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          v-nand 文章 最新資訊

          重塑產(chǎn)業(yè)前景 迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展

          •   編者點評(莫大康 SEMI China顧問):國際上有許多市場分析公司與機構(gòu),如 Gartner,iSuppli,IC Insight,Semico,VLSI及SEMI,SIA,WSTS等。為什么它們的預測值不同,有時差異還不小。據(jù)編者的看法任何預測都有三類,即樂觀、中等和悲觀。另外,由于每個市場分析公司其數(shù)據(jù)來源及分析的范圍各不同,所以數(shù)據(jù)不一樣是正常的。那該如何來觀察與判斷呢?通常要找品牌,即有些公司的數(shù)據(jù)相對可靠(經(jīng)驗值),如半導體數(shù)據(jù)是WSTS,SIA,Gartner,iSuppli,而設(shè)備材
          • 關(guān)鍵字: IC  NAND  DRAM  

          飚速度355MB/s 鎂光將發(fā)布6Gbps SSD

          •   鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產(chǎn)品線,一個原生6Gbps的SATA設(shè)備引起了廣泛注意,鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下發(fā)布。   這款SSD具體型號RealSSD C300,2.5寸外形設(shè)計,包含128和256GB兩種型號,讀取速度高達355MB/s,寫入速度達215MB/s,向下兼容3Gbps SATA。預計將面向北美、英國和歐洲大陸發(fā)布,128GB版售價大約450美元。   
          • 關(guān)鍵字: 鎂光  34納米  NAND  SSD  

          東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤將于二季度上市

          •   日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重,其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷量僅次于三星公司,目前東芝公司推出的SSD硬盤產(chǎn)品中采用了自己設(shè)計的 NAND閃存控制器,這種產(chǎn)品在OEM廠商中口碑甚好。去年第三季度,東芝已經(jīng)開始量產(chǎn)32nm NAND閃存芯片,不過目前東芝所售出的SSD硬盤產(chǎn)品仍以43nm NAND型產(chǎn)品為主力,這樣OEM廠商乃至終端客戶便無法享受到32nm制程技術(shù)帶來低成本實惠。   不過東芝近日宣布,他們將開始測試部分采用32nm NAND閃存芯片試制的SSD硬盤產(chǎn)品,并將于本季度推出
          • 關(guān)鍵字: 東芝  32nm  NAND  閃存制造  

          一季度半導體供應(yīng)商將繼續(xù)維持低庫存

          •   據(jù)iSuppli公司,經(jīng)過2009年對膨脹的庫存大幅削減 ,全球半導體供應(yīng)商預計將在2010年第一季度維持低量庫存,以期在不明朗的經(jīng)濟環(huán)境中能獲益。   半導體供應(yīng)商的庫存天數(shù)(DOI)預計將在第一季度下降到68.3,比2009年第四季度的68.5低。由于第四季度的DOI已經(jīng)比歷史平均水平低了2.9%,第一季度的庫存預計比這一標準還低6.9%。而第一季度的庫存會維持在可滿足要求的平衡水平上,庫存將達到非常低的水平--甚至有幾種具體設(shè)備會接近短缺的邊緣。     圖示為iSuppli
          • 關(guān)鍵字: 半導體  NAND  

          iSuppli:全球芯片庫存保持緊縮 NAND閃存或短缺

          •   據(jù)市場研究公司iSuppli的調(diào)查,全球半導體供應(yīng)商預計將在第一季度保持輕庫存,以便在不確定的經(jīng)濟形勢下保持盈利。   第一季度末庫存天數(shù)預計將減少至68.3天,上季度為68.5天。去年第四季度,庫存天數(shù)已經(jīng)少于歷史平均水平2.9%,第一季度預計將較普通水平少6.9%。   iSuppli預測,由于庫存量仍將保持在較低水平,某些特殊器件將面臨短缺。   2010年,預計庫存天數(shù)將穩(wěn)定在近70天左右。緊縮的庫存管理將幫助半導體產(chǎn)業(yè)獲得兩位數(shù)增長,增長幅度預計為15.4%,而2009年減少12.4%
          • 關(guān)鍵字: 芯片  NAND  

