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武漢新芯發(fā)表240億美元投資計劃 著手3D NAND研發(fā)
- 大陸國營企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導體工廠。依韓國業(yè)界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術差距，但將是大陸市場上的潛在最大對手。 據(jù)韓聯(lián)社報導，大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導體工廠。地方政府已從投資機構(gòu)湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。 韓聯(lián)社引述EE Times
- 關鍵字： 新芯 NAND
中國NAND快閃存儲器產(chǎn)業(yè)邁入新紀元
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程，目標最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規(guī)劃將以目前最先進的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下，將開始進入新的里程碑。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得指出，現(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強大的企圖心。不同于國際NAND Fla
- 關鍵字： NAND 存儲器
運用材料工程解決半導體行業(yè)技術拐點的挑戰(zhàn)
- 今年，半導體行業(yè)將迎來幾大重要的技術拐點。存儲器制造商正逐步轉(zhuǎn)向3D NAND技術，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設備。我們預計2016年所有主要存儲器制造商都將實現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。 由平面結(jié)構(gòu)向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進了由材料所推動的芯片尺寸縮微，推升了對新材料、新工藝技術的需求。在這個背景下，對厚度和一致性能夠進行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設備，對于制造多層堆疊存儲單元來說至關重要。此外，隨著越來越多支持圖案
- 關鍵字： 半導體 NAND
國內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)開始崛起 主控芯片廠商最有希望拔得頭籌
- 2015年中國半導體廠商在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈相關的布局與投資逐漸加溫。除了在晶圓制造端的布局外，主控芯片得益于在整體NANDFlash產(chǎn)業(yè)極大的戰(zhàn)略地位，也將成為下一波中國半導體業(yè)值得關注的焦點。 TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，在營運上中國國產(chǎn)主控芯片廠商除直接銷售芯片外，多半推出完整的固態(tài)硬盤解決方案以便直接切入市場應用。主要目標客戶群多以企業(yè)級存儲、政府機關與國防軍工等原先合作關系密切，或是有投資關系的戰(zhàn)略伙伴為主。產(chǎn)品開發(fā)則傾力下個世代
- 關鍵字： NAND SSD
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