根據(jù)YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。

　　Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長，預計在2020年時可望達到3千萬美元的產(chǎn)值。

　　目前銷售GaN功率元件的主要半導體業(yè)者包括英飛凌/IR、宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EfficientPowerConversion;EPC)、GaNSystems與Transphorm等公司。

　　然而，這一市場也存在整并壓力，這一點從英飛凌收購IR、英飛凌與松下(Panasonic)之間以及Transphorm與Furukawa之間的授權(quán)協(xié)議，以及Transphorm與富士通(Fujitsu)之間的制造合作即可看出端倪。

　　根據(jù)與Yole共同分析GaN功率半導體市場的KnowMade公司執(zhí)行長NicolasBaron表示，英飛凌/IR擁有最佳的GaN功率專利組合，而其最大的競爭對手則是Transphorm。然而，這個IP的主導地位可能會有變化，因為像Transphorm、富士通與三菱電機(MitsubishiElectric)等新加入市場的后進者，也可能成為主要的力量，從而改寫市場樣貌。FurukawaElectric藉著將其GaN專利產(chǎn)品組合獨家授權(quán)給Transphorm，也擁有了得以為其將技術(shù)導入市場的策略合作夥伴。