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英飛凌推出額定電流高達 120A 的新型 TO-247PLUS 封裝
- 英飛凌科技股份有限公司針對大功率應用擴大分立式 IGBT 產(chǎn)品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內(nèi)裝有滿額二極管作為 JEDEC 標準TO-247-3。TO-247PLUS 可用于 UPS、焊接、太陽能、工業(yè)驅動等工業(yè)應用以及傳動系統(tǒng)逆變器等汽車應用，可更新高功率輸出的現(xiàn)有設計或者改進這些應用的熱環(huán)境，從而提高系統(tǒng)可靠性和延長系統(tǒng)使用壽命。TO-247PLUS 具備更高的電流承受能力，能夠在并聯(lián)時減少設備數(shù)量，實現(xiàn)更緊湊的產(chǎn)
- 關鍵字： 英飛凌 IGBT TO-247-3
Littelfuse推出額定值高達1700V和450A的模塊，以擴充其IGBT功率控制半導體系列產(chǎn)品
- Littelfuse公司是全球電路保護領域的領先企業(yè)，已擴充其專為電機控制和逆變器應用設計的IGBT模塊功率半導體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝設計，現(xiàn)包括半橋、六只裝以及S、D、H、W和WB封裝的PIM模塊，額定值高達1700V和450A。 這些模塊依托現(xiàn)代IGBT技術能夠可靠、靈活地提供高效快速的開關速度。 除了標準設計外，Littelfuse還可提供定制解決方案以滿足客戶的具體規(guī)范。 這些模塊將被用于工業(yè)電子產(chǎn)品的眾多功率應用中，包括工業(yè)驅動與運動控制硬件、太陽能逆變器、不間斷電源/開關
- 關鍵字： Littelfuse IGBT
先進攜手北車構建中國IGBT核心競爭力
- 上海先進半導體制造股份公司(ASMC)與中國北車股份有限公司(CNR)10月22日在上海就雙方“建設戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟合作協(xié)議”簽約，上海先進總裁王慶宇、中國北車總工王勇智分別代表雙方在協(xié)議書上簽字，上海先進董事長陳建明、中國北車副總裁孫永才均表示，通過雙方戰(zhàn)略聯(lián)盟的合作，在充分利用各自競爭優(yōu)勢基礎上聯(lián)手打造出具有核心競爭力的國產(chǎn)化IGBT大規(guī)模商用產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈。 據(jù)悉，戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟合作主要包括4個方面：一是通過成立聯(lián)盟形成從設計、制造到封裝、測試的完整IGBT產(chǎn)業(yè)鏈;二是簽訂合
- 關鍵字： 北車 IGBT
中國變頻器工業(yè)遠景光亮
- 在大規(guī)模的分布式可再生能源發(fā)電中，變頻器在電力電子技術與信息通訊技術雙方面都扮演著重要的角色。據(jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，全球再生能源用變頻器市場在2011年為72億美元的規(guī)模。預測今后5年該規(guī)模將會倍增，到2017年將超越190億美元。變頻器可使電機系統(tǒng)節(jié)電率達30%左右，甚至40%～60%。未來幾年中低壓變頻器需求將保持20%以上的增速，高壓變頻器行業(yè)保持40%以上的增速。絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是變頻器的核心部件，目前國內(nèi)IGBT市場仍主要由外資企業(yè)所把控，擁有技術優(yōu)勢的企業(yè)有望率先實現(xiàn)進口替代。
- 關鍵字： 變頻器工業(yè) IGBT
IGBT等功率器件：芯片更薄，封裝散熱更好，集成度更高
- 近日，三菱電機功率半導體制作所參加了上海2014年PCIM亞洲展，總工程師佐藤克己介紹了IGBT等功率器件的發(fā)展趨勢。 IGBT芯片發(fā)展進程 IGBT芯片始于19世紀80年代中期。30年以來，就FOM(優(yōu)點指數(shù))來說，今日的IGBT芯片比第一代性能提升了20倍左右，其中改良技術包括：精細化加工工藝、柵式IGBT的開發(fā)(如三菱電機的CSTBT)，以及薄晶圓的開發(fā)等等。如今，三菱電機的IGBT芯片已經(jīng)踏入第7代，正朝第8代邁進。 隨著產(chǎn)品的更新?lián)Q代，功耗越來越低，尺寸越來越小。從80
- 關鍵字： 三菱電機 IGBT 晶圓 201408
中國半導體產(chǎn)業(yè)機遇之三：IGBT產(chǎn)業(yè)
- IGBT 是功率器件技術演變的最新產(chǎn)品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點?；诩夹g和功能上的優(yōu)勢，IGBT產(chǎn)品可以實現(xiàn)對以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優(yōu)勢。IGBT能夠實現(xiàn)節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來應
- 關鍵字： 半導體 IGBT
IGBT崛起——國產(chǎn)功率器件的曙光
- IGBT是功率器件技術演變的最新產(chǎn)品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點?；诩夹g和功能上的優(yōu)勢，IGBT產(chǎn)品可以實現(xiàn)對以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優(yōu)勢。IGBT能夠實現(xiàn)節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來應用發(fā)展的必然
- 關鍵字： 功率器件 IGBT
世界第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片線將在株洲投產(chǎn)
- 6月20日上午，被業(yè)界認為現(xiàn)代變流工業(yè)“皇冠上的明珠”的關鍵 技術在中國南車取得產(chǎn)業(yè)化突破：公司投資近15億元的IGBT產(chǎn)業(yè)化基地建成并即將投產(chǎn)。這是國內(nèi)首條、世界第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片生產(chǎn)線，首期將實現(xiàn)年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬只IGBT模塊，真正實現(xiàn)IGBT的國產(chǎn)化。它的投產(chǎn)，將打破國外公司在高端IGBT芯片技術上的壟斷。 國家多部委關注IGBT研發(fā) IGBT，是一種實現(xiàn)電能轉換和 控制的電力電子器件，中文名叫絕緣柵雙極型晶體管。自從
- 關鍵字： IGBT 芯片
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