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	內(nèi)存芯片
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          內(nèi)存芯片 文章
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          三星全球最快嵌入式NAND內(nèi)存芯片投產(chǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　為了適應(yīng)下代移動設(shè)備超輕超薄的特性，SamsungeMMCProClass1500采用了20nm工藝規(guī)范，一塊64GB的芯片厚度僅為1.2毫米，而重量僅有0.6克。
            

            　　三星表示，新一代芯片將會包括16GB，32GB以及64GB等三個版本。不知道我們能否在下一代三星智能手機(GalaxyS4?)上看到它的身影呢?
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星  NAND  內(nèi)存芯片                          
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          內(nèi)存芯片放顯屏上？透明柔性3D內(nèi)存芯片制成顯示屏
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)麻省理工 新發(fā)明的透明柔性3D存儲芯片會成為小存設(shè)備中的一件大事。這種新的內(nèi)存芯片透明柔韌，可以像紙一樣折疊，而且可以耐受1000華氏度的溫度，是廚房烤箱最高溫度的兩倍，而且可以耐受其他有害條件，有助于開發(fā)下一代內(nèi)存，可與閃存競爭，用于明天的隨身碟，手機和電腦，這是科學(xué)家在3月27日報道的。
　　在美國化學(xué)學(xué)會(American Chemical Society)第243屆全國會議暨博覽會(243rd National Meeting & Exposition)上，發(fā)明者說，一些設(shè)備使用這
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          • 關(guān)鍵字：
                        內(nèi)存芯片  閃存                          
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          爾必達突然破產(chǎn) 內(nèi)存芯片行業(yè)面臨調(diào)整
          
                                                            
            
                    	
          • 　　近日，全球第三大內(nèi)存芯片廠商日本爾必達公司無預(yù)警地向東京地方法院提出破產(chǎn)保護申請。目前，該公司債務(wù)達到4480億日元(約合55億美元)，也成為日本制造業(yè)歷史上負債規(guī)模最大的破產(chǎn)案。
　　眼下，這家日本芯片制造商市值幾乎蒸發(fā)殆盡。從2008年第四季度到2011年第四季度里，爾必達只有兩個季度實現(xiàn)贏利。業(yè)界分析普遍認為，日元匯率的持續(xù)走強、產(chǎn)品價格下滑以及泰國洪災(zāi)是造成PC供貨低迷的多重壓力下。
　　不過，曾數(shù)次在資金緊缺的情況下仍然讓爾必達起死回生的公司CEO坂本幸雄也承認，自己的確在過去的某個時間
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          • 關(guān)鍵字：
                        爾必達  內(nèi)存芯片                          
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          內(nèi)存芯片識別方法
          
                                                            
            
                    	
          • 內(nèi)存芯片識別方法1．LGS：LGS的SDRAM芯片上的標(biāo)識； GM72V*****1**T** GM為LGS產(chǎn)品； 72為SDRAM； 第1，2個*代表容量，16 ...
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          • 關(guān)鍵字：
                        內(nèi)存芯片  識別方法                          
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          現(xiàn)代內(nèi)存芯片的編號識別
          
                                                            
            
                    	
          • 現(xiàn)代內(nèi)存芯片的編號識別一、現(xiàn)代(HYUNDAI)公司的SDRAM內(nèi)存芯片上的標(biāo)識格式如下（這里說的是2000年9月30日后 ...
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          • 關(guān)鍵字：
                        內(nèi)存芯片  編號識別                          
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          日股爾必達一天大跌97%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　日本內(nèi)存芯片廠商爾必達已申請破產(chǎn)保護，該公司股價在昨日東京股市的交易中大跌97%，創(chuàng)下東京股票交易所取消單日漲跌幅限制以來的最大跌幅。爾必達的破產(chǎn)是日本兩年來規(guī)模最大的公司破產(chǎn)案。在東京股市昨日的交易中，爾必達股價一度跌至4日元，遠低于周二收盤時的254日元。將于2015年到期、面值100日元的爾必達可轉(zhuǎn)債價格則較2月27日下跌60日元，至14日元。
　　爾必達是日本最后一家計算機內(nèi)存芯片廠商，該公司此前已連續(xù)5個季度虧損。爾必達于2月27日向東京地區(qū)法院提交了破產(chǎn)保護申請，其債務(wù)達到4480億日元
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          • 關(guān)鍵字：
                        爾必達  內(nèi)存芯片                          
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          美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內(nèi)存芯片
          
                                                            
            
                    	
          • 　　近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(HybridMemoryCube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。
　　美光將會開始生產(chǎn)利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一顆芯片。硅穿孔制程將運用在美光的混合式記憶體立方之中。美光芯片的部分零件將會在IBM位于紐約的晶圓廠生產(chǎn)。
　　IBM將會在12月5日于美國華盛頓舉行的IEEE國際電子裝置會議上展示它的TSV制程技術(shù)。
　　對于美光而言，混合式記憶體立方(HMC)
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          • 關(guān)鍵字：
                        美光  內(nèi)存芯片  硅穿孔                          
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          美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內(nèi)存芯片
          
                                                            
            
                    	
          • 　　近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(Hybrid Memory Cube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。
　　美光將會開始生產(chǎn)利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-silicon vias; TSVs)所打造的第一顆芯片。硅穿孔制程將運用在美光的混合式記憶體立方之中。美光芯片的部分零件將會在IBM位于紐約的晶圓廠生產(chǎn)。
　　IBM將會在12月5日于美國華盛頓舉行的IEEE 國際電子裝置會議上展示它的TSV制程技術(shù)。
　　對于美光而言，混合式記憶體立方
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          • 關(guān)鍵字：
                        美光  內(nèi)存芯片                          
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          爾必達25nm制程4GB內(nèi)存芯片樣品出貨
          
