護
          
                                                            
            
                    	
          •  IGBT綜述
            1．1 IGBT的結構特點
            IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應管的優(yōu)點而發(fā)展的一種新型復合電子器
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          • 關鍵字：
                        IGBT  600  系統(tǒng)  逆變器                            
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          基于EXB841的IGBT驅動和保護電路研究
          
                                                            
            
                    	
          •  引  言    多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特
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          • 關鍵字：
                        電路  研究  保護  驅動  EXB841  IGBT  基于  電源                          
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          絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹
          
      			
          
		      	
          
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