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          一種新的晶圓級(jí)1/f噪聲測(cè)量方法

          作者:黃麗華 時(shí)間:2009-08-31 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            圖5. 漏極電流與柵極偏壓的關(guān)系

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/97638.htm

            5. 結(jié)束語

            本文介紹了一種評(píng)測(cè)MOSFET 的晶圓級(jí)測(cè)量方法和配置方案。這種測(cè)量技術(shù)可以在晶圓上自動(dòng)進(jìn)行。由于這種配置方案能夠測(cè)出低于100Hz的低頻噪聲分量,因此能夠有效提取到MOSFET的。

            參考文獻(xiàn)

            [1]K.K. Hung, P. K. Ko, C. Hu, Y. C. Cheng, IEEE Transactions On Electron Devices, 37, pp.654-664 (1990)

            [2]H. Wong, Microelectronics Reliability, 43, pp.585-599 (2003)

            [3]A. Blaum, O. Pilloud, G. Scalea, J. Victory, F. Sischka, IEEE Int. Conference on Microelectronic Test Structures, 14, pp.125–130 (2001)


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          評(píng)論


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