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LCD TV中的電源應(yīng)用方案
- LCD TV電源架構(gòu)的介紹 圖1所示為L(zhǎng)CD TV的電源架構(gòu)，圖中架構(gòu)的輸入電壓為90-265V，輸入頻率從47Hz到63Hz，經(jīng)過(guò)調(diào)試整流后會(huì)經(jīng)過(guò)PFC架構(gòu)，由于本文主要針對(duì)MOS，因此圖中沒(méi)有表示出調(diào)試整流部分。PFC根據(jù)所使用的IC選擇采用DCM或者CCM。從PFC出來(lái)后有一個(gè)PWM，如果輸出功率小于65W，則PWM端采用Flyback或QR模式?，F(xiàn)在LCD TV常用的是半橋共振和LLC架構(gòu)。5V一側(cè)有備用電源，目前LCD TV的備用電源通常采用的是IC綁定MOS。所不同的是逆變器部分，傳
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DDR3：千呼萬(wàn)喚始出來(lái) 尤抱琵琶半遮面
- 內(nèi)存是PC機(jī)重要的部件之一，一般而言，每代內(nèi)存規(guī)格的生命周期為3-5年，如今DDR2規(guī)格在經(jīng)歷了4年左右的發(fā)展后，已經(jīng)進(jìn)入了其生命的最后歷程。 隨著電腦技術(shù)以及應(yīng)用軟件的不斷進(jìn)步，在各種應(yīng)用當(dāng)中， DDR2內(nèi)存無(wú)論在性能還是功耗上對(duì)現(xiàn)今以及未來(lái)的需求都顯的有些捉襟見肘。作為IT行業(yè)的領(lǐng)跑者，在Intel現(xiàn)階段以及今后的發(fā)展藍(lán)圖中，我們可以看見DDR3內(nèi)存正逐漸取代DDR2。 作為即將取代DDR2規(guī)格內(nèi)存的DDR3，相比DDR2頻率上限更高且電壓更低，這些改進(jìn)能為我們帶來(lái)什么好處呢？
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針對(duì)功率設(shè)計(jì)的SDR解決方案
- 由于像美國(guó)聯(lián)合戰(zhàn)術(shù)無(wú)線電系統(tǒng)(JTRS)這樣的計(jì)劃，軟件定義的無(wú)線電(SDR)早已被證實(shí)。然而，有許多問(wèn)題嚴(yán)重地制約著SDR的廣泛部署，其中相當(dāng)重要的問(wèn)題就是功率。 功率是在設(shè)計(jì)每一個(gè)SDR子系統(tǒng)時(shí)的主要考慮因素，特別是因?yàn)樗鼈円谋扔布o(wú)線電更多的功率。例如，為了獲得預(yù)期的無(wú)線電通信距離(依賴于鏈路的狀況，典型值為5-10千米數(shù)量級(jí))，射頻(RF)前端必須具備足夠的發(fā)射功率。同樣，對(duì)于靠電池工作的無(wú)線電設(shè)備，RF前端、調(diào)制解調(diào)器和加密處理子系統(tǒng)的功耗都直接影響無(wú)線電設(shè)備的壽命。此外，對(duì)由調(diào)制
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便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)五大懸疑直擊
- 目前，便攜式產(chǎn)品已經(jīng)深入到我們生活的方方面面，成為引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前進(jìn)的主導(dǎo)力量，另一方面，便攜式產(chǎn)品種類也日益繁多，MP3、MP4、PMP、UMPC、PND、MID、移動(dòng)電視終端等便攜式新品不斷涌現(xiàn)，同時(shí)便攜式功能日益強(qiáng)大，不但能提供音頻、視頻播放等娛樂(lè)功能，還能提供導(dǎo)航、上網(wǎng)、商務(wù)等功能，在便攜式產(chǎn)品日新月異的同時(shí)，一個(gè)個(gè)疑問(wèn)也開始困擾便攜式設(shè)計(jì)工程師：未來(lái)便攜式產(chǎn)品會(huì)融合嗎？如何融合？融合哪些功能？如何應(yīng)對(duì)便攜式產(chǎn)品的電源管理挑戰(zhàn)？2008年7月17～18日，在深圳創(chuàng)意時(shí)代主辦的“PD
- 關(guān)鍵字： 便攜式產(chǎn)品 Linux 3M投影 飛兆半導(dǎo)體 功耗 意法半導(dǎo)體 電源 CMMB
