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英飛凌推出PSOC 4100T Plus MCU，在單塊芯片中集成先進(jìn)的傳感和系統(tǒng)控制功能

英飛凌科技股份公司近日推出采用Multi-Sense技術(shù)的?Arm??Cortex?-M0+微控制器（MCU）——PSOC? 4100T Plus。這款新型MCU集豐富的模擬和數(shù)字功能于一身，擁有128K閃存和32K SRAM，并且采用了Multi-Sense這一包含CAPSENSE?、電感式傳感和液位傳感功能的英飛凌先進(jìn)技術(shù)。PSOC? 4100T Plus?還擁有更高的可靠性以及多種增強(qiáng)功能和先進(jìn)傳感功能，為系統(tǒng)控制和人機(jī)接口（HMI）應(yīng)用提供了完整的解決方案。英飛凌PS
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英飛凌攜手偉世通合作開發(fā)面向新一代電動汽車的先進(jìn)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)

汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與全球汽車座艙電子產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)者偉世通近日宣布，雙方已簽署諒解備忘錄（MOU），將共同推進(jìn)下一代電動汽車動力總成的開發(fā)。英飛凌和偉世通將在此次合作中集成基于英飛凌半導(dǎo)體的功率轉(zhuǎn)換器件，并重點(diǎn)使用寬禁帶器件技術(shù)。與硅基半導(dǎo)體相比，該技術(shù)在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中擁有顯著優(yōu)勢，包括更高的功率密度、效率和熱性能等，有助于汽車行業(yè)下一代功率轉(zhuǎn)換模塊的降本增效。未來采用英飛凌CoolGaN?（氮化鎵）和CoolSiC?（碳化硅）器件的偉世
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英飛凌推出650V CoolGaN? G5雙向開關(guān)，提升功率系統(tǒng)的效率和可靠性

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出了一款能夠主動雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵（GaN）開關(guān)——650V CoolGaN? G5雙向開關(guān)（BDS）。該產(chǎn)品采用共漏極設(shè)計和雙柵極結(jié)構(gòu)，是一款使用英飛凌強(qiáng)大柵極注入晶體管（GIT）技術(shù)和CoolGaN?技術(shù)的單片雙向開關(guān)，能夠有效替代轉(zhuǎn)換器中常用的傳統(tǒng)背靠背開關(guān)。650V CoolGaN? G5雙向開關(guān)這款CoolGaN?雙向開關(guān)能夠?yàn)楣β兽D(zhuǎn)換系統(tǒng)帶來多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢。它通過將兩個開關(guān)集成到一個器件中，簡化了循環(huán)轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的設(shè)計，實(shí)現(xiàn)
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英偉達(dá)和英飛凌將建立人工智能數(shù)據(jù)中心功率芯片的新架構(gòu)

英偉達(dá)和英飛凌正在合作，為 AI 數(shù)據(jù)中心的電源芯片建立新的架構(gòu)。其目的是專注于為使用集中式 HVDC 配電的電力系統(tǒng)創(chuàng)建一個新架構(gòu)，特別是在 800V 下。目前，AI 數(shù)據(jù)中心的電力供應(yīng)是分散的。這意味著 AI 芯片由大量 PSU 供電。新架構(gòu)將是集中式的，以最佳方式利用服務(wù)器機(jī)架中的有限空間。大多數(shù)數(shù)據(jù)中心以交流電的形式分配電力，然后由服務(wù)器內(nèi)部的單個 PSU 轉(zhuǎn)換為直流電。這個過程會導(dǎo)致轉(zhuǎn)換和分配過程中的大量能量損失。新方法是直接為服務(wù)器機(jī)架供電，并僅在使用點(diǎn)（AI 芯片/GPU）進(jìn)行轉(zhuǎn)換。這減少了
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電力電子中的“摩爾定律”(1)

作者簡介本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎作品，來自上?？萍即髮W(xué)劉賾源的投稿。著名的摩爾定律中指出，集成電路每過一定時間就會性能翻倍，成本減半。那么電力電子當(dāng)中是否也存在著摩爾定律呢？1965年，英特爾創(chuàng)始人之一的戈登·摩爾 (Gordon Moore) 在《電子器件會議記錄》中提出，集成電路芯片上所能容納的晶體管數(shù)量每隔大約18至24個月會翻倍，同時成本也會相應(yīng) 下降一半，這就是著名的 “摩爾定律” 。雖然最初是關(guān)于晶體管數(shù)量和成本的
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英飛凌二氧化碳減排目標(biāo)獲科學(xué)碳目標(biāo)倡議組織認(rèn)證

