全球領(lǐng)先的功率管理技術(shù)公司IR近日推出專為每個(gè)通道高達(dá)500W的D類音頻應(yīng)用開(kāi)發(fā)的200V控制集成電路IRS20124S。該器件集成的可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間、雙向過(guò)流感應(yīng)等功能可保護(hù)放大器系統(tǒng)。此外，這些特性還可以使音頻設(shè)計(jì)師簡(jiǎn)化電路并減少家庭影院娛樂(lè)系統(tǒng)、影音接收機(jī)和汽車音響系統(tǒng)中D類音頻放大器的元件數(shù)量。

內(nèi)置的可選死區(qū)時(shí)間生成電路可對(duì)穩(wěn)定性進(jìn)行熱補(bǔ)償，并具有噪聲和電源電壓波動(dòng)免疫功能，以改善總諧波失真THD。 IRS20124S內(nèi)置雙向電流感應(yīng)和集成的關(guān)斷功能，在出現(xiàn)揚(yáng)聲器引線短路等過(guò)流狀況時(shí)保護(hù)輸出MOSFET。

IR消費(fèi)及工業(yè)產(chǎn)品部副總裁譚仲能指出：“使用這一新型D類音頻集成電路來(lái)驅(qū)動(dòng)音頻MOSFET（如IRF6665），電路設(shè)計(jì)人員可以減少系統(tǒng)占板空間，改進(jìn)PCB布局，降低EMI和改善熱特性?！?

譚先生認(rèn)為，“D類音頻電路需要承受高頻開(kāi)關(guān)的高電壓變化，IR專門(mén)為開(kāi)關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的MOSFET和高壓控制集成電路非常適合數(shù)字音頻系統(tǒng)的需要。其針對(duì)特殊應(yīng)用的器件具有更高的效率，能增加功率密度并具有更好的音頻性能?！?

設(shè)計(jì)支持

        在IR音頻網(wǎng)頁(yè)http://www.irf.com/product-info/audio/ 可訪問(wèn)相關(guān)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)表、產(chǎn)品選擇指南和D類音頻應(yīng)用筆記的鏈接。

供貨和報(bào)價(jià)

         新款I(lǐng)RS20124S D類音頻高壓控制集成電路現(xiàn)已供貨。該器件符合無(wú)鉛和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。 IRS20124S為14引腳 SOIC封裝，每萬(wàn)件的訂貨量單價(jià)1.50美元，價(jià)格會(huì)有所變動(dòng)。產(chǎn)品基本規(guī)格如下：


產(chǎn)品編號(hào)    封裝    偏置
電壓    輸出
電壓    Io+/-    可選的
傳播延遲    死區(qū)
時(shí)間
IRS20124S    14引腳
 SOIC    最大值
200V     10-20V    典型值 1A/1.2A    典型值
 70納秒    典型值
15/25/35/45納秒