          威剛陳立白:今年DRAM市場多處于缺貨狀態(tài)

          •   存儲器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進1個股本的豐碩成績單,董事長陳立白表示,2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)多數(shù)時間將處于缺貨的狀態(tài),只要價格維持平穩(wěn),預計對于模塊產(chǎn)業(yè)絕對是好事,往年會是傳統(tǒng)淡季的第2季,2010年將會見到淡季不淡,也不見五窮六絕;而NAND Flash產(chǎn)業(yè)價格則預計會起起伏伏,整體而言,DRAM表現(xiàn)會優(yōu)于NAND Flash產(chǎn)業(yè)。   威剛2009年進行高層人士調(diào)整,延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲器部門資深營銷副總金一雄擔任威剛總經(jīng)理一職,與原有的總經(jīng)理
          • 關(guān)鍵字: 威剛  存儲器  NAND   

          韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價格

          •   韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布,并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價格的行為,也宣告終止近3年來對該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。   反壟斷監(jiān)管單位聲明,針對計算機記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關(guān)的價格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。   2007年1月,F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進行反壟斷調(diào)查,偵查是否有操縱價格的事實,之后已針對全球4家企業(yè)進行調(diào)查,其中2家位于韓國,另外2家分別在美國和日本,但FTC并未公布詳細的企業(yè)名單。   韓國快閃記
          • 關(guān)鍵字: 海力士  NAND  DRAM  

          韓國FTC:NAND Flash大廠無操控價格

          •   據(jù)華爾街日報(WSJ)報導,韓國公平貿(mào)易委員會(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NAND Flash存儲器大廠有任何操控價格的證據(jù),將結(jié)束為期將近3年的調(diào)查。此外,韓國FTC表示,至目前為止所有和存儲器市場相關(guān)的操控價格調(diào)查皆已完成,包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場。   韓國FTC自2007年1月開始調(diào)查存儲器產(chǎn)業(yè)是否存在操控價格的不法行為,并調(diào)查4家全球存儲器大廠,包括兩家韓國廠商、1家日本及1家美國廠商,然FTC并未透露遭調(diào)查的廠商名稱。   存儲器產(chǎn)業(yè)近年來遭數(shù)個國家調(diào)查是否存在柯斷,近期
          • 關(guān)鍵字: Samsung  DRAM  存儲器芯片  NAND   

          韓國結(jié)束對閃存商反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)違法行為

          •   韓國公平交易委員會在一份聲明中表示尚未發(fā)現(xiàn)韓國或其他地區(qū)閃存廠商有操縱價格或其他壟斷行為的證據(jù)。   該機構(gòu)調(diào)查了四家NAND閃存制造商。在被調(diào)查的四家廠商中,兩家位于韓國,其他位于美國和日本。不過公平交易委員會沒有點出這些廠商的名字。NAND閃存適用于于各種手持設(shè)備,包括數(shù)字音樂播放器、數(shù)碼相機和手機。   根據(jù)三星電子和東芝的說法,今年8月,美國司法部也結(jié)束了這樣的調(diào)查。三星電子和東芝是全球前兩大NAND閃存芯片制造商。   市場調(diào)查公司iSuppli的數(shù)據(jù)顯示第三季度三星在全球NAND閃存
          • 關(guān)鍵字: 海力士  NAND  閃存芯片  

          傳韓系三位元型MLC NAND芯片新品質(zhì)量存穩(wěn)定性問題

          •   據(jù)業(yè)者透露,韓國廠商生產(chǎn)的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩(wěn)定性和耐用性方面不如現(xiàn)有兩位元型產(chǎn)品,不過消息來源不愿意透露這家韓國廠商的具體名稱。據(jù)消息來源透露,這家韓國廠商首批推出 的三位元MLC NAND閃存芯片只面向大陸以及美國地區(qū)的市場發(fā)售,不過目前部分銷往美國市場的產(chǎn)品已經(jīng)由于產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定而遭到客戶的退貨。   據(jù)閃存控制芯片的廠商表示,三位元型MLC NAND閃存芯片技術(shù)目前還處在初級發(fā)展階段,由于可能存在一些兼容性等方面的問題,因此需要3個月的時間對這種新產(chǎn)品進行充分的測試。
          • 關(guān)鍵字: NAND  閃存芯片  

