相關(guān)性文章最新資訊

復(fù)雜半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中的相關(guān)性和共性分析

半導(dǎo)體行業(yè)正在進(jìn)入一個(gè)由異構(gòu)集成和復(fù)雜封裝技術(shù)定義的時(shí)代。晶圓對(duì)晶圓鍵合、小芯片、多堆疊芯片（2.5D/3D）、凸塊和系統(tǒng)級(jí)封裝架構(gòu)等創(chuàng)新正在實(shí)現(xiàn)前所未有的性能和功能。然而，隨著這些進(jìn)步，制造復(fù)雜性和生態(tài)系統(tǒng)的相互依賴性呈爆炸式增長(zhǎng)?，F(xiàn)在，在到達(dá)最終客戶之前，單個(gè)設(shè)備可能會(huì)接觸多個(gè)晶圓廠、OSAT 合作伙伴、基板供應(yīng)商、裝配廠和測(cè)試供應(yīng)商。這種分布式的多合作伙伴供應(yīng)鏈增加了機(jī)會(huì)和風(fēng)險(xiǎn)。缺陷、偏移或可靠性問(wèn)題幾乎可以源于生命周期的任何階段（設(shè)計(jì)、晶圓廠、組裝或最終測(cè)試），并且可能要到很久以后才顯現(xiàn)出來(lái)。在
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng) 相關(guān)性共性分析

通過(guò)對(duì)DC／DC轉(zhuǎn)換器低頻噪聲測(cè)試技術(shù)以及在y輻照前后電性能與1/f噪聲特性變化的對(duì)比分析，發(fā)現(xiàn)使用低頻噪聲表征DC／DC轉(zhuǎn)換器的可靠性是對(duì)傳統(tǒng)電參數(shù)表征方法的一種有效補(bǔ)充。對(duì)DC／DC轉(zhuǎn)換器輻照損傷與其內(nèi)部VDMOS器件1/f噪聲相關(guān)性進(jìn)行了研究，討論了引起DC／DC轉(zhuǎn)換器輻照失效的原因。
關(guān)鍵字： DC 相關(guān)性研究噪聲 VDMOS 輻照損傷器件轉(zhuǎn)換器

共2條 1/1 1