推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor)與功率轉換專家Transphorm宣布已建立了新的合作關系，共同開發(fā)及共同推廣基于氮化鎵(GaN)的產品和電源系統(tǒng)方案，用于工業(yè)、計算機、電信及網絡領域的各種高壓應用。

　　這策略合作充分發(fā)揮兩家公司固有的實力。Transphorm是公認的第一家將600伏(V)GaN硅晶體管量產通過授證的公司，并在這先進技術有無與倫比的經驗。安森美半導體是一家領先的高能效電源方案供應商，在系統(tǒng)設計具備深厚的專知和技術，提供寬廣的陣容產品，從功率分立器件、高性能AC-DC控制器及集成開關穩(wěn)壓器到全定制專用集成電路(ASIC)電源管理方案。

　　GaN在電源應用已證明能提供優(yōu)于硅基器件的重要性能優(yōu)勢。安森美半導體和Transphorm合作開發(fā)的新世代封裝產品將提供可靠及授證的方案，令工程師實現(xiàn)前所未有的高能效和功率密度水平。

　　安森美半導體標準產品部執(zhí)行副總裁兼總經理賀彥彬(Bill Hall)說：“安森美半導體充分認識到GaN技術可帶給功率電子市場的固有優(yōu)勢，我們非常高興與這領域公認的領袖合作，此外我們也有自己的GaN開發(fā)工作。這項新的重要合作，在策略上結合了我們可觀的電源系統(tǒng)方案實力及Transphorm的GaN專知和技術。我們的合作能夠增強客戶對此新技術的信心，及加速它廣泛的市場采納。”

　　Transphorm首席執(zhí)行官(CEO) Fumihide Esaka說：“跟像安森美半導體這樣的領先電源半導體公司合作，確認了Transphorm在GaN的領先地位，將為我們客戶提供更寬廣的基于GaN的產品及方案。我們的合作不僅對加快GaN的市場滲透具有重要作用，還對整個電源轉換行業(yè)富有意義。”

　　首批共同開發(fā)的基于600 V GaN晶體管方案預計將于2014年底前開始提供樣品。這些方案將用于200 W至1000 W功率范圍的高功率密度應用，用于電信及服務器市場的緊湊型電源。根據合作條款，共同開發(fā)的封裝晶體管產品將包括安森美半導體的用于共源共柵(cascoded)開關的低壓MOSFET硅片，及Transphorm的獲得證明的GaN高壓高電子遷移率晶體管(HEMT)。這些器件將在安森美半導體的制造廠聯(lián)合封裝、組裝及測試。

　　電源系統(tǒng)參考設計將提供給客戶，使他們能夠應用包含GaN晶體管和高性能AC-DC控制器的新方案，以充分利用GaN器件的技術優(yōu)勢。