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          子單元 文章
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          子單元長(zhǎng)期存放對(duì)焊接質(zhì)量的影響*
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 長(zhǎng)期進(jìn)行IGBT器件焊接封裝發(fā)現(xiàn)，IGBT器件封裝所用關(guān)鍵部件子單元的存放時(shí)間長(zhǎng)短對(duì)焊接空洞影響較大，本文分別對(duì)兩批存放時(shí)間差別較大的子單元進(jìn)行封裝，通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)比兩批產(chǎn)品的空洞率，結(jié)果表明存放時(shí)間較短的子單元焊接的IGBT器件空洞率明顯偏小，從而提高了IGBT器件的可靠性。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        IGBT  焊接  封裝  空洞率  子單元  202201                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
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