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微電子工藝專有名詞（1）

1 Active Area 主動(dòng)區(qū)（工作區(qū)）主動(dòng)晶體管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的區(qū)域即所謂的主動(dòng)區(qū)（ACTIVE AREA）。在標(biāo)準(zhǔn)之MOS制造過(guò)程中ACTIVE AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場(chǎng)區(qū)氧化所形成的，而由于利用到局部場(chǎng)氧化之步驟，所以ACTIVE AREA會(huì)受到鳥(niǎo)嘴（BIRD’S BEAK）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來(lái)的小，以長(zhǎng)0.6UM之場(chǎng)區(qū)氧化而言，大概會(huì)有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是說(shuō)ACTIVE AREA比原在之
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51 DRAM , SRAM 動(dòng)態(tài),靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存隨機(jī)存取記憶器可分動(dòng)態(tài)及靜態(tài)兩種，主要之差異在于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM），在一段時(shí)間（一般是0.5ms～5ms）后，資料會(huì)消失，故必須在資料未消失前讀取元資料再重寫(xiě)（refresh），此為其最大缺點(diǎn)，此外速度較慢也是其缺點(diǎn)，而DRAM之最大好處為，其每一記憶單元（bit）指需一個(gè)Transistor（晶體管）加一個(gè)Capacitor（電容器），故最省面積，而有最高之密度。而SRAM則有不需重寫(xiě)、速度快之優(yōu)點(diǎn)，但是密度低，每一記憶單元（bit）有兩類
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　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，針對(duì)英特爾公司在中國(guó)的芯片工廠獲得批準(zhǔn)的傳言，全球第一大芯片代工巨頭臺(tái)積電公司的董事長(zhǎng)張忠謀日前對(duì)媒體表示，臺(tái)灣地區(qū)行政機(jī)構(gòu)應(yīng)該加速對(duì)大陸地區(qū)開(kāi)放半導(dǎo)體先進(jìn)工藝，否則臺(tái)灣廠商在內(nèi)地將處于落后境地。　　去年年底，臺(tái)灣行政機(jī)構(gòu)剛剛批準(zhǔn)了島內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)向大陸地區(qū)輸出0.18微米線寬的8英寸芯片生產(chǎn)工藝。　　英特爾公司目前沒(méi)有對(duì)在中國(guó)的芯片工廠進(jìn)行證實(shí)，根據(jù)傳言，這座芯片廠將采用90納米工藝，位于中國(guó)北方的大連。90納米工藝已經(jīng)比臺(tái)灣廠商獲準(zhǔn)在大陸使用的180納米工藝(即0.18微
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ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP Velocity DDR存儲(chǔ)器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認(rèn)證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲(chǔ)器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲(chǔ)器接口是第一個(gè)通過(guò)TSMC IP質(zhì)量安全測(cè)試的9
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