Mentor Graphics 公司今天宣布推出全新 Calibre® xACT™ 寄生電路參數(shù)提取平臺，該平臺可滿足包括 14nm FinFET 在內廣泛的模擬和數(shù)字電路參數(shù)提取需求，同時最大限度地減少 IC 設計工程師的猜測和設置功夫。 Calibre xACT 平臺可借由自動優(yōu)化電路參數(shù)提取技術，針對客戶特定的工藝節(jié)點、產品應用、設計尺寸大小及電路參數(shù)提取目標，實現(xiàn)精準度和周轉時間 (TAT) 的最佳組合。 采用 Calibre xACT 平臺進行電路寄生參數(shù)提取在滿足最嚴格的精準度要求的同時，還讓客戶體驗到了減少高達 10 倍的周轉時間。

　　Samsung 在用于 14nm 技術的 Calibre xACT 平臺的開發(fā)和認證方面與 Mentor

　　Graphics 有著廣泛的合作，并憑借該平臺的高精準度性能將其應用于技術開發(fā)。

　　Calibre xACT 產品能夠將單個規(guī)則檔案應用于一系列電路參數(shù)提取應用，使客戶能夠兼顧精準度和快速 TAT(Turn Around Time)，且無需手動修改其規(guī)則檔案或工具配置。

　　“我們在對領先的電路參數(shù)提取產品進行了仔細的基準檢驗后，選擇了將Calibre xACT作為簽核電路參數(shù)抽取工具標準并應用到我們所有的新一代設計中，”Cypress Semiconductor 公司 CAD 總監(jiān) Dragomir Nikolic 說道。 “包括在90 nm和65 nm制程節(jié)點上的產品。 我們發(fā)現(xiàn)，在眾多目標在最尖端工藝節(jié)點電路參數(shù)提取產品中，Calibre xACT 可提供高精準度和快速周轉時間的最佳組合。 此外，我們也看到 Calibre xACT電路參數(shù)提取工具有能力在各種各樣的應用(從晶體管級別到全芯片數(shù)字電路參數(shù)提取)中產生最佳結果，這種能力是非常有價值的。”

　　在整個設計周期內，電路設計工程師必須在性能和精準度之間權衡取舍。寄生電路參數(shù)提取也不例外。 在使用較為復雜的 FinFET 組件的先進工藝節(jié)點上，設計工程師始終致力于追求更為嚴苛的精準度，也需要更高的性能和容量來實現(xiàn)十億級晶體管設計。事實上，在現(xiàn)代 IC 中，所有制程節(jié)點都隨著內存、模擬電路、標準單元庫以及客制化數(shù)字內容的混合變得日益復雜。這種復雜性為電路參數(shù)提取工具帶來了一系列不同的挑戰(zhàn)。 為了應對這些挑戰(zhàn)，Calibre xACT 平臺將精簡模型、解電磁場技術(Field Solver)以及高效的多 CPU 擴展 (scaling)技術融為一體，以確保實現(xiàn)有可靠精準度并滿足計劃所要求的期限。

　　Calibre xACT 電路參數(shù)提取平臺與整個 Calibre 產品線整合，實現(xiàn)了無縫驗證流程，其中包括用于完整晶體管級模型的 Calibre nmLVS™ 產品，以及用于針對極高精準度電路參數(shù)提取應用的 Calibre xACT 3D 產品。此外，它還納入了第三方設計環(huán)境和格式，以確保與現(xiàn)有的設計和仿真流程相兼容。