功率mosfet 文章最新資訊

常用功率器件MOSFET基礎(chǔ)介紹

常用功率器件MOSFET基礎(chǔ)介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
關(guān)鍵字：功率MOSFET 二極管

UCC27321高速MOSFET驅(qū)動芯片的功能與應(yīng)用

1引言隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅(qū)動芯片層出不窮，為驅(qū)動電路的設(shè)計提供了更多的選擇和設(shè)計思...
關(guān)鍵字：功率MOSFET 柵極驅(qū)動解耦

MOSFET的諧極驅(qū)動

1．引言在過去的十幾年中，大功率場效應(yīng)管（MOSFET）引發(fā)了電源工業(yè)的革命，而且大大地促進了...
關(guān)鍵字： DC\DC轉(zhuǎn)換器功率MOSFET 脈寬調(diào)制諧振變換器

深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表

在汽車電子的驅(qū)動負載的各種應(yīng)用中,最常見的半導(dǎo)體元件就是功率MOSFET了。本文不準(zhǔn)備寫成一篇介紹功率MOSFE...
關(guān)鍵字：功率MOSFET

功率MOSFET的開關(guān)損耗的研究

本文詳細分析計算開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
關(guān)鍵字：功率MOSFET 開關(guān)損耗

Vishay Siliconix推出0.6mm超低外形MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用0.6mm超低外形的熱增強Thin PowerPAK? SC-70封裝的新款30V N溝道---SiA444DJT和20V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面積內(nèi)，新的SiA444DJT實現(xiàn)了N溝道MOSFET當(dāng)中業(yè)內(nèi)最低的外形，而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻?！?/li>
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深入理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的各個參數(shù)

關(guān)鍵字：功率MOSFET 數(shù)據(jù)表參數(shù)

功率MOSFET供貨緊張

　　據(jù)iSuppli公司，由于2010年銷售增長50%以上，而且產(chǎn)量有限，英飛凌、意法半導(dǎo)體和飛兆半導(dǎo)體等主要供應(yīng)商的某些功率MOSFET對中國市場實行配給，而且交貨期拉長。　
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IR新型-30VP溝道功率MOSFET使設(shè)計更簡單靈活

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路，使其成為系統(tǒng)/負載開關(guān)應(yīng)用非常理想的解決方案。　　IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘
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IR 新型-30V P 溝道功率MOSFET 使設(shè)計更簡單靈活

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路，使其成為系統(tǒng)/負載開關(guān)應(yīng)用非常理想的解決方案。　　IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘
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IR 推出為開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的 AUIRF7648M2 和 AUIRF7669L2

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布針對開關(guān)應(yīng)用，推出兩款具有低柵級電荷的車用 DirectFET?2 功率 MOSFET ，這些開關(guān)應(yīng)用包括開關(guān)電源 (SMPS) 、D 類音頻系統(tǒng)、高強度氣體放電燈 (HID) 照明，以及其它汽車電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。　　AUIRF7648M2 和 AUIRF7669L2 是 IR為 DC-DC 應(yīng)用量身定制的首款汽車級 DirectFET? 器件，提供低
關(guān)鍵字： IR 功率MOSFET AUIRF7648M2

基于UCC27321高速MOSFET驅(qū)動芯片的功能與應(yīng)用

關(guān)鍵字：功率MOSFET 柵極驅(qū)動解耦

為功率MOSFET增加自動防故障擊穿保護

MOSFET作為功率開關(guān)元件廣泛應(yīng)用于調(diào)節(jié)器和馬達控制器。通過HSVGS監(jiān)測器來檢測HSFET的開啟狀態(tài)，所以HS_IS_...
關(guān)鍵字：擊穿功率MOSFET 傳播延遲監(jiān)測電路電流源低通濾波器 HS_ON LS_EN 故障驅(qū)動器

瑞薩發(fā)布雙類型功率MOSFET DC/DC轉(zhuǎn)換器

　　瑞薩科技（Renesas Technology Corp.）近日宣布，推出適用于筆記本電腦及通信設(shè)備等產(chǎn)品的存儲器或ASIC同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器的RJK0383DPA。該器件集成雙類型功率MOSFET，可以實現(xiàn)更高的電源效率。據(jù)悉，此器件樣品將于在2008年10月在日本開始供應(yīng)。　　RJK0383DPA集成了兩種不同類型的雙功率MOSFET，構(gòu)成了一個采用WPAK『注1』（瑞薩封裝代碼）高熱輻射封裝的同步整流DC/DC轉(zhuǎn)換器，其面積為5.1×6.1 mm，厚度為0.8 mm（最大）
關(guān)鍵字：瑞薩轉(zhuǎn)換器功率MOSFET DC/DC

功率MOSFET的保護

　　功率MOSFET的薄弱之處是柵極絕緣層易被擊穿損壞，柵源間電壓不得超過
關(guān)鍵字：功率MOSFET 保護半導(dǎo)體材料

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功率mosfet介紹

　　“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的縮寫，意即“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管”，功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著氧化層O利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體S的場效應(yīng)晶體管。除少數(shù)應(yīng)用于音頻功率放大器，工作于線性范圍，大多數(shù)用作開關(guān)和驅(qū)動器，工作于開關(guān)狀態(tài)，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達幾安培到幾十安培。 [ 查看詳細 ]