          NAND閃存芯片價格本月逐步趨于平穩(wěn)

          •   根據(jù)市場調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計,12月后半個月的MLC NAND閃存芯片價格和前半月相比持平,高密度芯片價格則將下降1-5%。   其中,16Gb芯片期貨價格下降2-7%,32Gb芯片價格持平或下降3%,兩種芯片后半個月的平均銷售價格預計為4.42美元和7.18美元,8Gb芯片的平均價格依舊保持在4.02美元。   盡管受到季節(jié)性銷售規(guī)律的影響,NAND閃存12月份的銷售價格依舊保持穩(wěn)定。考慮到一些芯片制造商將重點轉(zhuǎn)移到了工藝升級上,產(chǎn)能上或受影響,很多下游廠商已經(jīng)開始存貨為即
          • 關(guān)鍵字: 閃存  NAND  

          聚焦2010電子產(chǎn)業(yè)10大機遇

          •   經(jīng)歷了09年初的低糜,IC產(chǎn)業(yè)正逐步從危機中復蘇,觀望其2010年的發(fā)展趨勢,可以說是機遇與挑戰(zhàn)并存。本文將對于2010年電子產(chǎn)業(yè)市場的有利與不利因素分別敍述,供業(yè)界探討與分析。   10大機遇   1. IC行業(yè)的季節(jié)性需求好于預期。FBR分析師Craig Berger說:“亞洲芯片分銷商的最新訂單顯示,第4季度芯片銷售將環(huán)比下降4到8個百分點,比起上個月我們調(diào)查得出的環(huán)比下降10個百分點情況更好,這是由11月份的工業(yè)、消費和智能手機芯片的強勁需求推動的的出貨量下降4%-8%,跌幅較
          • 關(guān)鍵字: Altera  LED  IC  NAND  

          張汝京下課 中芯大漲

          •   為中芯解開多年無法突破的經(jīng)營困境,而與臺積電未來如能合作,將會是個雙贏的局面。張汝京的下臺,為臺積電、中芯國際都找到下一個春天。   11月11日,臺灣有四家報紙的頭版頭條報道了同一則新聞:中芯國際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長張汝京宣布辭職;董事會即刻宣布由王寧國接任執(zhí)行董事兼集團總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠臺積電入股中芯半導體10%的股份。   中芯將分5年賠償臺積電2億美元,并且無償授予臺積電8%的中芯股權(quán),且臺積電另可在3年內(nèi)以每股1.3港幣的價格認購2%的中芯股權(quán)。   這件事情所以在臺灣
          • 關(guān)鍵字: 中芯國際  晶圓  NOR  NAND  

          Intel-鎂光發(fā)起反擊,2xnm制程NAND芯片將投入試制

          •   在本月22日召開的一次電話會議上,鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品,并對其進行取樣測試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規(guī)格數(shù)字,但外界認為他們很可能會于明年初公布有關(guān)的細節(jié)信 息。這樣,鎂光及其NAND技術(shù)的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術(shù),甩開對手三星和東芝,重新回到領(lǐng)先全球NAND制作技術(shù)的寶 座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創(chuàng)立有一家專門負責NAND業(yè)務(wù)的IM閃存技術(shù)公司。   除了制造閃存芯片之外,Intel和鎂光還有出售基
          • 關(guān)鍵字: 鎂光  NAND  閃存  

          海力士:2010年DRAM供不應(yīng)求

          •   據(jù)華爾街日報(WSJ)報導,韓國半導體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場表現(xiàn),將提升資本支出并擴張產(chǎn)能。   海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示,2009年12月為第1次DRAM合約價在11月后并未下滑,此外,預期2010年全球個人計算機(PC)市場需求將增加10%、全球DRAM存儲器芯片將缺貨,半導體市場已走出過去3年的谷底,前景相當穩(wěn)定。   隨著景氣逐漸回升,海力士計劃2010年提升資本支出,共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術(shù)水平,及擴張目前的NAND
          • 關(guān)鍵字: Hynix  存儲器  NAND   
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