●? ?英飛凌的范圍1和范圍2目標(biāo)達(dá)到SBTi對近期減排目標(biāo)的最高標(biāo)準(zhǔn)●? ?英飛凌通過制定有力的范圍3目標(biāo)進(jìn)一步減少供應(yīng)鏈排放量●? ?英飛凌通過與100多家供應(yīng)商積極合作，進(jìn)一步減排英飛凌科技管理委員會成員兼首席數(shù)字化轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展官Elke Reichart全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近期在低碳化方面取得新進(jìn)展：其溫室氣體減排目標(biāo)獲得科學(xué)碳目標(biāo)倡議組織（SBTi）的認(rèn)證。獲批的目標(biāo)包括公司自身的排放量（范圍&n
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英飛凌攜手優(yōu)優(yōu)綠能，助力電能轉(zhuǎn)換效率新突破

在全國兩會聚焦新能源汽車充換電基礎(chǔ)設(shè)施升級、力推超充網(wǎng)絡(luò)擴(kuò)建、高速充電走廊建設(shè)及換電模式普及的背景下，充換電行業(yè)正迎來高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵期。近日，英飛凌科技宣布與深圳優(yōu)優(yōu)綠能股份有限公司深化合作，通過提供英飛凌先進(jìn)的CoolMOS?和TRENCHSTOP??IGBT，?CoolSiC??MOSFET和EiceDRIVER?驅(qū)動器等全套功率半導(dǎo)體解決方案，全面賦能優(yōu)優(yōu)綠能新一代40kW液冷充電模塊及V2G車網(wǎng)互動解決方案的技術(shù)升級，顯著提升充換電設(shè)備的電能轉(zhuǎn)換效率與穩(wěn)定性，為充電
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英飛凌贏得Rivian牽引逆變器功率模塊訂單

美國汽車制造商 Rivian 已與英飛凌簽約，為其“R2”汽車平臺提供牽引逆變器功率模塊、微控制器和功率 IC，預(yù)計將于 2026 年開始供貨。這些功率模塊將采用英飛凌的 HybridPack Drive G2 格式（如圖），包括硅和碳化硅組件。除此之外，Rivian 還選擇了英飛凌成熟的 TC3x MCU，而不是其新的 TC4x 系列——這兩者都有其專有的 TriCore CPU，而不是 x86、Arm 或 RISC-V。目前，英飛凌只有四個 G2 HybridPACK 驅(qū)動模塊，都是三相橋：
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英飛凌啟動公司25周年傳播項(xiàng)目

為慶祝公司25周年，英飛凌科技股份公司近日啟動了一項(xiàng)全球整合傳播活動，旨在彰顯半導(dǎo)體技術(shù)的經(jīng)濟(jì)和社會價值，以及英飛凌在推動低碳化和數(shù)字化方面做出的貢獻(xiàn)。這場傳播活動的核心主旨是：英飛凌的產(chǎn)品和解決方案對我們每個人的日常生活都至關(guān)重要?；顒觾?nèi)容將圍繞“Matters to me”這一主題展開一系列的情感講述。英飛凌25周年“Matters to me”品牌標(biāo)識英飛凌科技管理委員會成員兼首席營銷官Andreas Urschitz表示：“2000年3月13日，英飛凌上市，為我們成為全球領(lǐng)先的科技企業(yè)邁出了關(guān)鍵勇
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英飛凌OptiMOS 6 80V MOSFET樹立領(lǐng)先AI服務(wù)器平臺DC-DC功率轉(zhuǎn)換效率新標(biāo)準(zhǔn)

隨著圖形處理器（GPU）的性能日益強(qiáng)大，對板級電源的要求也越來越高。中間總線轉(zhuǎn)換器（IBC）可將48 V輸入電壓轉(zhuǎn)換為較低的總線電壓，這對于AI數(shù)據(jù)中心的能效、功率密度和散熱性能愈發(fā)重要。英飛凌科技股份公司近日宣布，其采用緊湊型5x6 mm2?雙面散熱（DSC）封裝的OptiMOS??6 80V?功率?MOSFET已被集成到一家領(lǐng)先處理器制造商AI服務(wù)器平臺的?IBC級。應(yīng)用測試表明，其效率較之前使用的解決方案提高約?0.4%，相當(dāng)于每kW負(fù)載節(jié)
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英飛凌ICE3PCS01G搭配IGBT高效率2.5KW空調(diào)電源方案

