功率mosfet 文章 最新資訊
東芝推出采用最新一代工藝的100V N溝道功率MOSFET
- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出采用東芝最新一代工藝[1]U-MOS11-H制造的100V N溝道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。該MOSFET主要面向開關(guān)電源等應(yīng)用，適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站使用的工業(yè)設(shè)備。產(chǎn)品于近日開始正式出貨。100V U-MOS11-H系列優(yōu)化了器件結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步改善了U-MOSX-H系列的漏源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）、總柵極電荷（Qg）以及這兩者（RDS(ON)×Qg）之間的平衡，從而降低了導(dǎo)通及開關(guān)損耗。與U-MOSX-H系列產(chǎn)品TPH3R10
- 關(guān)鍵字： 東芝 N溝道 功率MOSFET 工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源
電源管理小技巧：功率 MOSFET 特性
- 以Vishay SiE848DF的數(shù)據(jù)手冊圖作為參考示例，這是一款采用 PolarPAK? 封裝的 N 溝道 30 V 溝槽功率 MOSFET。MOSFET 的封裝限制為 60A 和 25°C。阻斷電壓是多少？阻斷電壓 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大電壓。當(dāng)驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí)，這包括施加的電壓加上任何感性感應(yīng)電壓。對于感性負(fù)載，MOSFET 兩端的電壓實(shí)際上可以是施加電壓的兩倍。MOSFET 的雪崩特性是什么？這決定了 MOSFET 在雪崩條件下可以承受多少能量。如果超過最大漏源電壓并且電流沖
- 關(guān)鍵字： 電源管理 MOSFET 功率MOSFET
Vishay新款Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET具有卓越的性能
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的Gen 4.5 650?V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效率和高功率密度。與上一代器件相比，Vishay Siliconix N溝道SiHK050N65E的導(dǎo)通電阻降低了48.2 %，而電阻和柵極電荷乘積（功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中650V MOSFET的重要優(yōu)值因數(shù)（FOM）降低了65.4 %。Vishay推出了多種MOSFET技術(shù)，為電源轉(zhuǎn)換過程的所有階段提供支持，包括
- 關(guān)鍵字： Vishay 功率MOSFET
突破功率密度的邊界：STL220N6F7功率MOSFET技術(shù)解析
- 技術(shù)背景：功率半導(dǎo)體進(jìn)化論在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，功率MOSFET如同"電子開關(guān)"般控制著能量流動(dòng)的命脈。這類器件的核心使命是在導(dǎo)通時(shí)實(shí)現(xiàn)最低損耗，在關(guān)斷時(shí)承受最高電壓，同時(shí)要在兩種狀態(tài)間實(shí)現(xiàn)光速切換。隨著新能源汽車、工業(yè)自動(dòng)化、可再生能源等領(lǐng)域的爆發(fā)式增長，市場對功率器件的需求呈現(xiàn)出"三高"特征：高電流承載能力、高開關(guān)頻率、高功率密度。傳統(tǒng)平面柵結(jié)構(gòu)MOSFET受限于寄生電容大、導(dǎo)通電阻高等瓶頸，已難以滿足新一代電力系統(tǒng)的嚴(yán)苛要求。技術(shù)突破：STripFET F7的
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 功率MOSFET
CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
- Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度和優(yōu)越性能。創(chuàng)新型銅夾片設(shè)計(jì)能夠承載高電流、寄生電感更低且熱性能出色，因此這些器件非常適合電機(jī)控制、電源、可再生能源系統(tǒng)和其他耗電應(yīng)用。該系列還包括專為AI服務(wù)器熱插拔功能設(shè)計(jì)的特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封裝的MOSFET提供頂部和底部散熱選項(xiàng)，可實(shí)現(xiàn)高功率密度和可靠的解決方案。所有器件封裝均已在JEDEC注冊，并配備Nexperia交
- 關(guān)鍵字： CCPAK1212封裝 Nexperia 功率MOSFET
Littelfuse推出高性能超級結(jié)X4-Class 200V功率MOSFET
- 提供業(yè)界領(lǐng)先的低通態(tài)電阻，使電池儲(chǔ)能和電源設(shè)備應(yīng)用的電路設(shè)計(jì)更加簡化，性能得到提升。Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結(jié)X4-Class功率MOSFET。這些新器件在當(dāng)前200V X4-Class超級結(jié)MOSFET的基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)展，有些具有最低導(dǎo)通電阻。這些MOSFET具有高電流額定值，設(shè)計(jì)人員能夠用來替換多個(gè)并聯(lián)的低額定電流器件，從而簡化設(shè)計(jì)流程，提高應(yīng)用的可靠性和功率
- 關(guān)鍵字： Littelfuse 超級結(jié) 功率MOSFET
英飛凌發(fā)布面向大眾市場應(yīng)用的StrongIRFET? 2功率MOSFET 30V產(chǎn)品組合
- 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新StrongIRFET? 2功率MOSFET 30 V產(chǎn)品組合，擴(kuò)展了現(xiàn)有StrongIRFET? 2系列產(chǎn)品的陣容，以滿足大眾市場對30 V解決方案日益增長的需求。新型功率?MOSFET產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化，具有高可靠性和易用性，專為滿足各種大眾市場應(yīng)用的要求而設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了高度的設(shè)計(jì)靈活性。適合的應(yīng)用包括工業(yè)開關(guān)模式電源（SMPS）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電應(yīng)用、電池管理系統(tǒng)和不間斷電源（UPS）。英飛凌采用TO-220封裝的
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 StrongIRFET 功率MOSFET
P通道功率MOSFET及其應(yīng)用
