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          諾發(fā)系統(tǒng)有限公司推出可灰化硬掩膜工藝技術(shù)

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          作者: 時間:2007-06-29 來源:EEPW 收藏
          中國上?!Z發(fā)系統(tǒng)有限公司宣布開始銷售用于生產(chǎn)的在 VECTOR Express™ 等離子增強化學氣相沉積 (PECVD) 平臺上實現(xiàn)的可灰化硬掩膜 (AHM™) 工藝技術(shù),目前這項技術(shù)正在申請專利。VECTOR Express 平臺上的 AHM 工藝可應(yīng)對高階技術(shù)節(jié)點應(yīng)用的挑戰(zhàn),相對于傳統(tǒng)的非晶碳膜工藝實現(xiàn)了巨大的技術(shù)突破,可支持 193nm 高深寬比圖形的蝕刻要求,而在這種情況下,變薄的光阻材料難以用傳統(tǒng)的方式完成圖形蝕刻。諾發(fā)已經(jīng)向主要的存儲器制造商交付了具備新功能的設(shè)備,并承諾在下一季度向更多的客戶發(fā)運產(chǎn)品。

          AHM 薄膜技術(shù)采用獨特的化學反應(yīng)物和增強等離子工藝,能滿足高端器件節(jié)點對蝕刻選擇比的要求,而且在光阻曝光時,仍可保持對晶圓對準光源的透明性。在重要客戶的評估中,VECTOR Express 上的 AHM 顯示了出色的薄膜性能、良好的 CD 控制、較低的缺陷率和更高的器件良率。在取得優(yōu)秀技術(shù)性能的同時,和業(yè)界通行的基準擁有成本相比,AHM 降低了30%。

          此外,新沉積后邊緣斜面薄膜去除功能也集成在 VECTOR Express 平臺上,提高了工藝的靈活性,解決了傳統(tǒng)反應(yīng)室內(nèi)邊技術(shù)帶來的可靠性、生產(chǎn)率與缺陷問題。新技術(shù)還提高了晶片邊緣薄膜去除的精確度和可重復性,這對 193nm 的浸沒式光刻技術(shù)而言,正變得日益重要。

          諾發(fā)系統(tǒng)有限公司電介質(zhì)事業(yè)部總經(jīng)理兼高級副總裁 Tim Archer 指出:“VECTOR Express 平臺上 AHM 的推出是我們工作中又一重大的里程碑,將不斷為客戶提供高級技術(shù)和業(yè)界領(lǐng)先的生產(chǎn)效率。AHM 解決方案的出色的薄膜特性,突出的生產(chǎn)率和集成的沉積后邊緣斜面薄膜去除功能,使 VECTOR Express 在快速發(fā)展的市場領(lǐng)域中居于領(lǐng)先地位,估計這一市場的市值到 2011 年將超過 4 億美元?!?

          VECTOR Express PECVD 平臺于今年早些時候推出,用于多種存儲器和邏輯器件的薄膜沉積。借助于SmartSoak™工藝的新特性,VECTOR Express 提供了業(yè)界領(lǐng)先的生產(chǎn)效率和薄膜工藝性能的根本改善。 SmartSoak 采用了諾發(fā) VECTOR 平臺獨特的多站式順序處理 (MSSP) 結(jié)構(gòu),使晶圓加熱和薄膜淀積過程相互獨立開來。通過這種方法可以使晶圓溫度在薄膜開始沉積時變得更加穩(wěn)定和一致,同時還能夠縮短薄處理的時間。諾發(fā)已經(jīng)收到 50 多份 VECTOR Express 系統(tǒng)的訂單。


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