安森美半導(dǎo)體（Onsemi）宣布，將其先進(jìn)的制造工藝技術(shù)擴(kuò)大到HighQ™硅-銅集成無(wú)源器件(IPD)的制造服務(wù)領(lǐng)域。與昂貴、超高性能的基于砷化鎵-金工藝無(wú)源器件相比，這創(chuàng)新的8英寸晶圓技術(shù)比原來(lái)較低精密程度的硅-銅工藝成本更低，性能更高。 

    安森美半導(dǎo)體的HighQ™ IPD工藝技術(shù)是諸如不平衡變換器、耦合器和濾波器等無(wú)源器件制造的理想選擇。對(duì)于便攜和無(wú)線應(yīng)用，高性能等于延長(zhǎng)電池壽命。 

    位于美國(guó)的世界級(jí)安森美半導(dǎo)體200 mm制造廠采用的是IPD工藝。該廠具有高水平的原型和生產(chǎn)周期，高科技產(chǎn)品生產(chǎn)和故障分析設(shè)備和系統(tǒng)。 

    HighQ™制造工藝制造出銅鍍層厚實(shí)的電感器、MIM 電容器(0.62 fF/um2) 以及 TiN 電阻器(9 ohms/square)，工藝成熟，將滿足全部可靠性評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)，顯示了該方案的穩(wěn)健。 
•    加工溫度-65