第九代 v-nand 文章最新資訊

停電余威沖擊NAND Flash出貨　價(jià)格維持小跌

日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外，市場(chǎng)傳出存儲(chǔ)器大廠東芝存儲(chǔ)器(TMC)當(dāng)?shù)貭I(yíng)運(yùn)的5座 NAND Flash工廠的營(yíng)運(yùn)中斷，盡管東芝存儲(chǔ)器尚未對(duì)外說(shuō)明影響，但據(jù)傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無(wú)法按照原定時(shí)程出貨。
關(guān)鍵字： ?威騰東芝存儲(chǔ)器 NAND Flash

NAND閃存連跌一年半減產(chǎn)也阻止不了跌價(jià)

NAND閃存價(jià)格已經(jīng)連跌了6個(gè)季度，這讓上游NAND廠商三星、東芝、美光等損失慘重，紛紛削減NAND產(chǎn)能。在群聯(lián)臺(tái)北電腦展上，群聯(lián)公司董事長(zhǎng)潘建成也預(yù)測(cè)NAND閃存價(jià)格已經(jīng)跌破了成本，未來(lái)跌幅會(huì)收窄，需求則會(huì)升溫。
關(guān)鍵字： NAND 減產(chǎn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層NAND量產(chǎn)在即　與紫光集團(tuán)角力戰(zhàn)漸起

市場(chǎng)傳出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有意改變策略，越過(guò)大股東紫光集團(tuán)的銷售管道，采取自產(chǎn)自銷3D NAND芯片的模式，也讓雙方暗自較勁的角力戰(zhàn)儼然成形。
關(guān)鍵字：紫光集團(tuán) 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND

為物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)發(fā)展做出突出貢獻(xiàn)，Entegris用了哪些方法？

當(dāng)前，我們正在經(jīng)歷第四次工業(yè)革命的歷史進(jìn)程，在這里催生了很多新技術(shù)和新市場(chǎng)，比如物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源、3D打印、納米技術(shù)等等。這么多新的技術(shù)和產(chǎn)品相互激勵(lì)、互相融合，共同推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展，從而改變?nèi)祟惖纳罘绞健?/li>
關(guān)鍵字：物聯(lián)網(wǎng) Entegris 3D NAND

NAND價(jià)格走跌，2019年P(guān)CIe SSD市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿薮?/a>

　　Admin 固態(tài)硬盤今天由于NVMe的價(jià)格溢價(jià)下降，預(yù)計(jì)今年P(guān)CIe連接驅(qū)動(dòng)器的銷售量將與SATA固態(tài)硬盤達(dá)到同等水平。　　據(jù)報(bào)道，固態(tài)硬盤(SSD)和閃存卡中使用的NAND閃存大幅降價(jià)正在推動(dòng)市場(chǎng)兩端的銷售。制造商正在為相對(duì)有利可圖的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心用例定制新的解決方案，而客戶端SSD的低成本正在推動(dòng)OEM廠商的采用率，以包含在PC中。　　根據(jù)該報(bào)告，最引人注目的是，512 GB固態(tài)硬盤的單價(jià)與2018年同期的256 GB固態(tài)硬盤相匹配，預(yù)計(jì)到2019年剩余時(shí)間內(nèi)固態(tài)硬盤的價(jià)格將從512 GB降

關(guān)鍵字： NAND SSD

集邦咨詢：受惠需求回溫及產(chǎn)能調(diào)節(jié)，第二季NAND Flash合約價(jià)跌幅略有收斂

　　Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出，受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長(zhǎng)、蘋果新機(jī)銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季各類NAND Flash產(chǎn)品合約價(jià)綜合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash轉(zhuǎn)為供過(guò)于求以來(lái)跌幅最劇的一季?！　≌雇诙?，DRAMeXchange分析師葉茂盛表示，歷經(jīng)第一季的需求低谷之后，智能手機(jī)、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。另一方面，NAND Flash供應(yīng)商
關(guān)鍵字： NAND UFS SSD

東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存：最早2020年上市

　　根據(jù)外媒的報(bào)道，東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準(zhǔn)備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中，該芯片將命名為BiCS-5?！　　　?jù)介紹，芯片將實(shí)現(xiàn)TLC，而不是更新的QLC。這可能是因?yàn)镹AND閃存制造商仍然對(duì)QLC芯片的低產(chǎn)量有擔(dān)心。該芯片的數(shù)據(jù)密度為512 Gb，新的128層芯片的容量比96層芯片多33%，可以在2020到2021年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)?！　?jù)報(bào)道，新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據(jù)報(bào)道，該芯片還采用了CuA(陣列電路)，這是一
關(guān)鍵字：東芝西數(shù) NAND

存儲(chǔ)市場(chǎng)寡頭競(jìng)爭(zhēng)，中國(guó)能否突出重圍

事實(shí)上中國(guó)巨額的投入也間接促進(jìn)了韓、美兩國(guó)大廠資本開支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開支就達(dá)到200億美金，因此，我國(guó)廠商的數(shù)字分?jǐn)偟矫磕辏€難以和龍頭廠商相比。雖然在量產(chǎn)初期，如此巨大的資本開支也會(huì)給中國(guó)企業(yè)帶來(lái)不小的折舊壓力，下行周期中技術(shù)、管理略遜的中國(guó)企業(yè)可能必須經(jīng)歷幾年內(nèi)虧損，但若想實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器的國(guó)產(chǎn)替代，這種投入十分必要。
關(guān)鍵字： NAND 存儲(chǔ)器