Intel進(jìn)軍嵌入式的三個(gè)障礙(2)
- 功耗關(guān) 其次，功耗更低。ARM是以低功耗和近乎福利價(jià)的IP（知識(shí)產(chǎn)權(quán)）授權(quán)走遍天下的。Intel的功耗不低，為此推出了多核戰(zhàn)略。不僅如此，今年三季度（9月10日左右），Intel將推出第一個(gè)針對(duì)嵌入式市場(chǎng)的芯片：SoC(系統(tǒng)芯片)處理器“Tolapai”。實(shí)現(xiàn)了兩年前的承諾：集成了北橋和南橋。Tolapai處理器基于改良版的Pentium M核心，32-bit設(shè)計(jì)，頻率600MHz、1GHz、1.2GHz，采用65nm工藝制造，集成1.48億個(gè)晶體管，封裝面積37.5×37.5mm，熱設(shè)計(jì)功耗1
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異步 DSP 核心設(shè)計(jì)：更低功耗，更高性能
- 直到最近，異步電路僅僅在非常必要時(shí)才使用。由于學(xué)術(shù)界的偏見，它們通常被視為邊緣產(chǎn)品?，F(xiàn)在，許多商用設(shè)備已經(jīng)開發(fā)了上述針對(duì)各類小眾市場(chǎng)的功能。
完全基于異步邏輯的通用 DSP 核心的出現(xiàn)表明，現(xiàn)有的工具、技術(shù)和知識(shí)創(chuàng)造的商用產(chǎn)品可應(yīng)用于更大的客戶群體。更吸引人的是，該設(shè)備可與任何現(xiàn)有 DSP 一樣進(jìn)行同樣的編程和操作。也就是說(shuō)，這個(gè)解決方案在絲毫不影響可用性的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了異步技術(shù)的所有優(yōu)點(diǎn)。 - 關(guān)鍵字： 功耗 高性能 設(shè)計(jì) 核心 DSP 異步
面向系統(tǒng)LSI開發(fā)的高速、低功耗微型平臺(tái)
- 基于ARM CPU并集成了外圍功能(如實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)定時(shí)器等)的μPLAT系列是一種基本系統(tǒng)級(jí)LSI開發(fā)平臺(tái)。高速及低功耗的μPLAT-92平臺(tái)專為W-CDMA、PDA及其它便攜式終端(如互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)應(yīng)用而開發(fā)。μPLAT-92是以硬IP為特征的硬件開發(fā)與集成環(huán)境的平臺(tái)總稱：μPLAT-92內(nèi)核包括一顆ARM920T CPU及運(yùn)行操作系統(tǒng)所需的最少外圍I/O器件；電源管理IP及原型板也包括在內(nèi)。這不僅能提高系統(tǒng)級(jí)LSI的運(yùn)行速度及降低其功耗，而且還能縮短規(guī)模不斷提高的大型系統(tǒng)級(jí)LSI的開發(fā)時(shí)間，并使用戶能專
- 關(guān)鍵字： 功耗 微型 平臺(tái) 高速 開發(fā) 系統(tǒng) LSI 面向
節(jié)能與未來(lái)新能源 —Actel公司總裁兼CEO John East
- 由于目前大部分能源是從化石燃料取得，過(guò)度地消耗石油等能源，引發(fā)了環(huán)境問(wèn)題、經(jīng)濟(jì)問(wèn)題和政治問(wèn)題等，使我們的世界不那么美好了。 半導(dǎo)體如何幫助解決能耗? 過(guò)去20年，功耗一直在上升，而不是下降。摩爾定律出什么錯(cuò)了？因?yàn)楣?！每個(gè)晶體管的單位功耗下降了，這毫無(wú)疑問(wèn)。但是每個(gè)芯片的晶體管數(shù)量增長(zhǎng)更快，因此導(dǎo)致芯片的總功耗增加。一年前，Intel發(fā)明了45nm的工藝－以Hf(鉿)為基礎(chǔ)的High-k(高k)材料作為絕緣層材料，代替了傳統(tǒng)的二氧化硅，大幅減少漏電量。但是沒(méi)有完全解決問(wèn)題，因?yàn)樵陔娐分泄?/li>
- 關(guān)鍵字： 功耗 半導(dǎo)體 能耗 新能源 200806
異步DSP核心設(shè)計(jì):更低功耗,更高性能
