半導體與核電之間的權衡，聽聽東芝怎么說....
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東芝 光伏
東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產品。四款新產品將擴大現有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動?！ BD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務器電源和功率調節(jié)器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)?！ iC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
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東芝 SBD SiC
支持頭戴式產品等高分辨率實時監(jiān)控顯示器 東京—東芝公司(TOKYO：6502)于2014年5月27日宣布推出“TC358870XBG”，這是業(yè)內首個支持視頻格式轉換功能的4K高清多媒體接口(HDMI?)轉雙路MIPI? DSI橋接芯片。該產品現已開始提供樣機，并計劃于9月投入量產。 這一新型集成電路(IC)通過雙DSI接口，提供分辨率可達4K的超高清畫質(3840 x 2160像素)，刷新率達30幀/秒(fps)。此外，該產品還支持60幀/秒刷新率下的WQXGA (2560 x 1600)和120
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東芝 TC358870XBG IC
東京—東芝公司(TOKYO：6502)近日宣布推出“TC358870XBG”，這是業(yè)內首個[1]支持視頻格式轉換功能的4K高清多媒體接口(HDMI?)轉雙路MIPI? DSI橋接芯片。該產品現已開始提供樣機，并計劃于9月投入量產?！ ∵@一新型集成電路(IC)通過雙DSI接口，提供分辨率可達4K的超高清畫質(3840 x 2160像素)，刷新率達30幀/秒(fps)。此外，該產品還支持60幀/秒刷新率下的WQXGA (2560 x 1600)和120 fps下的全高清分辨率。其低延遲特性增強了實時游戲應
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東芝 TC358870XBG IC
東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產品。四款新產品將擴大現有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動。 SBD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務器電源和功率調節(jié)器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)。 SiC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
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東芝 SBD SiC
東京—東芝公司旗下半導體&存儲產品公司(Semiconductor & Storage Products Company)今天宣布其門驅動光電耦合器陣容增添新成員，用于驅動中等功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這款新的4A輸出智能門驅動光電耦合器“TLP5214”采用纖薄的SO16L封裝，并具有保護功能，可防止IGBT產生過流狀況。這一新產品將于5月底開始量產出貨。
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東芝 光電耦合器 TLP5214
日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導體&存儲產品公司此次將展示其最新的、應用在電力領域的技術和產品。
展示產品簡介:
IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)
東芝在IGBT的基礎上成功研發(fā)出&
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東芝 功率器件 光耦
東京—東芝公司今天宣布，該公司將推出TMPV7502XBG，從而擴大其TMPV750系列圖像識別處理器的陣容。新產品提供小型封裝(11mm × 11mm)，功耗更低(典型值為0.6W[1])，特別適用于小型相機模塊。即日起將開始樣品出貨，計劃于2014年11月投入量產。
新產品可用于駕駛輔助系統(tǒng)，后者通過車輛后視鏡和電子后視鏡捕捉的圖像來識別車輛和行人。此外，新產品還能在不同智能社區(qū)(Smart Community)相關的應用中處理智能相機功能，應用包括公路上和十字路口使
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東芝 相機 圖像識別
日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導體&存儲產品公司此次將展示其最新的、應用在電力領域的技術和產品?！ ≌故井a品簡介: 1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 東芝在IGBT的基礎上成功研發(fā)出“注入增強”(IE：Inject
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東芝 IEGT SiC
前言： 在應對著蘋果iPad所帶來的沖擊的同時，傳統(tǒng)電腦廠商正在努力使筆記本電腦變得更加輕薄小巧。如何使傳統(tǒng)筆記本電腦更為小巧便攜呢?方法無外乎兩種，一種是像上網本一樣縮減整機尺寸，這樣可更加利于用戶攜帶，但性能與續(xù)航的缺點則不容忽視。另一種方法是減少整機重量和厚度，就像蘋果MacBook Air一樣，在保留標準13英寸屏幕的同時，操控與性能也得以延續(xù)，而在價格上卻要高出不少。
擁有25年筆記本制造經驗的東芝最近推出了一款超輕薄筆記本電腦產品-R700，這款產品還有一
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東芝 R700
東芝公司(TOKYO：6502)旗下半導體&存儲產品公司(Semiconductor & Storage Products Company)于2014年5月20日宣布其門驅動光電耦合器陣容增添新成員，用于驅動中等功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這款新的4A輸出智能門驅動光電耦合器“TLP5214”采用纖薄的SO16L封裝，并具有保護功能，可防止IGBT產生過流狀況。這一新產品將于5月底開始量產出貨。
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東芝 TLP5214 SO16L IGBT
6月4日中午消息，日本東芝公司昨日宣布，已在臺灣法院控告力晶科技、智旺科技、力積電子與瑄譽科技(C.T.C)，指控四家臺灣公司侵害東芝NAND閃存專利。力晶表示，目前已收到相關文件，閃存相關業(yè)務占力晶業(yè)務比重低，對公司營運影響不大。
東芝目前要求新臺幣1億元賠償金，并計劃日后提高索賠金額。東芝也要求被告停止銷售和制造被控侵權的產品。東芝在1987年發(fā)明NAND閃存，是目前全球主要制造商之一。NAND閃存廣泛用于智能手機。
東芝表示，已在臺灣的知識產權法院提出控訴，控告力晶等四家公司侵害東芝
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東芝 力晶
日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導體&存儲產品公司此次將展示其最新的、應用在電力領域的技術和產品?！ |芝電子將展出其IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)專利產品、Stack(壓接裝置)產品、SiC(混合型IEGT)產品、IPD +
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東芝 PCIM IEGT
東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標準的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨。東芝在業(yè)內率先提供此產品[2]。 這兩種模塊還集成了UFS 2.0版本的可選功能——5.8Gbps高速MIPI? M-PHY?[3]HS-G3 I/F，并實現了超高性能，包括650MB/s的讀取速度和180MB/s的寫入速度。
傳輸速度的加快可縮短各
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東芝 嵌入式 閃存
東京—東芝公司(TOKYO：6502)半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司推出小型SO6封裝的光電耦合器。新產品“TLP3905”和“TLP3906”即日起投入量產。
光電耦合器采用不含MOSFET芯片的光控繼電器結構。用戶可通過將光電耦合器與外部可選MOSFET相結合，從而創(chuàng)建一個隔離繼電器。這樣可獲得更大的電壓和電流，超越現有光控繼電器產品的性能。
新產品“TLP3905”和&ldquo
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東芝 TLP3905 TLP3906 電流控制
東芝介紹
東芝（TOSHIBA），是日本最大的半導體制造商，亦是第二大綜合電機制造商，隸屬于三井集團旗下。
歷史
東芝是由兩家日本公司于1939年合并成的。
兩家公司中第一個成立的是田中制造所，那是日本國內第一家電報設備制造公司；是由田中久重于1875年創(chuàng)立的。在1904年公司更名為芝浦制作所。在20世紀初期，公司以供應日本國內的重型機電制造為主業(yè)；在明治維新之后，公司更躍升為世界的工業(yè)大廠之一。
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