                                                            
            
                    	
          • 　　爾必達日前表示，該公司已成功生產(chǎn)出25nm制程、4GB大小的SDRAM內(nèi)存芯片樣品，即將出貨。早前，爾必達就宣稱從7月開始發(fā)售限量版的25nm制程2GB內(nèi)存芯片，而新款4G的25nm內(nèi)存芯片將取代現(xiàn)在的30nm制程的4GB DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)線，產(chǎn)品生產(chǎn)效率也將提高45%。除此之外，新款25nm芯片性能更強勁，可以有效降低待機電流。
　　 
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          • 關(guān)鍵字：
                        爾必達  內(nèi)存芯片                          
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          蘋果采購日本內(nèi)存芯片 減少對三星依賴
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)科技網(wǎng)站DigiTimes報道，業(yè)內(nèi)人士稱，蘋果公司從日本購買的DRAM和NAND閃存量大幅增加，主要來源為東芝和Elpida Memory公司。
　　消息稱，蘋果和三星之間的專利訴訟促使蘋果分散其訂單。三星一直是蘋果公司最大的零部件供應(yīng)商。蘋果目前正在從Elpida和東芝公司采購NAND和RAM芯片，以減少其對三星電子的內(nèi)存供應(yīng)的依賴。
　 
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          • 關(guān)鍵字：
                        蘋果  內(nèi)存芯片                          
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          全球8大內(nèi)存芯片廠商虧損連連 僅3家盈利
          
                                                            
            
                    	
          • 　　北京時間9月1日消息，彭博社發(fā)文稱，由于PC市場低迷等因素，內(nèi)存芯片制造業(yè)處境艱難，全球八大廠商僅三家盈利，部分較小廠商選擇轉(zhuǎn)行或謀求并購，而分析人士認為該行業(yè)最終或?qū)⒑喜⑷霂讉€大型廠商手中。原文如下：
　　債務(wù)、虧損與價格下跌造成的沉重負擔(dān)，使內(nèi)存芯片廠商茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)、力晶科技(Powerchip Technology Corp.)和爾必達(Elpida Memory Inc.)承受的壓力越來越大，或?qū)で蠛喜⒒蛲顺鲈摦a(chǎn)業(yè)。
　
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          • 關(guān)鍵字：
                        商茂德科技  內(nèi)存芯片                          
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          內(nèi)存芯片制造商承受壓力加大：尋求合并或退出
          
                                                            
            
                    	
          • 　　北京時間8月31日下午消息，由于負債累累、不斷虧損、內(nèi)存芯片價格持續(xù)下滑，內(nèi)存芯片制造商爾必達、茂德和力晶科技承受的壓力越來越大，他們或因此尋求合并或退出業(yè)界。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        力晶  內(nèi)存芯片                          
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          三星第2季內(nèi)存營收同比減12% 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三星電子日前公布，今年第2季(4-6月)半導(dǎo)體部門合并營收年減4%至9.16兆億韓圜，略低于前季的9.18兆億韓圜;合并營益年減11.3%至1.79兆億韓圜，高于前季的營益1.64兆億韓圜;營益率達19.6%，高于前季的17.9%，但低于去年同期的30.9%。三星指出，4-6月內(nèi)存營收年減12%至5.89兆億韓圜。
　　三星電子曾在1月28日預(yù)期，今年半導(dǎo)體部門資本支出將由去年的12.7兆億韓圜下降至10.3兆億韓圜，其中內(nèi)存相關(guān)資本支出將由去年的9兆億韓圜下滑36%至5.8兆億韓圜。Thomson
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星  內(nèi)存芯片                          
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          業(yè)界看淡今年下半年芯片市場
          
                                                            
            
                    	
          • 　　南韓三星電子(Samsung Electronics) DS(Device Solution)事業(yè)總括部門社長權(quán)五鉉，及海力士(Hynix)社長權(quán)五哲等南韓半導(dǎo)體業(yè)界大老近期均異口同聲表示，2011年下半內(nèi)存芯片市況將不透明。權(quán)五鉉表示，一般來說，下半年內(nèi)存芯片市況應(yīng)會比上半年好，然而近來變量相當(dāng)多。2011年下半可能會與上半相同，半導(dǎo)體價格可能會大幅攀升，也可能沒有任何表現(xiàn)。
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星電子  內(nèi)存芯片                          
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          海力士一季度凈利潤2.54億美元
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)國外媒體報道，全球第二大電腦內(nèi)存芯片生產(chǎn)商海力士周四發(fā)布了2011年第一季度財報。財報顯示，今年第一季度海力士實現(xiàn)凈利潤2735.4億韓元(約合2.538億美元)，比去年同期大幅下降66%，這主要是受到個人電腦需求低迷導(dǎo)致芯片價格下滑影響。
　　
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          • 關(guān)鍵字：
                        海力士  內(nèi)存芯片                          
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	共134條
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          內(nèi)存芯片介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	　　簡單地說:內(nèi)存之所以能存儲資料,就是因為有了這些芯片!
　　根據(jù)品牌的不同,所采用的芯片亦有所區(qū)別,具體的識別辦法是:
　　具體含義解釋：
　　例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
　　主要含義：
　　第1位——芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。
　　第2位——芯片類型4，代表DRAM。
　　第3位——芯片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		  		        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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										樹莓派   
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