中國(guó)將增加在美半導(dǎo)體采購(gòu)量？韓媒：不太容易

　　據(jù)businesskorea報(bào)道，中國(guó)計(jì)劃在未來(lái)六年內(nèi)將在美國(guó)的半導(dǎo)體采購(gòu)增加到2000億美元(約合225.9萬(wàn)億韓元)，大約是目前水平的五倍?！　∪欢S多專家表示，美國(guó)急于遏制中國(guó)的半導(dǎo)體野心，不太可能接受中國(guó)的提議，因?yàn)樗鼘⒃黾訉?duì)中國(guó)的半導(dǎo)體依賴?！　№n國(guó)企業(yè)對(duì)該計(jì)劃持謹(jǐn)慎態(tài)度，主要有兩個(gè)原因?！　∈紫?，中國(guó)沒有提及將購(gòu)買哪一種半導(dǎo)體。一家韓國(guó)半導(dǎo)體公司的高級(jí)官員表示:“中國(guó)沒有說(shuō)明將進(jìn)口何種半導(dǎo)體芯片，無(wú)論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下，很難預(yù)測(cè)對(duì)韓國(guó)企業(yè)的影響。
關(guān)鍵字： NAND DRAM

IC Insights：大陸半導(dǎo)體制造困難大，五年后自制率不過(guò)半

ICInsights最新報(bào)告顯示，大陸的集成電路生產(chǎn)仍遠(yuǎn)低于政府的目標(biāo)。報(bào)告指出，2018年大陸半導(dǎo)體市場(chǎng)為......
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體晶圓 NAND

韓媒：存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)陷入低迷，中國(guó)企業(yè)或放緩前進(jìn)步伐

根據(jù)韓國(guó)媒體Business Korea報(bào)道，由于存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)從2018年年底迎來(lái)低迷，存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格下跌，各大存儲(chǔ)器廠商先后宣布降低產(chǎn)量以來(lái)，雖然三星仍然穩(wěn)坐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)頭把交椅，但是其盈利能力已經(jīng)受到質(zhì)疑?！　o(wú)獨(dú)有偶，SK海力士等廠商的日子也不好過(guò)。頭部廠商的日子尚且如此，那還在奮斗中的中國(guó)存儲(chǔ)器廠商又將面對(duì)怎樣的未來(lái)呢?　
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器，NAND

集邦咨詢：供需失衡態(tài)勢(shì)難止，NAND Flash供應(yīng)商2019年資本支出年減2%

　　根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND Flash市場(chǎng)經(jīng)歷全年供過(guò)于求，且2019年筆記本電腦、智能手機(jī)、服務(wù)器等主要需求表現(xiàn)仍難見起色，預(yù)計(jì)產(chǎn)能過(guò)剩難解。在此情況下，供應(yīng)商將進(jìn)一步降低資本支出以放緩擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)程，避免位元成長(zhǎng)過(guò)多導(dǎo)致過(guò)剩狀況加劇?！　RAMeXchange調(diào)查指出，2018年因供過(guò)于求難以遏制，韓系供應(yīng)商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調(diào)近10%，但供需失衡的情形仍無(wú)法逆轉(zhuǎn)。2019年美系廠商減少資本支出，使得NAND
關(guān)鍵字： NAND 東芝

存儲(chǔ)器行業(yè)的2018：冰與火之歌｜盤點(diǎn)2018

存儲(chǔ)器一直被看成是半導(dǎo)體行業(yè)的晴雨表，它的表現(xiàn)也影響著整個(gè)市場(chǎng)的枯榮變換。2018年的存儲(chǔ)器行業(yè)在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行，伴隨著技術(shù)上的幾許亮色，邁向了2019年。從熱火朝天到凜冬將至　　2017年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容，三大存儲(chǔ)器公司(三星、海力士、美光)的財(cái)報(bào)都非常喜人。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND

中天弘宇：攻克核心設(shè)計(jì)缺陷重建NOR閃存新生

閃存是當(dāng)今數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的重要介質(zhì)之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過(guò)隨著半導(dǎo)體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術(shù)的快速演進(jìn)，NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因?yàn)榇嬖诓糠衷O(shè)計(jì)缺陷而讓NOR閃存無(wú)法繼續(xù)跟進(jìn)先進(jìn)工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。不過(guò)，因?yàn)橹袊?guó)企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應(yīng)用也許將重獲新生。 “我們經(jīng)過(guò)了近十年的研發(fā)積累，完成了對(duì)原有NOR閃存架構(gòu)的大膽創(chuàng)新，也可以說(shuō)是一個(gè)完全的顛覆。我們沿用了整個(gè)NOR的架構(gòu)，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
關(guān)鍵字： NOR NAND 存儲(chǔ)器

半導(dǎo)體設(shè)備廠商競(jìng)爭(zhēng)格局生變？

　　半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商的排名在2016-2017年間沒有發(fā)生太大的變化，但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調(diào)轉(zhuǎn)，排名第一的應(yīng)用材料公司的寶座位置也岌岌可危。　　自1990年以來(lái)，應(yīng)用材料公司一直是半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前的1989年，坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子，該公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化，也許更重要的是，領(lǐng)頭羊和第二名的差距正在迅速收窄?！　?016年，應(yīng)用材料公司的市場(chǎng)份額比Lam
關(guān)鍵字： ASML NAND