這是一個用于測試 2.5 kW 功率因數(shù)校正 (PFC) 電路的平臺。它旨在評估使用 4 腳封裝的優(yōu)勢。例如提高效率和信號質(zhì)量，并展示了包括 PFC 控制器、MOSFET 驅(qū)動器和碳化硅二極管在內(nèi)的完整 Infineon 解決方案。文件中提供了關(guān)于如何使用該評估板、CoolMOS? C7 MOSFET 的性能表現(xiàn)以及四腳封裝的優(yōu)勢的信息，目標(biāo)讀者是經(jīng)驗(yàn)豐富的電源電子工程師和技術(shù)人員。 ? 評估板的目的與組成 ? 此評估板旨在評估TO-247 4針 CoolMOS
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英飛凌推出用于高壓應(yīng)用的EasyPACK? CoolGaN?功率模塊，進(jìn)一步擴(kuò)大其氮化鎵功率產(chǎn)品組合

隨著AI數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展、電動汽車的日益普及，以及全球數(shù)字化和再工業(yè)化趨勢的持續(xù)，預(yù)計全球?qū)﹄娏Φ男枨髮焖僭鲩L。為應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司近日推出EasyPACK? CoolGaN? 650 V晶體管模塊，進(jìn)一步擴(kuò)大其持續(xù)壯大的氮化鎵（GaN）功率產(chǎn)品組合。該模塊基于Easy Power Module平臺，專為數(shù)據(jù)中心、可再生能源系統(tǒng)、直流電動汽車充電樁等大功率應(yīng)用開發(fā)。它能滿足日益增長的高性能需求，提供更大的易用性，幫助客戶加快設(shè)計進(jìn)程，縮短產(chǎn)品上市時間。英飛凌EasyPACK?英飛凌科技
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英飛凌與美的簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議：聚焦技術(shù)創(chuàng)新與智能綠色生活

近期，英飛凌科技與美的集團(tuán)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。通過深度整合各自優(yōu)勢資源，雙方將在智能家電、新能源以及全球供應(yīng)等多維度加深合作，共同為消費(fèi)者提供綠色、安全、高效的產(chǎn)品與服務(wù)。英飛凌科技高級副總裁、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人于代輝，美的集團(tuán)副總裁兼首席可持續(xù)發(fā)展官李國林代表雙方正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。英飛凌科技高級副總裁、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人于代輝(圖右)與美的集團(tuán)副總裁兼首席可持續(xù)發(fā)展官李國林(圖左)長期以來，英飛凌與美的集團(tuán)緊密合作，技術(shù)協(xié)同的深度與廣度持續(xù)升級，合作領(lǐng)域不斷拓展，從最初聚
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EMC與成本雙優(yōu)解車載燈光域控制器集成方案落地

TLD7002-16ES網(wǎng)關(guān)應(yīng)用示例在現(xiàn)代汽車中，眾多電子控制單元（ECU）負(fù)責(zé)控制各種功能，如發(fā)動機(jī)管理、傳動控制、制動系統(tǒng)和信息娛樂系統(tǒng)。每個ECU通常都配備有自己的MCU，這增加了汽車電氣架構(gòu)的總體復(fù)雜性和成本。車燈的情況也是如此，前后左右的車燈通常都有各自獨(dú)立的ECU。尤其在一些車燈包含成百上千個像素，或者燈是由多塊分散的印刷電路板（PCB）組成時，以市場現(xiàn)存大量量產(chǎn)的LED驅(qū)動解決方案而言，每個燈板都需要使用一片MCU來作為控制的轉(zhuǎn)發(fā)點(diǎn)來提升系統(tǒng)的可靠性，通訊速度以及電磁兼容（EMC）性能。本文
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英飛凌重返SiC JFET，實(shí)現(xiàn)更智能、更快速的固態(tài)配電

Infineon Technologies 開發(fā)了用于固態(tài)保護(hù)和配電設(shè)計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。JFET 通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場來控制電導(dǎo)率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss）和 2.3 mΩ （1200 V BDss）的超低 R DS（ON），可顯著降低導(dǎo)通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路
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