近日，中美科學家攜手成功研制出由單層錫原子構(gòu)成的厚度小于0.4納米的二維晶體——錫烯(Stanene)薄膜。理論預測稱，這種材料或能100%導電。研究人員希望下一步能盡快證實其優(yōu)異的電學屬性。

　　科學家們迄今研制出了多種二維材料，包括硅烯、鍺烯等。它們大都擁有優(yōu)異的導電性，但從理論上來說，錫烯更勝一籌。2013年，斯坦福大學張守晟教授團隊預測，“錫烯(Stanene)是錫的拉丁語名字(Stannum)和石墨烯(Graphene)組合在一起而成的”,可能會成為世界上第一種能在常溫下達到100%導電率的超級材料，遠勝近年來熱議的石墨烯，可實現(xiàn)室溫下無能量損耗的電子輸運，在未來更高集成度的電子學器件應用方面具有重要的意義。

　　但制備錫烯面臨諸多困難，首先，錫烯的晶體結(jié)構(gòu)基于金剛石結(jié)構(gòu)的灰錫，灰錫不是石墨那樣的層狀結(jié)構(gòu)，因此無法用機械剝離的方法獲得單層錫烯。另外，體材料的灰錫在室溫下不能穩(wěn)定存在。而且雖然穩(wěn)定的灰錫厚薄膜能在銻化銦基底上生長，但在銻化銦基底上生長單層錫烯卻一直無法實現(xiàn)。

　　近日，上海交通大學物理與天文系錢冬、賈金鋒教授領導的研究團隊與張首晟、清華大學徐勇教授合作，通過將錫原子平鋪在半導體碲化鉍表面上，成功制備出了由錫原子構(gòu)成的厚度小于0.4納米的錫烯薄膜，并利用精確的原位表征技術(shù)證明了他們制備的新材料正是錫烯。研究成果發(fā)表在8月3日的《自然材料》雜志在線版上。