功率mosfet 文章 最新資訊
東芝推出采用最新一代工藝的100V N溝道功率MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用東芝最新一代工藝[1]U-MOS11-H制造的100V N溝道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。該MOSFET主要面向開關電源等應用，適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站使用的工業(yè)設備。產(chǎn)品于近日開始正式出貨。100V U-MOS11-H系列優(yōu)化了器件結構，進一步改善了U-MOSX-H系列的漏源導通電阻（RDS(ON)）、總柵極電荷（Qg）以及這兩者（RDS(ON)×Qg）之間的平衡，從而降低了導通及開關損耗。與U-MOSX-H系列產(chǎn)品TPH3R10
- 關鍵字： 東芝 N溝道 功率MOSFET 工業(yè)設備開關電源
突破功率密度的邊界：STL220N6F7功率MOSFET技術解析
- 技術背景：功率半導體進化論在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，功率MOSFET如同"電子開關"般控制著能量流動的命脈。這類器件的核心使命是在導通時實現(xiàn)最低損耗，在關斷時承受最高電壓，同時要在兩種狀態(tài)間實現(xiàn)光速切換。隨著新能源汽車、工業(yè)自動化、可再生能源等領域的爆發(fā)式增長，市場對功率器件的需求呈現(xiàn)出"三高"特征：高電流承載能力、高開關頻率、高功率密度。傳統(tǒng)平面柵結構MOSFET受限于寄生電容大、導通電阻高等瓶頸，已難以滿足新一代電力系統(tǒng)的嚴苛要求。技術突破：STripFET F7的
- 關鍵字： 意法半導體 功率MOSFET
CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
- Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng)新型銅夾片設計能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應用。該系列還包括專為AI服務器熱插拔功能設計的特定應用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項，可實現(xiàn)高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊，并配備Nexperia交
- 關鍵字： CCPAK1212封裝 Nexperia 功率MOSFET
Littelfuse推出高性能超級結X4-Class 200V功率MOSFET
- 提供業(yè)界領先的低通態(tài)電阻，使電池儲能和電源設備應用的電路設計更加簡化，性能得到提升。Littelfuse公司是一家工業(yè)技術制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結X4-Class功率MOSFET。這些新器件在當前200V X4-Class超級結MOSFET的基礎上進行擴展，有些具有最低導通電阻。這些MOSFET具有高電流額定值，設計人員能夠用來替換多個并聯(lián)的低額定電流器件，從而簡化設計流程，提高應用的可靠性和功率
- 關鍵字： Littelfuse 超級結 功率MOSFET
英飛凌發(fā)布面向大眾市場應用的StrongIRFET? 2功率MOSFET 30V產(chǎn)品組合
- 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新StrongIRFET? 2功率MOSFET 30 V產(chǎn)品組合，擴展了現(xiàn)有StrongIRFET? 2系列產(chǎn)品的陣容，以滿足大眾市場對30 V解決方案日益增長的需求。新型功率?MOSFET產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化，具有高可靠性和易用性，專為滿足各種大眾市場應用的要求而設計，實現(xiàn)了高度的設計靈活性。適合的應用包括工業(yè)開關模式電源（SMPS）、電機驅動器、電池供電應用、電池管理系統(tǒng)和不間斷電源（UPS）。英飛凌采用TO-220封裝的
- 關鍵字： 英飛凌 StrongIRFET 功率MOSFET
P通道功率MOSFET及其應用
- Littelfuse P通道功率MOSFET雖不及廣泛使用的N通道MOSFET出名，在傳統(tǒng)的應用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應用需求的增加，P通道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側（HS）應用P通道的簡易性，使其對低壓變換器（< 120 V）和非隔離的負載點更具吸引力。因為無需電荷泵或額外的電壓源，高端側（HS）P信道MOSFET易于驅動，具有設計簡單、節(jié)省空間，零件數(shù)量少等特點，提升成本效率。本文通過對N信道和P信道MOSFETs進行比較，介紹Littelfuse P通道功率MOS
- 關鍵字： P通道 功率MOSFET ?Littelfuse
英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝，為現(xiàn)代汽車應用提供更高效率
- 英飛凌科技股份公司近日推出采用?OptiMOS? MOSFET技術的SSO10T TSC?封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經(jīng)過汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。該封裝能夠實現(xiàn)簡單、緊湊的雙面PCB設計，并更大程度地降低未來汽車電源設計的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此，SSO10T TSC適用于電動助力轉向（EPS）、電子機械制動（EMB）、配電、無刷直流驅動器（BLDC）、安全開關、反向電池和DCDC轉換器等應用。SSO10T TSC的占板面積為5
- 關鍵字： 英飛凌 功率MOSFET SSO10T TSC 頂部冷卻封裝
推動汽車電子功率器件變革的新型應用——功率MOSFET篇
- 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 TO247封裝。同時，電動車窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應用已逐漸成為大多數(shù)汽車的標配，在設計中需要類似的功率器件。在這期間，隨著電機、螺線管和燃油噴射器日益普及，車用功率MOSFET也不斷發(fā)展壯大。今天的汽車電子系統(tǒng)已開創(chuàng)了功率器件的新時代。本文將介紹和討論幾種推動汽車電子功率器件
- 關鍵字： 功率MOSFET 汽車電子 新能源汽車
Littelfuse推出首款汽車級PolarP P通道增強模式功率MOSFET
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司宣布推出首款汽車級PolarP? P通道功率MOSFET IXTY2P50PA。這種創(chuàng)新性產(chǎn)品設計可滿足汽車應用的苛刻要求，提供卓越的性能和可靠性。-500 V、-2 A IXTY2P50PA最為與眾不同之處在于通過了AEC-Q101認證，這一特點使其成為汽車應用的理想選擇。該認證確保MOSFET符合汽車行業(yè)嚴格的質量和可靠性標準。憑借這項認證，汽車制造商可確信IXTY2P50PA能夠提供卓越的應用性能
- 關鍵字： Littelfuse PolarP P通道 增強模式 功率MOSFET
啟方半導體與威世簽署功率MOSFET長期生產(chǎn)代工協(xié)議
- 韓國8英寸純晶圓代工廠啟方半導體(Key Foundry)今日宣布，該公司已經(jīng)與威世集團(Vishay Intertechnology Inc.)(NYSE: VSH)簽署了多款功率MOSFET產(chǎn)品的長期供應協(xié)議。功率MOSFET是在高電壓、大電流的工作狀態(tài)下，具備低功耗、高速開關能力和高可靠性的，幾乎可以應用于所有電子設備的典型的功率分立器件。市場調研公司OMDIA的數(shù)據(jù)表明，2022年功率分立器件的市場規(guī)模為212億美元，預計到2027年將達到284億美元，年復合增長率為6%。威世是全球領先的功率分立
- 關鍵字： 啟方半導體 威世 功率MOSFET
功率mosfet介紹
“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的縮寫，意即“金屬氧化物半導體場效應晶體管”，功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著氧化層O利用電場的效應來控制半導體S的場效應晶體管。除少數(shù)應用于音頻功率放大器，工作于線性范圍，大多數(shù)用作開關和驅動器，工作于開關狀態(tài)，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達幾安培到幾十安培。 [ 查看詳細 ]
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