- Littelfuse P通道功率MOSFET雖不及廣泛使用的N通道MOSFET出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加，P通道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應(yīng)用P通道的簡易性，使其對低壓變換器（< 120 V）和非隔離的負(fù)載點(diǎn)更具吸引力。因?yàn)闊o需電荷泵或額外的電壓源，高端側(cè)（HS）P信道MOSFET易于驅(qū)動(dòng)，具有設(shè)計(jì)簡單、節(jié)省空間，零件數(shù)量少等特點(diǎn)，提升成本效率。本文通過對N信道和P信道MOSFETs進(jìn)行比較，介紹Littelfuse P通道功率MOS
- 關(guān)鍵字： P通道 功率MOSFET ?Littelfuse
英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝，為現(xiàn)代汽車應(yīng)用提供更高效率
- 英飛凌科技股份公司近日推出采用?OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC?封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù)，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經(jīng)過汽車電子控制單元的印刷電路板（PCB）。該封裝能夠?qū)崿F(xiàn)簡單、緊湊的雙面PCB設(shè)計(jì)，并更大程度地降低未來汽車電源設(shè)計(jì)的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此，SSO10T TSC適用于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向（EPS）、電子機(jī)械制動(dòng)（EMB）、配電、無刷直流驅(qū)動(dòng)器（BLDC）、安全開關(guān)、反向電池和DCDC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。SSO10T TSC的占板面積為5
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 功率MOSFET SSO10T TSC 頂部冷卻封裝
推動(dòng)汽車電子功率器件變革的新型應(yīng)用——功率MOSFET篇
- 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪芷囯娮酉到y(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 TO247封裝。同時(shí)，電動(dòng)車窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應(yīng)用已逐漸成為大多數(shù)汽車的標(biāo)配，在設(shè)計(jì)中需要類似的功率器件。在這期間，隨著電機(jī)、螺線管和燃油噴射器日益普及，車用功率MOSFET也不斷發(fā)展壯大。今天的汽車電子系統(tǒng)已開創(chuàng)了功率器件的新時(shí)代。本文將介紹和討論幾種推動(dòng)汽車電子功率器件
- 關(guān)鍵字： 功率MOSFET 汽車電子 新能源汽車
東芝推出新一代DTMOSVI高速二極管型功率MOSFET
- 中國上海，2024年2月22日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），該系列適用于包括數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等應(yīng)用的開關(guān)電源。首批采用TO-247封裝的兩款650 V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日開始支持批量出貨。 新產(chǎn)品采用高速二極管，旨在改善橋式電路和逆變電路應(yīng)用中至關(guān)重要的反
- 關(guān)鍵字： 東芝 高速二極管型 功率MOSFET
Vishay推出采用源極倒裝技術(shù)PowerPAK 1212-F封裝的TrenchFET 第五代功率MOSFET
- 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月20日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET? 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術(shù)3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封裝，10V柵極電壓條件下導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： Vishay 源極倒裝技術(shù) PowerPAK 功率MOSFET
Littelfuse推出首款汽車級PolarP P通道增強(qiáng)模式功率MOSFET
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司宣布推出首款汽車級PolarP? P通道功率MOSFET IXTY2P50PA。這種創(chuàng)新性產(chǎn)品設(shè)計(jì)可滿足汽車應(yīng)用的苛刻要求，提供卓越的性能和可靠性。-500 V、-2 A IXTY2P50PA最為與眾不同之處在于通過了AEC-Q101認(rèn)證，這一特點(diǎn)使其成為汽車應(yīng)用的理想選擇。該認(rèn)證確保MOSFET符合汽車行業(yè)嚴(yán)格的質(zhì)量和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。憑借這項(xiàng)認(rèn)證，汽車制造商可確信IXTY2P50PA能夠提供卓越的應(yīng)用性能
- 關(guān)鍵字： Littelfuse PolarP P通道 增強(qiáng)模式 功率MOSFET
啟方半導(dǎo)體與威世簽署功率MOSFET長期生產(chǎn)代工協(xié)議
- 韓國8英寸純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體(Key Foundry)今日宣布，該公司已經(jīng)與威世集團(tuán)(Vishay Intertechnology Inc.)(NYSE: VSH)簽署了多款功率MOSFET產(chǎn)品的長期供應(yīng)協(xié)議。功率MOSFET是在高電壓、大電流的工作狀態(tài)下，具備低功耗、高速開關(guān)能力和高可靠性的，幾乎可以應(yīng)用于所有電子設(shè)備的典型的功率分立器件。市場調(diào)研公司OMDIA的數(shù)據(jù)表明，2022年功率分立器件的市場規(guī)模為212億美元，預(yù)計(jì)到2027年將達(dá)到284億美元，年復(fù)合增長率為6%。威世是全球領(lǐng)先的功率分立
- 關(guān)鍵字： 啟方半導(dǎo)體 威世 功率MOSFET
功率mosfet介紹
“MOSFET”是英文metal-oxide- semicONductor field effect transistor的縮寫，意即“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管”，功率MOSFET即為以金屬層M的柵極隔著氧化層O利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體S的場效應(yīng)晶體管。除少數(shù)應(yīng)用于音頻功率放大器，工作于線性范圍，大多數(shù)用作開關(guān)和驅(qū)動(dòng)器，工作于開關(guān)狀態(tài)，耐壓從幾十伏到上千伏，工作電流可達(dá)幾安培到幾十安培。 [ 查看詳細(xì) ]
功率mosfet電路
功率mosfet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473