- 目前，處理器性能的主要衡量指標(biāo)是時(shí)鐘頻率。絕大多數(shù)的集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)都基于同步架構(gòu)，而同步架構(gòu)都采用全球一致的時(shí)鐘。這種架構(gòu)非常普及，許多人認(rèn)為它也是數(shù)字電路設(shè)計(jì)的唯一途徑。然而，有一種截然不同的設(shè)計(jì)技術(shù)即將走上前臺(tái)：異步設(shè)計(jì)。
這一新技術(shù)的主要推動(dòng)力來(lái)自硅技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r。隨著硅產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)縮小到 90 納米以內(nèi)，降低功耗就已成為首要事務(wù)。異步設(shè)計(jì)具有功耗低、電路更可靠等優(yōu)點(diǎn)，被看作是滿足這一需要的途徑。
異步技術(shù)由于諸多原因曾經(jīng)備受冷落，其中最重要的是缺乏標(biāo)準(zhǔn)化的 - 關(guān)鍵字： 功耗 高性能 設(shè)計(jì) 核心 DSP 異步
RFID讀取器市場(chǎng)趨向是集成和創(chuàng)新
- ABI Research的最新研究報(bào)告指出，RFID讀取器正在向高度集成化和創(chuàng)新性發(fā)展。 讀取器電路中的低頻 (LF) 和高頻 (HF) RFID電路由于能夠與體積更小功耗更低的器件集成，正在成為市場(chǎng)的領(lǐng)先器件。類似的集成化趨向在超高頻 (UHF) RFID 讀取器電路也在進(jìn)展中，集成有第一代UHF讀取器電路的產(chǎn)品正在走向市場(chǎng)。 ABI Research的主任分析師Pete Poorman說(shuō)：“EPCglobal Gen 2 無(wú)源UHF RFID 標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐證明性能可靠，
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ARM處理器的節(jié)能優(yōu)勢(shì)
- 許多嵌入式ARM處理器的系統(tǒng)都是基于電池供電的能量供應(yīng)方式，而處理器的功耗對(duì)于整個(gè)SoC芯片至關(guān)重要，因此ARM處理器的低功耗優(yōu)勢(shì)可以充分節(jié)省能量消耗?？傊?，當(dāng)前的典型功耗的電流圖并不依賴于標(biāo)準(zhǔn)過(guò)程、標(biāo)準(zhǔn)集或工作負(fù)載。 EnergyBench提供若干工具，這些工具可容易低與經(jīng)濟(jì)實(shí)用的硬件結(jié)合使用，以便使用E EM B C開發(fā)的標(biāo)準(zhǔn)方法測(cè)量典型功耗。不過(guò)，除了處理器之外，具體芯片設(shè)計(jì)和集成到芯片內(nèi)部的外圍模塊也是影響芯片功耗的重要因素。雖然許多芯片供應(yīng)商都會(huì)在產(chǎn)品的datasheet中提供
- 關(guān)鍵字： ARM SoC 功耗 EnergyBench
利用電源管理IC應(yīng)對(duì)便攜式設(shè)計(jì)的功耗挑戰(zhàn)
- 盡管手機(jī)設(shè)計(jì)人員不斷地將語(yǔ)音、相機(jī)、GPS及其他功能集成在一個(gè)不超過(guò)半英寸厚的外殼中，便攜式媒體播放器設(shè)計(jì)者將微控制器、硬驅(qū)和音頻電路等整合在口袋大小的封裝中，但是便攜式設(shè)計(jì)集成多種功能的壓力仍然巨大。
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功耗介紹
定義
功率的損耗，指設(shè)備、器件等輸入功率和輸出功率的差額。功率的損耗。電路中通常指元、器件上耗散的熱能。有時(shí)也指整機(jī)或設(shè)備所需的電源功率。
功耗同樣是所有的電器設(shè)備都有的一個(gè)指標(biāo)，指的是在單位時(shí)間中所消耗的能源的數(shù)量，單位為W。不過(guò)復(fù)印機(jī)和電燈不同，是不會(huì)始終在工作的，在不工作時(shí)則處于待機(jī)狀態(tài)，同樣也會(huì)消耗一定的能量（除非切斷電源才會(huì)不消耗能量）。因此復(fù)印機(jī)的功耗一般會(huì)有兩個(gè)，一個(gè)是 [ 查看詳細(xì) ]
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